10月(yue)12日(ri)消息(xi)，今天美國(guo)(guo)針對中國(guo)(guo)大陸的半導(dao)(dao)體(ti)(ti)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)“設施(shi)”開發、生產或使用集(ji)成電路的限(xian)制(zhi)(zhi)(zhi)規則正式生效。這也(ye)意味著美系半導(dao)(dao)體(ti)(ti)設備(bei)廠商將無法繼續(xu)向中國(guo)(guo)大陸的半導(dao)(dao)體(ti)(ti)制(zhi)(zhi)(zhi)造(zao)商供應半導(dao)(dao)體(ti)(ti)設備(bei)、零部件及技術(shu)支持。
昨天的消息也(ye)顯(xian)示，美系(xi)設(she)備廠(chang)商在大(da)陸(lu)晶(jing)圓廠(chang)的駐場(chang)人員已經于10日(ri)開始(shi)陸(lu)續撤離。SK海力士等外資廠(chang)商在大(da)陸(lu)的晶(jing)圓廠(chang)也(ye)接(jie)到了(le)相關美系(xi)半導體設(she)備廠(chang)商的通知。
不過，據韓聯社今天的中午的報道稱，韓國存儲芯片大(da)廠SK海力士與三星電(dian)子已(yi)經于美(mei)國當地時間10月11日獲(huo)得了美(mei)國商(shang)務部的許(xu)可(ke)，兩家(jia)企業(ye)可(ke)以在未來1年內無需辦理任何額(e)外的手續即可(ke)獲(huo)得美(mei)系半導(dao)體設備的供(gong)應。因(yin)此，這(zhe)兩家(jia)存(cun)儲(chu)芯(xin)片廠商(shang)位(wei)于中國大(da)陸的晶圓廠的生(sheng)產都將不會受(shou)到禁令(ling)的影響(xiang)。
根據美(mei)(mei)國(guo)此前于(yu)當地(di)時間(jian)10月7日(ri)出臺的(de)新禁(jin)令，所(suo)有位于(yu)中國(guo)大陸芯片(pian)(pian)制造廠商，如果要(yao)采購16nm或(huo)14nm或(huo)以(yi)下(xia)(xia)非(fei)平面(mian)晶體管結構(gou)（即FinFET或(huo)GAAFET）的(de)邏(luo)輯芯片(pian)(pian)、18nm半(ban)(ban)間(jian)距或(huo)更小的(de)DRAM內存芯片(pian)(pian)、以(yi)及128層或(huo)以(yi)上NAND閃存芯片(pian)(pian)制造所(suo)需的(de)美(mei)(mei)系半(ban)(ban)導體設(she)備(bei)(bei)，都(dou)將被“直(zhi)接拒絕”，而在這個“閾值”以(yi)下(xia)(xia)的(de)設(she)備(bei)(bei)供應仍(reng)需要(yao)獲得美(mei)(mei)國(guo)的(de)許可。
對于三星、SK海力士、英特爾等在中國大陸設有晶圓廠的外(wai)資廠商，美國則表示“跨國公司擁有的半(ban)導體(ti)制造設施將根據具體(ti)情(qing)況決定”。
據(ju)悉，目(mu)前三星和SK海力士正在升級其位于中國大陸的晶圓廠，需(xu)要進口眾多的設備。
資料顯示，截止至2020年(nian)，SK海力士(shi)已累(lei)計在(zai)中國投資超(chao)過200億美元，在(zai)無錫擁有4000多(duo)名(ming)員工，并于(yu)2019年(nian)完成第二工廠C2F的(de)建(jian)設。隨著C2F項(xiang)目的(de)持續推(tui)進，無錫工廠將(jiang)承擔SK海力士(shi)DRAM存儲半(ban)導(dao)體生產總量將(jiang)近一半(ban)的(de)份(fen)額。
此外，在2020年10月20日，SK海力(li)士還以90億美元收(shou)購(gou)了(le)包(bao)括英特(te)(te)爾(er)大連(lian)NAND閃存(cun)(cun)工(gong)廠(chang)(chang)在內的(de)英特(te)(te)爾(er)NAND閃存(cun)(cun)業(ye)務。但是，英特(te)(te)爾(er)仍將(jiang)繼續保留其(qi)(qi)特(te)(te)有(you)的(de)傲騰業(ye)務。2021年12月22日，在獲得(de)中國政府審批后，SK海力(li)士正式完成了(le)對于英特(te)(te)爾(er)NAND閃存(cun)(cun)業(ye)務的(de)收(shou)購(gou)。不過(guo)目前，英特(te)(te)爾(er)大連(lian)廠(chang)(chang)尚未(wei)完全交(jiao)割。根據約定預計，雙方將(jiang)在 2025年3月份最終交(jiao)割時，SK 海力(li)士將(jiang)支付剩(sheng)余(yu)的(de)20億美元從英特(te)(te)爾(er)收(shou)購(gou)其(qi)(qi)余(yu)相(xiang)關(guan)(guan)資產(chan)，包(bao)括 NAND 閃存(cun)(cun)晶圓的(de)生(sheng)產(chan)及(ji)設計相(xiang)關(guan)(guan)的(de)知識產(chan)權、研發人員(yuan)(yuan)以及(ji)中國大連(lian)工(gong)廠(chang)(chang)的(de)員(yuan)(yuan)工(gong)。
今(jin)年5月16日，愛思開海力士·英特爾DMTM半導(dao)體(ti)（大連）有限公司非(fei)(fei)易失性存儲(chu)器項目在大連金普新(xin)區舉行開工(gong)儀式(shi)。該(gai)項目將(jiang)建設一座新(xin)的晶圓工(gong)廠，從事非(fei)(fei)易失性存儲(chu)器3D NAND芯片產(chan)品的生產(chan)。
另外，三(san)(san)(san)星(xing)也(ye)正(zheng)在持續推進西(xi)(xi)安(an)(an)高(gao)端3D NAND存(cun)(cun)儲(chu)(chu)芯(xin)片(pian)項(xiang)(xiang)目(mu)的(de)建設(she)。該項(xiang)(xiang)目(mu)分為三(san)(san)(san)期，一期項(xiang)(xiang)目(mu)總投(tou)資(zi)108億美元，2014年(nian)(nian)5月竣工(gong)投(tou)產(chan)(chan)，月產(chan)(chan)能13萬(wan)片(pian)；二期項(xiang)(xiang)目(mu)總投(tou)資(zi)150億美元，主(zhu)(zhu)要(yao)制(zhi)造(zao)閃(shan)存(cun)(cun)芯(xin)片(pian)。目(mu)前(qian)，二期第二階段項(xiang)(xiang)目(mu)已于2021年(nian)(nian)年(nian)(nian)中(zhong)建成投(tou)產(chan)(chan)。三(san)(san)(san)星(xing)西(xi)(xi)安(an)(an)一期、二期項(xiang)(xiang)目(mu)存(cun)(cun)儲(chu)(chu)芯(xin)片(pian)月產(chan)(chan)能各(ge)13萬(wan)片(pian)。三(san)(san)(san)星(xing)西(xi)(xi)安(an)(an)NAND存(cun)(cun)儲(chu)(chu)生產(chan)(chan)基地(di)產(chan)(chan)能占三(san)(san)(san)星(xing)全球NAND Flash整(zheng)體產(chan)(chan)能當中(zhong)的(de)占比高(gao)達40%。根(gen)據之前(qian)的(de)規劃，三(san)(san)(san)星(xing)還將(jiang)投(tou)資(zi)150億美元建設(she)西(xi)(xi)安(an)(an)三(san)(san)(san)期項(xiang)(xiang)目(mu)，主(zhu)(zhu)要(yao)制(zhi)造(zao)5G芯(xin)片(pian)和(he)汽車芯(xin)片(pian)。
正是因為SK海(hai)力士和三(san)星的(de)(de)(de)大陸工廠(chang)升級所(suo)需(xu)的(de)(de)(de)設(she)備(bei)較多，因此，每個案(an)件的(de)(de)(de)審(shen)批(pi)程序復雜，需(xu)要很長(chang)時(shi)間，因此，他(ta)們在(zai)與美國政府溝(gou)通后，一次性(xing)獲得(de)了(le)所(suo)需(xu)的(de)(de)(de)設(she)備(bei)進口綜合許可(ke)。這也使(shi)得(de)此前(qian)三(san)星和SK海(hai)力士疑慮的(de)(de)(de)，需(xu)要根(gen)據(ju)個案(an)逐案(an)審(shen)查，可(ke)能(neng)造成的(de)(de)(de)程序延遲等(deng)不確定性(xing)暫(zan)時(shi)得(de)到了(le)消(xiao)除。
SK hynix官方表(biao)示：“為了在中國(guo)(guo)大陸繼續生產(chan)半導體產(chan)品，我們(men)與(yu)美(mei)(mei)國(guo)(guo)進行了圓滿的協商(shang)(shang)，今后將與(yu)政府一起與(yu)美(mei)(mei)國(guo)(guo)商(shang)(shang)務(wu)部密切協商(shang)(shang)，努力在遵守國(guo)(guo)際(ji)秩序(xu)的范(fan)圍內運(yun)營中國(guo)(guo)大陸工廠。”
另據芯智訊了(le)解(jie)，英特(te)爾(er)位于大(da)連(lian)的(de)(de)存儲(chu)工(gong)廠(chang)（SK海力士收購后尚未完全(quan)交割）也(ye)獲得了(le)美國商務(wu)部的(de)(de)許可。一(yi)位美系設備廠(chang)商內部人員告訴芯智訊：“我(wo)們收到通知，英特(te)爾(er)大(da)連(lian)廠(chang)已(yi)(yi)經獲得了(le)美國商務(wu)部的(de)(de)許可，我(wo)們已(yi)(yi)經可以繼續向(xiang)英特(te)爾(er)大(da)連(lian)廠(chang)提供支(zhi)持了(le)。”
不過(guo)，目前尚不清楚英特爾大連(lian)廠(chang)所獲得的(de)(de)許可是(shi)否與SK海力(li)士一樣是(shi)為期一年的(de)(de)許可。
另外據韓聯社報道稱，美(mei)國對SK海力士的許(xu)(xu)可措施似乎僅限于對現有(you)工廠(chang)的升級(ji)，至(zhi)于一(yi)年(nian)后是否會繼(ji)續獲得許(xu)(xu)可尚不得而知(zhi)。
據悉，美國政(zheng)府的(de)立場是，主要針對的(de)不是現在進行(xing)中的(de)項目(mu)，而更多的(de)是針對未來的(de)項目(mu)，后(hou)續將(jiang)繼續與韓方(fang)協商(shang)允許進口設(she)備的(de)程度。
一位消息人士表示：“美國(guo)并不(bu)會無限期(qi)地給予許可(ke)，而是針對三星和SK海力士在升級中國(guo)當地工廠期(qi)間(jian)，為了(le)避免進行復雜的逐案申請，所以給予了(le)為期(qi)1年的許可(ke)。”
另一(yi)位(wei)消(xiao)息人士表示：“據我了解(jie)，此次措施是(shi)美國政府對三星和(he)SK的具體項目給予全面許可的。”
報道稱，美國(guo)政府(fu)(fu)在準備出口(kou)管制措施的(de)過程中(zhong)就與(yu)韓國(guo)共享了(le)內(nei)容，韓國(guo)政府(fu)(fu)為了(le)不(bu)讓(rang)三(san)星和SK海力(li)士在中(zhong)國(guo)大陸(lu)(lu)工(gong)廠(chang)的(de)運營出現問(wen)題，因此與(yu)美國(guo)方面進(jin)(jin)行了(le)密切協商(shang)。韓方要求美方確保(bao)韓國(guo)企業在大陸(lu)(lu)正在進(jin)(jin)行升級(ji)的(de)半(ban)導(dao)體制造項(xiang)目不(bu)要出現問(wen)題。在雙方的(de)磋(cuo)商(shang)過程中(zhong)，美國(guo)政府(fu)(fu)也向韓國(guo)政府(fu)(fu)轉(zhuan)達了(le)“不(bu)會對跨國(guo)公(gong)司(si)的(de)半(ban)導(dao)體生產造成干(gan)擾”的(de)立場。
從美國的(de)(de)立(li)場來看(kan)，如果出口管制(zhi)要取得效果，自然是(shi)需要韓(han)(han)國這(zhe)個半(ban)導體強國的(de)(de)協助，如果韓(han)(han)國企業在(zai)美國的(de)(de)制(zhi)裁當中受(shou)到損失，韓(han)(han)國政府與美國政府的(de)(de)合(he)作將(jiang)會面臨巨大壓力(li)。
值得注意的是，目(mu)前(qian)(qian)美(mei)國(guo)(guo)正在(zai)積極推動與韓國(guo)(guo)、日本、中國(guo)(guo)臺灣組(zu)(zu)建由(you)美(mei)國(guo)(guo)領導(dao)的“芯片四(si)方聯盟”（Chip4）。雖(sui)然(ran)美(mei)國(guo)(guo)之前(qian)(qian)表示，該聯盟旨(zhi)在(zai)聯合這幾個在(zai)全(quan)球半導(dao)體產業鏈當中占(zhan)據優勢(shi)地位的地區，解決半導(dao)體供(gong)應鏈問題。但是，業界認為，美(mei)國(guo)(guo)組(zu)(zu)建Chip4的背后的意圖是利用這一組(zu)(zu)織將中國(guo)(guo)大陸(lu)排除在(zai)全(quan)球半導(dao)體供(gong)應鏈之外(wai)。此前(qian)(qian)韓國(guo)(guo)也(ye)一直對(dui)此存(cun)有疑慮，希望避免(mian)針對(dui)中國(guo)(guo)大陸(lu)。
那么(me)為了讓韓國(guo)、日本、中國(guo)臺灣能夠幫(bang)助(zhu)美國(guo)更好(hao)的實現其圍堵中國(guo)大陸的戰略目標(biao)，美國(guo)自然(ran)會(hui)想(xiang)辦(ban)法拉攏他們，并(bing)且會(hui)避免在(zai)圍堵中國(guo)大陸的過程中誤傷到相關的海(hai)外(wai)企業。
所以，美國在出臺對華制裁新規(gui)之前就已經與韓(han)國政府共(gong)享了內(nei)容，并(bing)第一時間給予了韓(han)國相(xiang)關(guan)企業(ye)以豁(huo)免。而在美國對華禁令的實施下，中國大(da)(da)陸的存儲(chu)廠商發展大(da)(da)大(da)(da)受限，三星、SK海(hai)力士等(deng)存儲(chu)巨頭也將間接受益。
