據telecompaper網6月16日報道,LamResearch宣布,韓國芯片制造(zao)商(shang)SKHynix已選擇Lam的創新干式抗蝕劑制造(zao)技術作為先(xian)進DRAM芯片生產中兩(liang)個關(guan)鍵工(gong)藝(yi)步驟的記錄開發工(gong)具。
干(gan)式抗蝕(shi)劑提(ti)高(gao)了極紫外(wai)(EUV)光刻技(ji)術的(de)分辨(bian)率(lv)、生產力和良品(pin)(pin)率(lv),這是一(yi)種用于半導體(ti)生產的(de)關鍵技(ji)術。Lam干(gan)式抗蝕(shi)劑產品(pin)(pin)組副總裁兼總經理RichardWise說(shuo):“Lam的(de)干(gan)式抗蝕(shi)技(ji)術改變(bian)了芯片制(zhi)造業游(you)戲規則。通過在(zai)材料層(ceng)面進行創新解(jie)決了EUV光刻技(ji)術的(de)最大挑戰(zhan),為先(xian)進的(de)內存(cun)和邏輯實現了具(ju)有成本效益的(de)擴展。“
全球第(di)二(er)大(da)內存芯片制(zhi)(zhi)造商SKHynix打算使用Lam的干式抗蝕劑(ji)底層和干式開發工(gong)藝進行先進的DRAM圖案(an)化制(zhi)(zhi)作。