據行業媒體semianalysis報道，三星電子，更確切地說是三星的各個半導體部門，都在火上澆油。在過去十年里，三星處于世界之巔。他們在晶圓代工業中的份額迅速增加。三星是代工領域中最快的多邏輯節點轉換。三星 LSI 設計團隊正在推出最好的移動芯片設計。蘋果完(wan)全依(yi)賴三星(xing)制(zhi)造(zao)所有(you)關鍵部件。三星(xing)在生產成本方(fang)面領(ling)先于其他 DRAM 制(zhi)造(zao)商(shang)多年。
但(dan)現在，這些技術優勢都在瓦(wa)解。
報(bao)道指出(chu)，三(san)星(xing)電子的(de)文化問(wen)題已(yi)經(jing)動搖(yao)了它的(de)核(he)心。三(san)星(xing)在技術(shu)開發的(de)各個方(fang)面都在下滑(hua)，包括(kuo)他們在歷(li)史上擊敗所有競爭對手的(de)一個領域——DRAM。他們也不再生產前 3 名(ming)的(de)移動 SOC，甚至聯發科也超過了它們。代(dai)工(gong)業務已(yi)將其(qi)兩個最大的(de)客戶連續流向臺積電。
有報(bao)道甚至指出，稱三(san)星(xing)代工(gong)廠存在謊言和欺騙(pian)行(xing)為。甚至英特爾剛剛起(qi)步的新代工(gong)業務(wu)也能夠從三(san)星(xing)代工(gong)那里吸引一兩(liang)個客戶！
本文(wen)將報(bao)道(dao)韓國媒體報(bao)道(dao)的許(xu)多癥狀以及(ji)我(wo)們自己(ji)對該主題的一些研究(jiu)。需要明(ming)確(que)的是，韓國媒體的一些細節未經(jing)證實，但總體問題是顯而易見的。
三星電子顯然有(you)問題。這些問題直(zhi)接源于三星的文化構成。在(zai)深入細(xi)節之前，我們認為總體趨勢是這些問題多年來一直(zhi)在(zai)冒泡，但已經達到沸(fei)點(dian)。
首先(xian)，讓我們先(xian)從這(zhe)個故事中最(zui)溫(wen)和的部(bu)分(fen)開始，然后再進(jin)入最(zui)該死的部(bu)分(fen)。三星有一項名為(wei)“Game Optimizing Service”的服務，它限制了(le)大多數應(ying)用(yong)程序，除了(le)常(chang)見(jian)的基(ji)準測(ce)試，甚至包括(kuo) Netflix 和 Instagram 等非游(you)戲應(ying)用(yong)程序。誠(cheng)然，我們并(bing)沒有對(dui)此感到(dao)憤怒，因(yin)為(wei) Android OEM在基(ji)準測(ce)試應(ying)用(yong)程序上作弊的歷史由來已久。由于他們的行為(wei)，三星正(zheng)面(mian)臨集體訴(su)訟。
三(san)星為(wei)什么要(yao)發起這項“Game Optimizing Service”？那當然是為(wei)了控制(zhi)熱量(liang)和(he)(he)(he)功(gong)(gong)耗(hao)，因(yin)為(wei)過去幾代(dai)產品(pin)的(de)熱量(liang)和(he)(he)(he)功(gong)(gong)耗(hao)一直很(hen)感人。歸(gui)根到底是因(yin)為(wei)節(jie)點(dian)問(wen)題已(yi)經在三(san)星出現。追溯到幾年前，三(san)星的(de)內部 CPU設計曾因(yin)領導(dao)不(bu)力而失敗。三(san)星也曾有(you)一個GPU 團隊，但最后(hou)解散了。這兩個例子說明為(wei)什么開發自己的(de)芯片比看起來要(yao)困難得(de)多。設計公司和(he)(he)(he)工(gong)廠(chang)的(de)文化對于成功(gong)(gong)至關重要(yao)。這些天才工(gong)程(cheng)師需要(yao)正確的(de)動機、方向和(he)(he)(he)領導(dao)力。
在內部 GPU 架構(gou)失敗后，三(san)星的(de)(de)許(xu)多粉絲都對轉向采(cai)用 AMD 基于 RDNA 的(de)(de) GPU IP 感到興奮(fen)。這種興奮(fen)是(shi)(shi)非常短暫的(de)(de)。當(dang)前一代(dai)(dai)Exynos 2200確實引起了與代(dai)(dai)工和工藝(yi)節點相(xiang)關的(de)(de)問(wen)題。其每瓦性(xing)能非常糟糕(gao)。基于 RDNA 的(de)(de) GPU 的(de)(de)性(xing)能和功(gong)耗并不是(shi)(shi)這款 SOC 的(de)(de)唯(wei)一問(wen)題。
三星最(zui)初計劃在(zai)全球范(fan)圍內(nei)更(geng)廣(guang)泛地推出 Exynos 芯(xin)片(pian)。一些(xie)分析師和行業出版物甚至預(yu)計 Galaxy S22 系列總銷量的(de) 60% 將基(ji)于(yu)(yu) Exynos 2200，40% 將基(ji)于(yu)(yu) Qualcomm S8G1。最(zui)后，這被證(zheng)明(ming)是無效的(de)，Exynos 的(de)實際(ji)占(zhan)比(bi)最(zui)終不到 25%。雖然我們(men)認(ren)為該計劃不會提高(gao)到 60%，但我們(men)確實聽(ting)說三星希望將 Exynos 處理器的(de)份額(e)提高(gao)到 40%。數量的(de)不足主要是由于(yu)(yu)業績和產量。
據報道(dao)，三星的(de)(de) Exynos 2200 的(de)(de)產量極低。這(zhe)(zhe)部分(fen)是(shi)由于他們使用了(le) 4LPE 節(jie)(jie)點(dian)。該節(jie)(jie)點(dian)在三星的(de)(de) 7/5nm 系列上進行了(le)創新(xin)，提供 198nm UHD 單(dan)元高(gao)度(du)，而(er)之前(qian)的(de)(de)節(jie)(jie)點(dian)具有 218nm UHD 單(dan)元高(gao)度(du)。據傳該節(jie)(jie)點(dian)的(de)(de)良率(lv)(lv)低至 20%。這(zhe)(zhe)些看起來太低了(le)，但我們聽說parametric yields是(shi)可(ke)怕的(de)(de)，即(ji)使catastrophic yields 很好。另一位(wei)消息人士告訴我們，最終出貨的(de)(de)芯片具有更高(gao)的(de)(de)功(gong)耗和(he)更低的(de)(de)性能目標，導致大約 80% 的(de)(de)parametric yields 。無論如何，有傳言稱高(gao)管之間達成了(le)協議即(ji)使它沒有經濟或功(gong)率(lv)(lv)/性能意義，也可(ke)以運送(song)最新(xin)的(de)(de)節(jie)(jie)點(dian)。
在這(zhe)里，我們需要(yao)解析一些(xie)名詞，所謂(wei)catastrophic yield 損失是指晶體管、通(tong)孔或金屬層部分根本不起(qi)作用。Parametric yield是指在這(zhe)些(xie)功能起(qi)作用時，參數良(liang)率(lv)損失，但問題是它是否達到(dao)了您的(de)性能、功率(lv)、電壓等(deng)目標(biao)。由于 Exynos 2200 的(de)參數良(liang)率(lv)如(ru)此之低(di)，芯片的(de)目標(biao)必須調(diao)低(di)。事(shi)實上，有傳(chuan)言稱三(san)星將(jiang) GPU 的(de)時鐘頻率(lv)從(cong)計劃的(de)1.69GHz 降(jiang)低(di)到(dao) 1.49GHz，最終降(jiang)低(di)到(dao) 1.29GHz。
出(chu)現這些(xie)問題，并不僅僅歸(gui)咎于代工廠和 SOC 團隊錯過了他們的技術目標。但據稱，這些(xie)不同(tong)的單位正在互相(xiang)指責。三(san)星 LSI（設計）歸(gui)咎于三(san)星 Foundry，而三(san)星移動則歸(gui)咎于 S.LSI。
三(san)星 LSI 高(gao)管(guan)甚至似乎將(jiang)責(ze)任歸(gui)咎于(yu)韓(han)國勞動法的(de)變化。與(yu)其在(zai)關鍵時間和(he)讓工程師做荒謬的(de)工作，不如(ru)將(jiang)員(yuan)工每周最多限(xian)制(zhi)在(zai) 52 小時。雖(sui)然我們聽(ting)說這(zhe)并沒(mei)有得到(dao)完(wan)全(quan)遵守，但它減少了許(xu)多三(san)星工程師的(de)過度工作。三(san)星的(de)抵(di)制(zhi)如(ru)此強烈，以(yi)至于(yu)甚至有人推動立法放松這(zhe)些勞動法。
三星(xing)半導體的文化已經變(bian)得如此有毒，以(yi)至于(yu)該代工廠甚(shen)至據(ju)稱在產量上撒謊。
韓國媒體報道(dao)稱(cheng)，三星正在針對上述問(wen)題進行(xing)管理(li)審查和(he)審計。這(zhe)次(ci)審查的(de)結果很(hen)可(ke)能是管理(li)層(ceng)和(he)團(tuan)隊的(de)改組，類(lei)似于(yu)(yu)去年(nian)無線部門的(de)重(zhong)組。后來的(de)謊言報道(dao)甚至更深入地聲稱(cheng)三星代工廠在 5nm、4nm 和(he) 3nm 良率(lv)上向客戶和(he)三星董事長撒(sa)謊。鑒(jian)于(yu)(yu)韓國有(you)不少(shao)媒體在報道(dao)這(zhe)個事，也有(you)不少(shao)當(dang)(dang)地專家(jia)參與(yu)進來，這(zhe)些各種(zhong)報道(dao)似乎相當(dang)(dang)可(ke)信。
我們(men)可以肯定的(de)是，高通對三星很生(sheng)氣。
根據 TechInsights的(de)(de)說法，高通(tong)使用了三星 5nm 節點的(de)(de)變(bian)體，它被稱(cheng)為 4LPX，而(er)不是像 Exynos 2200 這(zhe)(zhe)樣更密(mi)集(ji)的(de)(de) 4LPE 節點。多個消息(xi)來源還(huan)告(gao)訴我們，S888 和 S8G1 處理器(qi)的(de)(de)Parametric yield非常(chang)差，導致高通(tong)需要將這(zhe)(zhe)些 SOC 推(tui)到更高的(de)(de)功率水平以(yi)實現某些性能目(mu)標(biao)。
雖(sui)然報道的(de)高(gao)通 S8G1 的(de)良率不(bu)如(ru) Exynos 2200 低，但也(ye)遠遠不(bu)夠。作為旁注，這(zhe)對高(gao)通（和英偉(wei)達）來說效果很好。我們被告知這(zhe)兩(liang)個客戶已經協商支付每(mei)個成品芯(xin)片而不(bu)是每(mei)個晶圓(yuan)制造的(de)費用。
由(you)于(yu)(yu) S765G、S780G、S888 和(he)(he) S8G1 的(de)(de)問題，高(gao)通決定完全放(fang)棄(qi)三(san)星代工的(de)(de)高(gao)端(duan) SOC。高(gao)通甚至(zhi)有(you)專(zhuan)門的(de)(de)團隊日以繼夜地基(ji)于(yu)(yu)臺(tai)積(ji)電的(de)(de) N4 工藝節點為S8G1+的(de)(de)生產做準備 。在(zai)可預(yu)見的(de)(de)未來，S8G2 和(he)(he)未來的(de)(de)高(gao)端(duan)高(gao)通芯片將在(zai)臺(tai)積(ji)電上(shang)架。盡(jin)管近幾個月智(zhi)能手(shou)機(ji)市場放(fang)緩，但由(you)于(yu)(yu)與高(gao)通的(de)(de)份(fen)額轉移和(he)(he)持(chi)續的(de)(de)內容增長，臺(tai)積(ji)電今(jin)年(nian)和(he)(he)明年(nian)仍能保持(chi)智(zhi)能手(shou)機(ji)領(ling)域的(de)(de)增長。
三星(xing)移動(dong)一直在競相尋(xun)找替代(dai)方(fang)案(an)，而 S.LSI 部(bu)門在智能手(shou)機(ji) SOC 上(shang)苦苦掙(zheng)扎。韓(han)國謠言甚至稱三星(xing)已轉(zhuan)向評估 Galaxy A 系列陣容的(de)聯發(fa)科天(tian)璣陣容。三星(xing)移動(dong)總裁 TM Roh 博士(shi)曾(ceng)表示，有一種新的(de)應用處(chu)理器僅適用于 Galaxy 手(shou)機(ji)。這很奇怪(guai)，因為大(da)多數 S.LSI Exynos SOC 雖然是外部(bu)提供的(de)，但基本上(shang)是三星(xing) Galaxy 智能手(shou)機(ji)獨有的(de)。這表明(ming)三星(xing)移動(dong)和 S.LSI 之間存在更多的(de)內訌和戲劇(ju)性(xing)。
三星(xing)代工問(wen)(wen)題(ti)更深層次。正如我(wo)們去年報道的那(nei)樣，他們的 3nm GAP 節(jie)點的代工產品甚至直到(dao) 2024 年才向外部客戶(hu)發貨。3GAE，第一個全環繞 (GAA) 節(jie)點，一直在(zai)默默地推(tui)遲，甚至可能被取消。據稱良率極低。對于(yu)任何(he)認為三星(xing)可以因為臺積電(dian)的 N3 問(wen)(wen)題(ti)和 N2 于(yu) 2025 年底開始生產趕上臺積電(dian)的人，你將大錯特錯了。
三(san)星(xing)失誤(wu)并失去了他(ta)(ta)們最大(da)的(de)(de)代工客戶(hu)高通和(he)他(ta)(ta)們的(de)(de)第二大(da)代工客戶(hu)英偉達。
不過，三(san)星 LSI 并非完全混(hun)亂。他們通過設(she)計精(jing)良、價(jia)格(ge)合理的高效(xiao)芯片在 5G 基礎設(she)施市場獲得(de)份(fen)額。他們還在現(xian)代(dai)和大(da)眾(zhong)等信息娛樂系統中贏得(de)了(le)許多汽車領域的勝利。S.LSI 似乎很適合與客戶密切合作(zuo)(zuo)，例如在Tensor 智(zhi)能(neng)手機(ji) SOC 上與 Google 合作(zuo)(zuo)。盡管取得(de)了(le)成功(gong)，但 S.LSI 似乎每一(yi)次機(ji)會都受(shou)挫，因為(wei)三(san)星 Foundry 似乎已(yi)經(jing)讓他們失去(qu)了(le)下(xia)一(yi)代(dai)Cisco Silicon One 網絡 ASIC 的合同，而這已(yi)經(jing)輸(shu)給(gei)了(le)英特爾！
LSI 多年(nian)(nian)來一直與特(te)(te)斯(si)拉(la)在(zai)自動駕(jia)駛/ADAS HW 3.0 方面密切合作。這是特(te)(te)斯(si)拉(la)在(zai)三星的(de)(de)協助下共同(tong)設計(ji)(ji)的(de)(de)芯片(pian)，雙方都為最終的(de)(de)芯片(pian)設計(ji)(ji)貢(gong)獻了(le)有意義的(de)(de) IP。這種(zhong)芯片(pian)設計(ji)(ji)已(yi)向(xiang)特(te)(te)斯(si)拉(la)的(de)(de)車輛(liang)運送了(le)數(shu)百萬個單元。HW 4.0 原定(ding)于(yu)去年(nian)(nian)年(nian)(nian)底投(tou)產(chan)，但似乎推遲到了(le)今年(nian)(nian)。除了(le)安(an)霸，特(te)(te)斯(si)拉(la)是 S.LSI/Foundry 唯一的(de)(de)主要外部(bu)客戶。
LSI 最近還犯(fan)了(le)其他(ta)(ta)(ta)錯誤，例如(ru)在(zai)圖(tu)像(xiang)傳感(gan)(gan)器(qi)市場。他(ta)(ta)(ta)們(men)(men)(men)的(de)(de) ISOCELL 智(zhi)能(neng)手機傳感(gan)(gan)器(qi)采用混合粘合的(de)(de)速度很慢，這(zhe)與自 2017 年(nian)以(yi)來一直在(zai)批量(liang)出貨的(de)(de)索尼不(bu)同。此(ci)外，他(ta)(ta)(ta)們(men)(men)(men)未(wei)能(neng)在(zai)選擇在(zai)高(gao)端使用索尼和在(zai) Omnivision 上(shang)使用的(de)(de)中(zhong)國智(zhi)能(neng)手機制造商(shang)中(zhong)獲(huo)得份額。獨立(li)(li)的(de)(de)攝(she)像(xiang)頭傳感(gan)(gan)器(qi)和攝(she)像(xiang)頭屬于他(ta)(ta)(ta)們(men)(men)(men)自己的(de)(de)部門，稱為三(san)星(xing) NX，但此(ci)后(hou)也被淘汰了(le)，即使在(zai)三(san)星(xing)對獨立(li)(li)攝(she)像(xiang)頭進行了(le)數十年(nian)的(de)(de)投資(zi)之(zhi)后(hou)也是如(ru)此(ci)。
三星 DRAM 災難
三(san)星電子的搖錢樹(shu)三(san)星DRAM也(ye)并(bing)非一帆風順。5年前(qian)，三(san)星在(zai)(zai)密度(du)、性能(neng)、成本結構上無(wu)疑要優于(yu)美光和SK海(hai)力士。在(zai)(zai)那些日(ri)子里，一些估計將它們提前(qian)一年半。現在(zai)(zai)，盡管與這兩(liang)個(ge)同(tong)行相比，三(san)星的數量要大得多(duo)，但在(zai)(zai)其中一些指標上，三(san)星可以說落后于(yu)美光和 SK 海(hai)力士。三(san)星出于(yu)文化問題而在(zai)(zai)工藝開(kai)發方面過于(yu)激進的行為是罪魁禍首。
簡(jian)要介紹一下，隨著電容器規模(mo)的(de)(de)(de)放(fang)緩，DRAM 密(mi)度和成本規模(mo)大幅放(fang)緩。1Xnm 一代是(shi)這種(zhong)大幅放(fang)緩的(de)(de)(de)第一個跡(ji)象，但從那(nei)時起，每個節點(dian)的(de)(de)(de)成本擴(kuo)展只有 15% 左右。密(mi)度增長是(shi)如此不溫不火，以至于 DRAM 制造商(shang)已經轉向使(shi)用字(zi)母(mu)作為(wei)后(hou)綴，而不是(shi)像(xiang) 20nm 之(zhi)前的(de)(de)(de)一代那(nei)樣使(shi)用數字(zi)。相對于成本、功耗和性能方(fang)面(mian)的(de)(de)(de)競(jing)爭，三星在 1Y 代時遙遙領先。
這(zhe)(zhe)一(yi)切都隨著 1Z 代而(er)(er)改變。三(san)星決(jue)定在(zai) EUV 采用上非常積極。這(zhe)(zhe)是一(yi)個自(zi)(zi)上而(er)(er)下的決(jue)定，而(er)(er)不是工(gong)程(cheng)。這(zhe)(zhe)些自(zi)(zi)上而(er)(er)下的決(jue)定在(zai)三(san)星電子中非常普遍，它們是我(wo)們一(yi)直指出的文化問題的結(jie)果。對于(yu) 1Z，三(san)星宣(xuan)布他們將采用 EUV。這(zhe)(zhe)是在(zai)大肆宣(xuan)傳(chuan)和媒(mei)體的情況(kuang)下完成的。三(san)星為這(zhe)(zhe)一(yi)“成就”感到無比自(zi)(zi)豪(hao)。
三(san)(san)星(xing)(xing)通過(guo)吸(xi)收約 50% 的(de)(de) EUV 工具(ju)主導了 EUV 的(de)(de)早期出貨(huo)量(liang)。三(san)(san)星(xing)(xing)試(shi)圖將其插入 DRAM 以及他(ta)們早期的(de)(de) 7nm 邏輯(ji)嘗試(shi)失敗。1Z DRAM 節(jie)點(dian)從未(wei)完(wan)全加(jia)速(su)。這一(yi)趨勢在(zai)下(xia)一(yi)代 1 Alpha 節(jie)點(dian)中繼(ji)續存(cun)在(zai)，進一(yi)步提高了 EUV 的(de)(de)利(li)用率(lv)。據報道(dao)，該節(jie)點(dian)的(de)(de)開(kai)發時(shi)間更長。雖(sui)然三(san)(san)星(xing)(xing)聲稱 1 Alpha 已(yi)(yi)經(jing)(jing)量(liang)產了很(hen)長一(yi)段時(shi)間，但它(ta)仍然沒有顯著增加(jia)。與此同時(shi)，SK 海力士和美(mei)光已(yi)(yi)經(jing)(jing)能夠(gou)在(zai)成(cheng)本、性能和功(gong)率(lv)方(fang)面趕上他(ta)們的(de)(de) 1Z 代，它(ta)們沒有使用 EUV。
此外，在(zai) 1 Alpha 代(dai)中(zhong)，美(mei)光僅繼續推動 DUV，而(er) SK 海力士已(yi)開(kai)始插入 EUV。因此，美(mei)光已(yi)經(jing)在(zai)加速 1 Alpha，而(er) SK 海力士和(he)(he)三星(xing)的銷量增長卻相當不溫不火(huo)。SemiAnalysis 估(gu)計，美(mei)光目前在(zai) DRAM 方面具有成(cheng)本優(you)勢，因為能夠將其(qi)所(suo)有產(chan)能轉移到 1 Alpha 代(dai)，并在(zai)其(qi)整個陣容中(zhong)實現最佳密度和(he)(he)成(cheng)本。
三(san)星和 SK Hynix仍然(ran)在交付使用非EUV 1Y工藝(yi)的第一代(dai)(dai)DDR5，而(er)美(mei)光正在領先競(jing)爭，并為(wei)第一代(dai)(dai) DDR5 交付他們的 1Z 代(dai)(dai)工藝(yi)。此外，美(mei)光正在快速(su)跟進第 1 代(dai)(dai) Alpha 工藝(yi)節點(dian)上(shang)的第 2 代(dai)(dai) DDR5。需要明確的是，EUV 并不是唯一的罪魁(kui)禍首，但它(ta)是最大(da)的技術差異之一。
這對三星來說是最壞的(de)情(qing)況。他們無法(fa)提升 1Z。他們一(yi)直(zhi)(zhi)無法(fa)升級 1 Alpha，現(xian)在有(you)報(bao)道(dao)稱他們已經(jing)取(qu)消(xiao)了(le)下(xia)一(yi)代 1 Beta 流程(cheng)節(jie)(jie)點(dian)的(de)開發！其(qi)他人報(bao)告說，三星通過直(zhi)(zhi)接推向(xiang) 1 Gamma 節(jie)(jie)點(dian)。這個取(qu)消(xiao)報(bao)告具有(you)很高的(de)可信度，因為(wei)它基于(yu)(yu)三星一(yi)位(wei)心懷不滿的(de)工程(cheng)師(shi)。他甚至(zhi)發布了(le)一(yi)個關于(yu)(yu)這個話(hua)題的(de)博客！
該(gai)工(gong)程師已被證實是(shi)三星(xing) DRAM 技術開發團(tuan)隊的(de)一(yi)(yi)員。他寫了一(yi)(yi)封信給三星(xing)電(dian)子的(de)兩位負(fu)責人(ren)李在镕和(he)首席執行(xing)官Kye Hyun Kyung，描述了失敗和(he)問題(ti)。該(gai)博客已被撤下，但韓國(guo)媒(mei)體從(cong)中(zhong)捕捉到了一(yi)(yi)些相當令人(ren)擔(dan)憂的(de)引述。
“我聽過不少關于“危機”的故事，但我認為這一刻比以往任何時候都更加危險。在接連發生的事件中，最高決策者似乎無法抓住問題的根本原因。”三星 DRAM 技術開發工程師寫道。
我們鼓勵您檢查一下，以(yi)真正掌握情況(kuang)的(de)(de)嚴重(zhong)性。對(dui)于對(dui)自己的(de)(de)工(gong)(gong)作(zuo)充滿熱情的(de)(de) 4 年終(zhong)身工(gong)(gong)程師來說，如此(ci)肆無忌憚地(di)抨(peng)擊是一個巨大(da)的(de)(de)危險信(xin)號(hao)。由(you)于韓國工(gong)(gong)作(zuo)文(wen)化定義明(ming)確(que)的(de)(de)等級方式，因(yin)此(ci)更(geng)是如此(ci)。上個月，我們還看到少(shao)數三星 DRAM 技術開發人員轉(zhuan)移到 SK 海力士。這超過了正常的(de)(de)減員率。
文化問題極大(da)地震撼了(le)(le)三(san)(san)星。盡(jin)管(guan)三(san)(san)星電子的許多(duo)部分仍然(ran)是運轉良好的執行機(ji)器，例如(ru)三(san)(san)星顯示器、NAND、汽車和網絡(luo)，但最(zui)(zui)重要的業(ye)務卻陷(xian)入了(le)(le)困境。這些(xie)文化問題最(zui)(zui)終導致三(san)(san)星失去了(le)(le)在(zai) DRAM 方面的技術和成(cheng)本優勢(shi)，在(zai)領先的工(gong)藝(yi)技術競賽中遠(yuan)遠(yuan)落后于臺(tai)積電，失去了(le)(le)最(zui)(zui)大(da)的代(dai)工(gong)客戶(hu)，并在(zai)智能手機(ji) SOC 設計方面輸給了(le)(le)高通和聯發(fa)科(ke)。
