根據最新傳言，芯片設計者英特爾公司的18A半導體制造技術計劃提前投入使用。該公司目前正在花費巨資，以恢復和擴大其芯片制(zhi)造(zao)(zao)。這是英特爾(er)首(shou)席執行官帕特里克格(ge)(ge)辛格(ge)(ge)先生(sheng)去年宣布的戰(zhan)略的一部分，該公司計(ji)劃通過該戰(zhan)略向市場推出新的制(zhi)造(zao)(zao)技術，并(bing)擴大生(sheng)產，也允許其(qi)他公司向英特爾(er)提交他們的設計(ji)進行制(zhi)造(zao)(zao)。
作為這(zhe)一戰略(lve)的(de)(de)(de)一部分，該芯片制(zhi)(zhi)造(zao)商(shang)的(de)(de)(de)目標是每年(nian)推出一項新的(de)(de)(de)制(zhi)(zhi)造(zao)技術，其英(ying)特爾4技術預計將在(zai)今年(nian)晚些時(shi)候(hou)進入工廠車間。然而，半(ban)導(dao)體制(zhi)(zhi)造(zao)市場的(de)(de)(de)競(jing)爭(zheng)非常激烈(lie)，英(ying)特爾的(de)(de)(de)主要競(jing)爭(zheng)對手臺灣半(ban)導(dao)體制(zhi)(zhi)造(zao)公司（TSMC）已經(jing)制(zhi)(zhi)定了(le)若干(gan)先進工藝技術的(de)(de)(de)計劃，最終達到2nm半(ban)導(dao)體制(zhi)(zhi)造(zao)節點。
今天的(de)傳言稱，英特(te)爾(er)(er)對臺(tai)積電(dian)2nm技(ji)(ji)術的(de)回應，即(ji)英特(te)爾(er)(er)18A節點，據稱準備(bei)提前投產。它(ta)援引行業內的(de)消息來源稱，這項技(ji)(ji)術將比預期提前進入生產。如果傳言成(cheng)真，英特(te)爾(er)(er)和臺(tai)積電(dian)在2nm生產方面將不相上下(xia)
英(ying)特爾的(de)技(ji)術(shu)路(lu)線(xian)圖是在去年7月公布的(de)，它(ta)概(gai)述了五(wu)種新的(de)制造技(ji)術(shu)。它(ta)還對(dui)這些(xie)技(ji)術(shu)進行了重新命名，以使其與臺(tai)積(ji)電提(ti)供的(de)產品保持一致。在重塑品牌之前，英(ying)特爾的(de)技(ji)術(shu)被認(ren)為是比(bi)臺(tai)灣公司提(ti)供的(de)技(ji)術(shu)更(geng)上一層樓。例如，在更(geng)名之前，當提(ti)及兩種工(gong)藝所打印的(de)晶(jing)體管(guan)的(de)關鍵(jian)尺寸(cun)時，臺(tai)積(ji)電的(de)7nm工(gong)藝節點被認(ren)為在理論(lun)上等同于英(ying)特爾的(de)10nm工(gong)藝，。
這家美國公司的(de)技(ji)術路線圖列出了新命名的(de)英特爾(er)(er)(er)10、英特爾(er)(er)(er)7、英特爾(er)(er)(er)4、英特爾(er)(er)(er)3、英特爾(er)(er)(er)20A和英特爾(er)(er)(er)18A制造工(gong)(gong)(gong)藝。在(zai)這些(xie)工(gong)(gong)(gong)藝中，18A是最(zui)先進的(de)工(gong)(gong)(gong)藝，當時英特爾(er)(er)(er)概述了這項技(ji)術將在(zai)2025年下半年投入生(sheng)產。
現在，根據EET-China和ITHome分享(xiang)的(de)(de)據稱來自業界(jie)的(de)(de)報告，18A節(jie)點，相當于1.8nm，將(jiang)在2024年(nian)下半年(nian)進入生產，比計(ji)劃提前6個多月。如果傳言最后(hou)成(cheng)真，那么當涉及到后(hou)者的(de)(de)可(ke)比2nm芯片制(zhi)造(zao)工藝時(shi)，英(ying)(ying)特爾(er)將(jiang)與臺積(ji)電并(bing)駕齊驅。臺積(ji)電首席執行官(guan)發(fa)言表(biao)明，該公司預計(ji)該技術將(jiang)在2025年(nian)進入大規模生產。這與英(ying)(ying)特爾(er)對(dui)18A節(jie)點的(de)(de)官(guan)方時(shi)間表(biao)相吻合(he)。
2020年出(chu)現的(de)傳言顯示，臺積電可(ke)能用(yong)于2nm的(de)多(duo)橋通道場(chang)效應（MBCFET）晶(jing)體(ti)管可(ke)以在(zai)(zai)2024年進入(ru)生(sheng)產。MBCFET晶(jing)體(ti)管通過給晶(jing)體(ti)管增加更多(duo)的(de)傳導區(qu)域，擴(kuo)大了(le)大多(duo)數公司目(mu)前(qian)使用(yong)的(de)FinFET設(she)計(ji)。然而(er)芯片(pian)制造(zao)(zao)商目(mu)前(qian)正(zheng)專(zhuan)注(zhu)于3nm制造(zao)(zao)工藝(yi)，三星晶(jing)圓廠(chang)和臺積電都(dou)在(zai)(zai)為大規模生(sheng)產而(er)努力。英特(te)(te)爾(er)的(de)英特(te)(te)爾(er)4工藝(yi)位于其競爭對(dui)手的(de)5nm和3nm節(jie)點之間(jian)，定于在(zai)(zai)今年下半年進入(ru)生(sheng)產。
