據行業媒體semianalysis報道，三星電子，更確切地說是三星的各個半導體部門，都在火上澆油。在過去十年里，三星處于世界之巔。他們在晶圓代工業中的份額迅速增加。三星是代工領域中最快的多邏輯節點轉換。三星 LSI 設計團隊正在推出最好的移動芯片設計。蘋果完全依賴三星制(zhi)造所有關鍵部件(jian)。三星在生產成本方面領先(xian)于其他 DRAM 制(zhi)造商多年。
但現(xian)在，這些技(ji)術優(you)勢都在瓦解(jie)。
報道指出，三星(xing)(xing)電子的文化問題已經動搖了它的核心。三星(xing)(xing)在(zai)技術開(kai)發的各個(ge)方面(mian)都在(zai)下滑，包括他們在(zai)歷史(shi)上擊敗所(suo)有競爭對(dui)手的一個(ge)領域——DRAM。他們也不再生產前 3 名的移動 SOC，甚至聯發科(ke)也超(chao)過了它們。代工業務已將其兩個(ge)最大的客戶連(lian)續(xu)流(liu)向臺積電。
有報道(dao)甚至(zhi)(zhi)指(zhi)出，稱(cheng)三(san)星代工廠存在謊言和欺騙行為(wei)。甚至(zhi)(zhi)英特爾剛剛起步的新代工業務也能夠從三(san)星代工那里吸引(yin)一兩個客(ke)戶！
本(ben)文將報道韓(han)國媒(mei)體(ti)報道的(de)(de)(de)許多(duo)癥狀以及我們自己(ji)對(dui)該主(zhu)題的(de)(de)(de)一(yi)(yi)些(xie)研究。需要明確的(de)(de)(de)是(shi)，韓(han)國媒(mei)體(ti)的(de)(de)(de)一(yi)(yi)些(xie)細節未(wei)經證實，但總(zong)體(ti)問題是(shi)顯而(er)易見(jian)的(de)(de)(de)。
三(san)星(xing)電子顯然(ran)有問(wen)題。這些問(wen)題直接源于三(san)星(xing)的文化構成。在深入細節之前，我們認(ren)為總(zong)體趨勢是這些問(wen)題多年來(lai)一直在冒泡，但已經(jing)達到沸點。
首先，讓我(wo)(wo)們(men)(men)先從這個故事中最溫和的部分(fen)開始，然后再(zai)進入最該(gai)死(si)的部分(fen)。三星有一項名為“Game Optimizing Service”的服務，它(ta)限制了(le)大(da)多數(shu)應(ying)用(yong)程(cheng)序，除了(le)常見(jian)的基準(zhun)測試(shi)(shi)，甚至包括 Netflix 和 Instagram 等非游戲應(ying)用(yong)程(cheng)序。誠然，我(wo)(wo)們(men)(men)并沒有對此感到憤怒(nu)，因為 Android OEM在(zai)基準(zhun)測試(shi)(shi)應(ying)用(yong)程(cheng)序上作弊的歷史(shi)由(you)來已(yi)久。由(you)于他們(men)(men)的行為，三星正面臨集(ji)體(ti)訴訟。
三星(xing)(xing)為(wei)什(shen)(shen)么要發起(qi)這項“Game Optimizing Service”？那(nei)當然是為(wei)了控制熱量和(he)功耗，因(yin)為(wei)過去幾代產品的熱量和(he)功耗一(yi)直很感人。歸根到(dao)(dao)底是因(yin)為(wei)節點問題已經在(zai)三星(xing)(xing)出現。追溯到(dao)(dao)幾年前，三星(xing)(xing)的內部 CPU設(she)計(ji)曾因(yin)領(ling)導(dao)不力(li)而(er)失敗(bai)。三星(xing)(xing)也曾有一(yi)個(ge)GPU 團隊，但最后解散了。這兩個(ge)例子說明為(wei)什(shen)(shen)么開發自己的芯片比看起(qi)來要困難(nan)得多。設(she)計(ji)公司和(he)工(gong)廠的文化對(dui)于成(cheng)功至關重要。這些天(tian)才工(gong)程(cheng)師需要正確(que)的動(dong)機、方向和(he)領(ling)導(dao)力(li)。
在(zai)內部 GPU 架(jia)構失敗后，三星的(de)許多粉(fen)絲(si)都對轉向采用 AMD 基于 RDNA 的(de) GPU IP 感到興奮(fen)。這(zhe)種興奮(fen)是(shi)非常短暫(zan)的(de)。當前一代Exynos 2200確(que)實引起(qi)了與代工和工藝節點相關的(de)問題。其每(mei)瓦(wa)性(xing)能非常糟糕(gao)。基于 RDNA 的(de) GPU 的(de)性(xing)能和功(gong)耗并不是(shi)這(zhe)款 SOC 的(de)唯(wei)一問題。
三星最初(chu)計劃在全球范圍內更(geng)廣泛地推出 Exynos 芯片。一些分(fen)析(xi)師和行業出版物甚至預計 Galaxy S22 系列(lie)總銷量(liang)的 60% 將基(ji)于(yu) Exynos 2200，40% 將基(ji)于(yu) Qualcomm S8G1。最后，這被證明(ming)是(shi)無效的，Exynos 的實際占比最終(zhong)不到(dao) 25%。雖然(ran)我們認(ren)為該計劃不會提高到(dao) 60%，但我們確實聽說三星希(xi)望(wang)將 Exynos 處理器的份(fen)額提高到(dao) 40%。數量(liang)的不足(zu)主要是(shi)由于(yu)業績和產量(liang)。
據(ju)報道，三星的(de) Exynos 2200 的(de)產量極低(di)。這(zhe)部分(fen)是(shi)由于他們使(shi)用了 4LPE 節點(dian)(dian)。該節點(dian)(dian)在三星的(de) 7/5nm 系(xi)列(lie)上進行了創新(xin)，提供(gong) 198nm UHD 單元(yuan)高度，而之(zhi)前的(de)節點(dian)(dian)具有 218nm UHD 單元(yuan)高度。據(ju)傳該節點(dian)(dian)的(de)良率低(di)至(zhi) 20%。這(zhe)些(xie)看起來太低(di)了，但我們聽說parametric yields是(shi)可怕的(de)，即(ji)使(shi)catastrophic yields 很(hen)好。另一位消息人士告訴我們，最終出貨(huo)的(de)芯片具有更高的(de)功(gong)耗(hao)和更低(di)的(de)性(xing)能目標，導致大約 80% 的(de)parametric yields 。無論如何，有傳言稱高管之(zhi)間達成了協議即(ji)使(shi)它沒有經濟或功(gong)率/性(xing)能意義，也可以運送最新(xin)的(de)節點(dian)(dian)。
在這(zhe)(zhe)里，我們(men)需要解(jie)析一些名詞，所謂catastrophic yield 損(sun)失是指晶體管(guan)、通孔或金屬層部分根本不起作用。Parametric yield是指在這(zhe)(zhe)些功能(neng)起作用時(shi)，參(can)(can)數良率(lv)損(sun)失，但問題是它是否達(da)到(dao)了您的(de)(de)(de)性能(neng)、功率(lv)、電壓等目標。由于 Exynos 2200 的(de)(de)(de)參(can)(can)數良率(lv)如此之低，芯(xin)片(pian)的(de)(de)(de)目標必須調低。事實(shi)上，有傳言稱三星將(jiang) GPU 的(de)(de)(de)時(shi)鐘(zhong)頻率(lv)從計劃的(de)(de)(de)1.69GHz 降低到(dao) 1.49GHz，最終降低到(dao) 1.29GHz。
出現這些問題，并不僅(jin)僅(jin)歸咎(jiu)于(yu)代(dai)工廠和 SOC 團隊(dui)錯過了他(ta)們的技術目(mu)標(biao)。但據稱(cheng)，這些不同(tong)的單位正在互(hu)相指責。三(san)星 LSI（設計）歸咎(jiu)于(yu)三(san)星 Foundry，而三(san)星移動(dong)則歸咎(jiu)于(yu) S.LSI。
三(san)星 LSI 高管(guan)甚(shen)至似乎將責任歸(gui)咎(jiu)于(yu)韓國勞(lao)動法(fa)的(de)變(bian)化。與(yu)其在(zai)(zai)關鍵時(shi)間和讓工(gong)程師做荒謬的(de)工(gong)作，不如(ru)將員(yuan)工(gong)每周(zhou)最多限制在(zai)(zai) 52 小時(shi)。雖然(ran)我們聽說(shuo)這并沒(mei)有得到完(wan)全遵守，但它(ta)減(jian)少了許(xu)多三(san)星工(gong)程師的(de)過度(du)工(gong)作。三(san)星的(de)抵制如(ru)此強烈(lie)，以至于(yu)甚(shen)至有人推動立法(fa)放松(song)這些勞(lao)動法(fa)。
三星半導(dao)體的文化(hua)已經變得如此有毒，以(yi)至(zhi)(zhi)于該代工廠甚至(zhi)(zhi)據稱在(zai)產量上撒謊。
韓國媒(mei)體報(bao)(bao)道稱，三星(xing)(xing)正在針對上(shang)述(shu)問(wen)題進行管(guan)理審查和(he)審計(ji)。這次(ci)審查的(de)結果很可能是管(guan)理層和(he)團隊的(de)改(gai)組，類似于(yu)去年(nian)無線部(bu)門的(de)重組。后來的(de)謊(huang)言報(bao)(bao)道甚至(zhi)更深入(ru)地聲稱三星(xing)(xing)代工廠在 5nm、4nm 和(he) 3nm 良(liang)率上(shang)向(xiang)客戶和(he)三星(xing)(xing)董事(shi)長撒謊(huang)。鑒于(yu)韓國有不少媒(mei)體在報(bao)(bao)道這個事(shi)，也有不少當地專家參(can)與進來，這些各種報(bao)(bao)道似乎(hu)相當可信(xin)。
我們(men)可以肯定的是(shi)，高通對三星很生(sheng)氣(qi)。
根據(ju) TechInsights的(de)說(shuo)法，高通(tong)使用了三(san)星 5nm 節(jie)點的(de)變(bian)體(ti)，它(ta)被稱為 4LPX，而不是(shi)像(xiang) Exynos 2200 這(zhe)樣更密集的(de) 4LPE 節(jie)點。多(duo)個消息來源(yuan)還(huan)告訴我們(men)，S888 和 S8G1 處理器的(de)Parametric yield非(fei)常差，導致高通(tong)需(xu)要將這(zhe)些 SOC 推(tui)到(dao)更高的(de)功率水平以(yi)實現某些性能(neng)目標。
雖然報(bao)道的(de)(de)高通(tong) S8G1 的(de)(de)良(liang)率(lv)不如 Exynos 2200 低，但也遠(yuan)遠(yuan)不夠。作(zuo)為旁注(zhu)，這(zhe)(zhe)對高通(tong)（和(he)英偉達）來(lai)說效果很(hen)好。我們(men)被告(gao)知(zhi)這(zhe)(zhe)兩個(ge)(ge)客戶(hu)已經協商支付每個(ge)(ge)成品芯片而(er)不是每個(ge)(ge)晶圓制造的(de)(de)費用(yong)。
由于(yu) S765G、S780G、S888 和 S8G1 的(de)(de)問題，高通(tong)(tong)決(jue)定完(wan)全(quan)放棄三星代工的(de)(de)高端 SOC。高通(tong)(tong)甚(shen)至(zhi)有專門的(de)(de)團隊日以繼(ji)夜地基于(yu)臺積電的(de)(de) N4 工藝節點(dian)為S8G1+的(de)(de)生(sheng)產做準備 。在(zai)(zai)可預見的(de)(de)未來，S8G2 和未來的(de)(de)高端高通(tong)(tong)芯片將(jiang)在(zai)(zai)臺積電上架。盡(jin)管近幾個月智(zhi)(zhi)能(neng)手機市場放緩，但由于(yu)與(yu)高通(tong)(tong)的(de)(de)份額轉移和持(chi)續的(de)(de)內容增長，臺積電今年(nian)(nian)和明年(nian)(nian)仍能(neng)保持(chi)智(zhi)(zhi)能(neng)手機領域的(de)(de)增長。
三(san)星(xing)移動(dong)一直在競相尋(xun)找替(ti)代方案，而 S.LSI 部(bu)門在智(zhi)能手(shou)(shou)(shou)機 SOC 上苦苦掙扎。韓(han)國謠言(yan)甚至稱三(san)星(xing)已轉向評(ping)估(gu) Galaxy A 系列(lie)陣容(rong)的聯(lian)發科(ke)天(tian)璣陣容(rong)。三(san)星(xing)移動(dong)總(zong)裁 TM Roh 博士(shi)曾表示，有一種新的應(ying)用處理器(qi)僅適用于 Galaxy 手(shou)(shou)(shou)機。這很奇怪，因為大多數(shu) S.LSI Exynos SOC 雖然(ran)是外部(bu)提供的，但基本上是三(san)星(xing) Galaxy 智(zhi)能手(shou)(shou)(shou)機獨(du)有的。這表明三(san)星(xing)移動(dong)和(he) S.LSI 之間存在更多的內訌和(he)戲劇性(xing)。
三星(xing)(xing)代工問題(ti)更深層次。正如我們去年(nian)報道的那(nei)樣，他(ta)們的 3nm GAP 節(jie)點的代工產品甚至直到 2024 年(nian)才向外部客戶發貨。3GAE，第一個(ge)全環繞 (GAA) 節(jie)點，一直在默(mo)默(mo)地推遲，甚至可(ke)能被取(qu)消。據稱良(liang)率極低。對于(yu)任何認為三星(xing)(xing)可(ke)以因(yin)為臺(tai)積(ji)電的 N3 問題(ti)和 N2 于(yu) 2025 年(nian)底(di)開始生產趕上臺(tai)積(ji)電的人，你將大錯特錯了。
三(san)星失誤并失去了他們最大的代(dai)(dai)工客戶(hu)高通和(he)他們的第二(er)大代(dai)(dai)工客戶(hu)英偉達。
不過，三(san)星 LSI 并(bing)非完(wan)全混亂(luan)。他(ta)(ta)們通過設(she)計精良、價格合(he)(he)理的(de)高效(xiao)芯片在(zai) 5G 基礎設(she)施市場獲(huo)得份額(e)。他(ta)(ta)們還在(zai)現代和大眾(zhong)等信息娛(yu)樂(le)系統中贏得了(le)許(xu)多汽車領域(yu)的(de)勝利。S.LSI 似乎很(hen)適合(he)(he)與客戶密切合(he)(he)作，例如在(zai)Tensor 智能手機 SOC 上與 Google 合(he)(he)作。盡(jin)管取得了(le)成功，但 S.LSI 似乎每一次機會都受挫，因為三(san)星 Foundry 似乎已(yi)經讓他(ta)(ta)們失(shi)去了(le)下(xia)一代Cisco Silicon One 網絡 ASIC 的(de)合(he)(he)同，而這(zhe)已(yi)經輸給(gei)了(le)英(ying)特爾！
LSI 多年(nian)來(lai)一(yi)直(zhi)與特斯(si)(si)拉(la)在(zai)自動(dong)駕駛/ADAS HW 3.0 方面密切合(he)作。這是(shi)特斯(si)(si)拉(la)在(zai)三星的(de)(de)(de)協助(zhu)下共同(tong)設(she)計的(de)(de)(de)芯片，雙方都(dou)為(wei)最終的(de)(de)(de)芯片設(she)計貢(gong)獻了(le)(le)有意義的(de)(de)(de) IP。這種(zhong)芯片設(she)計已向(xiang)特斯(si)(si)拉(la)的(de)(de)(de)車(che)輛(liang)運送(song)了(le)(le)數百萬個單元。HW 4.0 原定(ding)于去年(nian)年(nian)底投產，但(dan)似乎推遲到了(le)(le)今年(nian)。除了(le)(le)安霸，特斯(si)(si)拉(la)是(shi) S.LSI/Foundry 唯一(yi)的(de)(de)(de)主(zhu)要(yao)外(wai)部客(ke)戶。
LSI 最(zui)近還(huan)犯了其他錯誤，例如在(zai)圖像(xiang)(xiang)傳(chuan)感器(qi)市場(chang)。他們的(de) ISOCELL 智能手機(ji)傳(chuan)感器(qi)采用(yong)(yong)混合粘合的(de)速度很慢，這與自 2017 年以來一(yi)直在(zai)批量出貨的(de)索尼不(bu)同(tong)。此(ci)外，他們未能在(zai)選擇(ze)在(zai)高端使(shi)用(yong)(yong)索尼和在(zai) Omnivision 上(shang)使(shi)用(yong)(yong)的(de)中國智能手機(ji)制造商中獲得份額。獨立(li)的(de)攝(she)像(xiang)(xiang)頭(tou)傳(chuan)感器(qi)和攝(she)像(xiang)(xiang)頭(tou)屬(shu)于他們自己的(de)部門，稱(cheng)為(wei)三星(xing) NX，但此(ci)后也(ye)被淘汰了，即使(shi)在(zai)三星(xing)對獨立(li)攝(she)像(xiang)(xiang)頭(tou)進行了數十年的(de)投(tou)資之后也(ye)是如此(ci)。
三星 DRAM 災難
三星(xing)電子的(de)搖錢樹三星(xing)DRAM也并非一(yi)帆風(feng)順。5年前(qian)，三星(xing)在(zai)密度、性(xing)能(neng)、成(cheng)本結構(gou)上(shang)無疑(yi)要優于美(mei)光(guang)和SK海(hai)力士。在(zai)那些日(ri)子里，一(yi)些估計將它們提前(qian)一(yi)年半。現在(zai)，盡(jin)管(guan)與這兩個同行相比，三星(xing)的(de)數量(liang)要大得(de)多(duo)，但在(zai)其中(zhong)一(yi)些指標上(shang)，三星(xing)可(ke)以說落后(hou)于美(mei)光(guang)和 SK 海(hai)力士。三星(xing)出于文化問題(ti)而在(zai)工藝開發方(fang)面過于激進(jin)的(de)行為是罪魁禍首。
簡要介紹一(yi)下(xia)，隨著電容器規模(mo)的放緩，DRAM 密度(du)和成(cheng)本(ben)規模(mo)大(da)幅(fu)放緩。1Xnm 一(yi)代是(shi)這種大(da)幅(fu)放緩的第一(yi)個跡象，但(dan)從那時(shi)起，每(mei)個節點的成(cheng)本(ben)擴(kuo)展只有 15% 左右(you)。密度(du)增長是(shi)如此不溫不火，以(yi)至于(yu) DRAM 制(zhi)造商(shang)已(yi)經轉向使用(yong)字(zi)母作為后綴，而(er)不是(shi)像 20nm 之前的一(yi)代那樣使用(yong)數字(zi)。相對于(yu)成(cheng)本(ben)、功耗(hao)和性能方面的競爭，三星在 1Y 代時(shi)遙遙領先。
這(zhe)(zhe)一(yi)(yi)切都隨著 1Z 代而改(gai)變。三(san)星(xing)(xing)決定在 EUV 采(cai)用上非常積極。這(zhe)(zhe)是(shi)(shi)(shi)(shi)一(yi)(yi)個(ge)自上而下的(de)(de)決定，而不(bu)是(shi)(shi)(shi)(shi)工程。這(zhe)(zhe)些自上而下的(de)(de)決定在三(san)星(xing)(xing)電(dian)子中非常普遍，它們是(shi)(shi)(shi)(shi)我們一(yi)(yi)直指出的(de)(de)文化問題的(de)(de)結果。對于 1Z，三(san)星(xing)(xing)宣布他們將采(cai)用 EUV。這(zhe)(zhe)是(shi)(shi)(shi)(shi)在大(da)肆宣傳(chuan)和媒體(ti)的(de)(de)情(qing)況下完成(cheng)的(de)(de)。三(san)星(xing)(xing)為這(zhe)(zhe)一(yi)(yi)“成(cheng)就”感到(dao)無比自豪。
三(san)星通(tong)過吸收約 50% 的 EUV 工(gong)具(ju)主(zhu)導了 EUV 的早期出貨量(liang)。三(san)星試(shi)(shi)圖(tu)將(jiang)其插入 DRAM 以及他們(men)早期的 7nm 邏(luo)輯嘗試(shi)(shi)失敗。1Z DRAM 節點從(cong)未完全加速。這一趨勢在下一代 1 Alpha 節點中繼續存(cun)在，進一步提高了 EUV 的利用率。據報道，該節點的開發(fa)時(shi)間更長。雖然三(san)星聲稱(cheng) 1 Alpha 已(yi)經(jing)量(liang)產了很長一段時(shi)間，但(dan)它(ta)仍然沒有顯著增(zeng)加。與此同時(shi)，SK 海(hai)力士和(he)美光已(yi)經(jing)能(neng)(neng)夠在成本、性能(neng)(neng)和(he)功率方面趕(gan)上他們(men)的 1Z 代，它(ta)們(men)沒有使用 EUV。
此外，在(zai)(zai) 1 Alpha 代中，美光(guang)僅(jin)繼續推動(dong) DUV，而(er) SK 海力士已開始插入(ru) EUV。因此，美光(guang)已經在(zai)(zai)加速 1 Alpha，而(er) SK 海力士和三星(xing)的銷(xiao)量增長(chang)卻相(xiang)當不溫不火。SemiAnalysis 估計(ji)，美光(guang)目(mu)前在(zai)(zai) DRAM 方面具有成本(ben)優勢，因為能夠將其所有產能轉移(yi)到 1 Alpha 代，并在(zai)(zai)其整(zheng)個陣(zhen)容(rong)中實現最佳密度和成本(ben)。
三星(xing)和 SK Hynix仍然在交(jiao)付(fu)(fu)使用非(fei)EUV 1Y工(gong)藝的(de)(de)第(di)(di)(di)一(yi)(yi)代DDR5，而美(mei)光正(zheng)在領(ling)先競(jing)爭，并(bing)(bing)為第(di)(di)(di)一(yi)(yi)代 DDR5 交(jiao)付(fu)(fu)他們的(de)(de) 1Z 代工(gong)藝。此外，美(mei)光正(zheng)在快(kuai)速跟進第(di)(di)(di) 1 代 Alpha 工(gong)藝節(jie)點上的(de)(de)第(di)(di)(di) 2 代 DDR5。需要(yao)明(ming)確的(de)(de)是，EUV 并(bing)(bing)不(bu)是唯一(yi)(yi)的(de)(de)罪魁禍首，但它是最(zui)大的(de)(de)技術(shu)差異之一(yi)(yi)。
這(zhe)對(dui)三星來說是最壞(huai)的(de)情況。他(ta)們(men)無法提升 1Z。他(ta)們(men)一(yi)直無法升級(ji) 1 Alpha，現在有報道稱他(ta)們(men)已經取消了(le)下一(yi)代(dai) 1 Beta 流程節(jie)點的(de)開發(fa)！其(qi)他(ta)人報告(gao)說，三星通過直接推向 1 Gamma 節(jie)點。這(zhe)個取消報告(gao)具(ju)有很高的(de)可信(xin)度，因為(wei)它(ta)基(ji)于三星一(yi)位心懷不滿的(de)工程師。他(ta)甚至發(fa)布了(le)一(yi)個關于這(zhe)個話題的(de)博客！
該工程師已被(bei)證實是三星(xing) DRAM 技術開發(fa)團隊的一員。他寫了(le)一封信給三星(xing)電(dian)子的兩(liang)位(wei)負責(ze)人李在镕和首(shou)席執行官Kye Hyun Kyung，描述了(le)失敗和問題(ti)。該博客已被(bei)撤下，但韓(han)國媒體(ti)從中捕捉到了(le)一些相當令人擔(dan)憂的引述。
“我聽過不少關于“危機”的故事，但我認為這一刻比以往任何時候都更加危險。在接連發生的事件中，最高決策者似乎無法抓住問題的根本原因。”三星 DRAM 技術開發工程師寫道。
我們鼓勵(li)您(nin)檢查一(yi)下，以真正掌握(wo)情況的(de)(de)(de)嚴重(zhong)性(xing)。對于對自己的(de)(de)(de)工作充滿熱情的(de)(de)(de) 4 年終身工程師來說(shuo)，如此(ci)肆無忌憚(dan)地抨擊是一(yi)個巨大的(de)(de)(de)危險信號。由(you)于韓國(guo)工作文(wen)化定義明確的(de)(de)(de)等級方式(shi)，因此(ci)更是如此(ci)。上個月，我們還看到(dao)少數三星(xing) DRAM 技(ji)術開發(fa)人員(yuan)轉移(yi)到(dao) SK 海力(li)士。這超過(guo)了正常的(de)(de)(de)減員(yuan)率。
文化問(wen)題(ti)(ti)極大(da)地(di)震撼了(le)三星(xing)。盡管(guan)三星(xing)電(dian)子的(de)許多部(bu)分仍然(ran)是運(yun)轉良好的(de)執行(xing)機(ji)器，例如三星(xing)顯示器、NAND、汽(qi)車和網絡，但最(zui)重要的(de)業務卻陷(xian)入了(le)困境。這些文化問(wen)題(ti)(ti)最(zui)終導致三星(xing)失(shi)去(qu)了(le)在 DRAM 方(fang)面(mian)的(de)技術(shu)和成本優(you)勢，在領先的(de)工藝(yi)技術(shu)競賽(sai)中遠(yuan)遠(yuan)落后于臺積電(dian)，失(shi)去(qu)了(le)最(zui)大(da)的(de)代工客戶，并在智(zhi)能手機(ji) SOC 設計方(fang)面(mian)輸給(gei)了(le)高通和聯發科。
