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據telecompaper網6月16日報道，LamResearch宣布，韓國芯片制造商SKHynix已選(xuan)擇Lam的創(chuang)新干(gan)式(shi)抗蝕(shi)劑制造技術作(zuo)為先進DRAM芯片(pian)生產中兩(liang)個關鍵工藝步驟的記錄開發工具(ju)。

干(gan)式抗(kang)蝕(shi)劑提(ti)高(gao)了(le)極紫外(EUV)光刻技(ji)術的(de)分辨率(lv)、生產(chan)力和良品率(lv)，這是(shi)一種用于半(ban)導體(ti)生產(chan)的(de)關鍵技(ji)術。Lam干(gan)式抗(kang)蝕(shi)劑產(chan)品組副(fu)總裁兼總經理RichardWise說：“Lam的(de)干(gan)式抗(kang)蝕(shi)技(ji)術改(gai)變了(le)芯片制造業游戲規則。通過(guo)在材料(liao)層面(mian)進行創(chuang)新(xin)解決了(le)EUV光刻技(ji)術的(de)最大(da)挑戰，為先進的(de)內(nei)存和邏輯實現了(le)具有(you)成(cheng)本(ben)效益的(de)擴展。“

全球第二大內存(cun)芯片制造商SKHynix打算使用Lam的(de)(de)干式抗蝕劑底層和干式開發工藝(yi)進行先進的(de)(de)DRAM圖案化制作。