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4 月 12 日(ri)消(xiao)息，據(ju)臺《聯合報》報道，臺積電(dian)和三星(xing)在 3nm 制程的爭奪戰，始終吸(xi)引(yin)全球半導體(ti)產業的目光。

據調查，一度因開發時程延誤的臺積電 3nm 制程近(jin)期獲(huo)得重大突(tu)破，延誤曾導(dao)致蘋(pin)果新一代處(chu)理(li)器仍采用(yong) 5nm 加強版(ban) N4P。

報道稱，臺積電決定今年率先量產第二版 3nm 制程 N3B，將于今年 8 月于新竹 12 廠研發中心(xin)第八期工廠及南科 18 廠 P5 廠同步投片，正(zheng)式以(yi)鰭式場(chang)效晶體管（FinFET）架構(gou)，對(dui)決三星的環繞閘極（GAA）制程。

有消息稱，臺積電的(de) 3nm 制造工藝仍將(jiang)在(zai)今(jin)年晚些時候投入(ru)生(sheng)產。進入(ru)生(sheng)產的(de)變體被(bei)稱為“N3B”，Digitims 預(yu)計初始產量將(jiang)在(zai)每月 4 萬(wan)至 5 萬(wan)片之間。“N3B”之后，很快就會有一個(ge)被(bei)稱為“N3E”的(de)高級變體，預(yu)計將(jiang)在(zai) 2023 年投入(ru)生(sheng)產。