根據最新傳言，芯片設計者英特爾公司的18A半導體制造技術計劃提前投入使用。該公司目前正在花費巨資，以恢復和擴大其芯片制造。這(zhe)是英特(te)爾首席執行(xing)官帕特(te)里克格(ge)辛(xin)格(ge)先(xian)生去年宣布的戰略(lve)(lve)的一部分，該(gai)公司計劃(hua)通過該(gai)戰略(lve)(lve)向(xiang)市場推出新的制造技術(shu)，并擴大生產，也(ye)允許其他公司向(xiang)英特(te)爾提交他們的設計進行(xing)制造。
作為(wei)這一(yi)戰略的一(yi)部分，該芯片制(zhi)造(zao)商的目(mu)標是每年推出一(yi)項新的制(zhi)造(zao)技術(shu)，其英特爾4技術(shu)預計(ji)將在今年晚(wan)些時候進入(ru)工廠(chang)車間(jian)。然而，半(ban)(ban)導體(ti)制(zhi)造(zao)市場的競(jing)爭非(fei)常激烈(lie)，英特爾的主要競(jing)爭對(dui)手臺灣(wan)半(ban)(ban)導體(ti)制(zhi)造(zao)公司（TSMC）已(yi)經制(zhi)定了若(ruo)干先進工藝技術(shu)的計(ji)劃，最終(zhong)達(da)到2nm半(ban)(ban)導體(ti)制(zhi)造(zao)節(jie)點。
今天的(de)傳言稱(cheng)(cheng)，英(ying)特爾(er)(er)對臺積電(dian)2nm技術(shu)的(de)回(hui)應，即英(ying)特爾(er)(er)18A節點(dian)，據稱(cheng)(cheng)準(zhun)備提(ti)前(qian)投產(chan)。它(ta)援引行業內的(de)消息來源稱(cheng)(cheng)，這項技術(shu)將比預期提(ti)前(qian)進入(ru)生產(chan)。如果(guo)傳言成真(zhen)，英(ying)特爾(er)(er)和臺積電(dian)在2nm生產(chan)方面將不(bu)相上(shang)下
英(ying)特爾(er)的(de)(de)(de)技術路(lu)線(xian)圖是在(zai)(zai)去年7月公布的(de)(de)(de)，它(ta)概(gai)述了五種新的(de)(de)(de)制造技術。它(ta)還對這些技術進行了重(zhong)新命(ming)名(ming)，以使其與臺積(ji)電(dian)(dian)提(ti)供的(de)(de)(de)產品(pin)保(bao)持一致。在(zai)(zai)重(zhong)塑(su)品(pin)牌之(zhi)前，英(ying)特爾(er)的(de)(de)(de)技術被(bei)認為是比臺灣公司提(ti)供的(de)(de)(de)技術更上一層(ceng)樓(lou)。例如，在(zai)(zai)更名(ming)之(zhi)前，當(dang)提(ti)及兩種工(gong)藝(yi)所打(da)印的(de)(de)(de)晶體管的(de)(de)(de)關(guan)鍵尺寸時，臺積(ji)電(dian)(dian)的(de)(de)(de)7nm工(gong)藝(yi)節點被(bei)認為在(zai)(zai)理論上等同(tong)于英(ying)特爾(er)的(de)(de)(de)10nm工(gong)藝(yi)，。
這家美國公司的(de)(de)技術(shu)(shu)路線圖列出了(le)新命名的(de)(de)英(ying)特(te)爾(er)(er)10、英(ying)特(te)爾(er)(er)7、英(ying)特(te)爾(er)(er)4、英(ying)特(te)爾(er)(er)3、英(ying)特(te)爾(er)(er)20A和英(ying)特(te)爾(er)(er)18A制造工藝(yi)。在(zai)這些工藝(yi)中，18A是最先(xian)進的(de)(de)工藝(yi)，當時英(ying)特(te)爾(er)(er)概述(shu)了(le)這項技術(shu)(shu)將(jiang)在(zai)2025年(nian)下(xia)半年(nian)投入生(sheng)產。
現(xian)在，根據EET-China和ITHome分享的(de)(de)據稱來自(zi)業界(jie)的(de)(de)報告，18A節(jie)點，相當于(yu)1.8nm，將在2024年(nian)下(xia)半年(nian)進入生產，比計(ji)劃提前(qian)6個多(duo)月。如(ru)果(guo)傳言最后成真，那么當涉及(ji)到后者的(de)(de)可比2nm芯片(pian)制造工藝時，英(ying)特爾(er)將與臺積電并駕(jia)齊(qi)驅。臺積電首席執行官發(fa)言表明，該公司預計(ji)該技術將在2025年(nian)進入大規模生產。這與英(ying)特爾(er)對18A節(jie)點的(de)(de)官方時間表相吻合。
2020年(nian)(nian)(nian)出現的(de)(de)(de)傳言顯(xian)示，臺積(ji)電可能用于(yu)2nm的(de)(de)(de)多(duo)橋通道場效應（MBCFET）晶(jing)(jing)體(ti)管可以在2024年(nian)(nian)(nian)進(jin)入生(sheng)產(chan)。MBCFET晶(jing)(jing)體(ti)管通過給(gei)晶(jing)(jing)體(ti)管增加(jia)更(geng)多(duo)的(de)(de)(de)傳導區域，擴大(da)(da)了大(da)(da)多(duo)數公(gong)司(si)目(mu)前使(shi)用的(de)(de)(de)FinFET設(she)計。然而(er)芯片制造商目(mu)前正專注于(yu)3nm制造工(gong)藝(yi)，三(san)星晶(jing)(jing)圓廠和(he)臺積(ji)電都在為大(da)(da)規模生(sheng)產(chan)而(er)努力。英特爾(er)的(de)(de)(de)英特爾(er)4工(gong)藝(yi)位于(yu)其競爭對(dui)手的(de)(de)(de)5nm和(he)3nm節點之間，定于(yu)在今年(nian)(nian)(nian)下半年(nian)(nian)(nian)進(jin)入生(sheng)產(chan)。
