比利時蒙-圣吉貝爾和中國重慶 – 2022年10月17日 – 提供基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的耐高溫、長壽命、高效率、緊湊型驅動電路和智能功率模塊解決方案的領先供應商CISSOID S. A.(CISSOID)，與第三代功率半導體技術領域先進的芯片設計、器(qi)件研發、模塊制造及(ji)系統應用(yong)創新解(jie)決方案提(ti)(ti)供(gong)商重慶(qing)平創半導體(ti)研究院有限(xian)責任(ren)公司，今日共同(tong)宣(xuan)布：雙方已建立戰略(lve)合作(zuo)伙伴關系，將針對碳化(hua)硅(gui)等第(di)三代功率(lv)半導體(ti)的(de)應用(yong)共同(tong)開(kai)展研發項目，使碳化(hua)硅(gui)功率(lv)器(qi)件的(de)優良性(xing)能(neng)能(neng)夠在航空航天、數字(zi)能(neng)源、新能(neng)源汽車、智能(neng)電網、軌道交通、5G通信(xin)、節能(neng)環(huan)保(bao)等領域(yu)得以充分發揮(hui)，并提(ti)(ti)供(gong)優質的(de)高(gao)功率(lv)密度和高(gao)溫(wen)應用(yong)系統解(jie)決方案。
第三代(dai)寬禁帶半導體(如(ru)碳化(hua)硅)已日趨成熟(shu)和大規(gui)模(mo)商業(ye)化(hua)，并且在幾乎所有電力電子領域都以其高效(xiao)(xiao)率等卓越(yue)性能而正逐步全面(mian)取代(dai)基(ji)于體硅的(de)功率器(qi)件，從而進入電動汽車、軌(gui)道交通、船舶、太陽能、風能、電網及儲能等等應(ying)用。用碳化(hua)硅功率器(qi)件替代(dai)硅基(ji)IGBT的(de)初始益處是(shi)減(jian)小體積、提(ti)(ti)高效(xiao)(xiao)率;更為(wei)重(zhong)要(yao)的(de)進步，將是(shi)充分發(fa)揮碳化(hua)硅的(de)性能優(you)勢，從而能夠(gou)實(shi)現原本(ben)體硅IGBT難以實(shi)現或根(gen)本(ben)不能做(zuo)到的(de)應(ying)用，為(wei)系統應(ying)用設計者提(ti)(ti)供全新(xin)的(de)拓(tuo)展(zhan)空(kong)間(jian)。
這些超越(yue)傳統(tong)體(ti)硅IGBT能力的(de)(de)電力電子應(ying)用(yong)(yong)的(de)(de)重(zhong)要性體(ti)現在(zai)(zai)兩(liang)個主(zhu)要方面：其(qi)(qi)一，在(zai)(zai)高(gao)(gao)功率密(mi)度應(ying)用(yong)(yong)中，功率器件(jian)本(ben)身的(de)(de)發熱所導致的(de)(de)溫(wen)升(sheng)，使得器件(jian)耐溫(wen)能力的(de)(de)選擇和(he)(he)熱管理系(xi)統(tong)的(de)(de)設(she)計尤顯重(zhong)要;其(qi)(qi)二(er)，由(you)于受應(ying)用(yong)(yong)環(huan)境和(he)(he)成本(ben)的(de)(de)影(ying)響，許多高(gao)(gao)溫(wen)環(huan)境應(ying)用(yong)(yong)通常是沒有液冷(leng)條件(jian)的(de)(de)，這樣就(jiu)更(geng)加考驗器件(jian)本(ben)身的(de)(de)耐溫(wen)能力及其(qi)(qi)高(gao)(gao)溫(wen)工作壽命。因此(ci)，高(gao)(gao)溫(wen)半導體(ti)技術(shu)對于第三代寬禁帶半導體(ti)技術(shu)的(de)(de)廣泛應(ying)用(yong)(yong)至關(guan)重(zhong)要。
重慶(qing)平創半(ban)導(dao)體研究(jiu)院有限責(ze)任公(gong)司(Chongqing Pingchuang Institute of Semiconductors Co, Ltd.，以(yi)下簡稱平創半(ban)導(dao)體)致(zhi)力(li)于(yu)開發新(xin)的功率(lv)(lv)半(ban)導(dao)體技術，尤(you)其是以(yi)碳化硅(gui)SiC、氮化鎵GaN為代表的第(di)三代半(ban)導(dao)體技術，公(gong)司具有很強的功率(lv)(lv)芯片/功率(lv)(lv)IC/功率(lv)(lv)器件設計研發能(neng)力(li)，以(yi)及完(wan)善(shan)的功率(lv)(lv)模(mo)塊(kuai)研發和生(sheng)產體系，并(bing)針對電力(li)電子行業提(ti)供完(wan)整的功率(lv)(lv)系統解決方(fang)案。
CISSOID公司來(lai)自比(bi)利時，是高(gao)(gao)溫(wen)半(ban)導體解決方(fang)案的(de)領導者，專(zhuan)為(wei)極端溫(wen)度(du)與(yu)惡劣(lie)環(huan)境(jing)下(xia)的(de)電源管理、功(gong)率轉(zhuan)換與(yu)信(xin)號調節提供(gong)標準產(chan)品與(yu)定(ding)制解決方(fang)案。此(ci)次兩家公司開(kai)展合(he)作將(jiang)有助于發揮雙方(fang)的(de)優勢(shi)，為(wei)中國的(de)電力(li)電子(zi)應(ying)用(yong)領域提供(gong)先進(jin)的(de)高(gao)(gao)功(gong)率密度(du)和高(gao)(gao)溫(wen)產(chan)品及解決方(fang)案。
“高(gao)(gao)(gao)功(gong)率(lv)密度和高(gao)(gao)(gao)溫(wen)(wen)應用(yong)一直(zhi)是(shi)(shi)電力電子行(xing)業的(de)重(zhong)大(da)挑(tiao)戰(zhan)，也是(shi)(shi)重(zhong)要(yao)的(de)發展方向之一。”，平(ping)創半導體(ti)總經理陳顯(xian)平(ping)博士表示，“碳化硅功(gong)率(lv)器件(jian)在高(gao)(gao)(gao)功(gong)率(lv)密度和高(gao)(gao)(gao)溫(wen)(wen)應用(yong)時必(bi)須配備與其耐(nai)高(gao)(gao)(gao)溫(wen)(wen)等級相當(dang)的(de)驅(qu)動芯片和電路(lu)，而CISSOID公(gong)司的(de)高(gao)(gao)(gao)溫(wen)(wen)‘絕(jue)緣(yuan)層上(shang)硅(Silicon On Insulator，SOI)’器件(jian)恰好堪當(dang)此任。SiC功(gong)率(lv)器件(jian)固(gu)有(you)的(de)耐(nai)高(gao)(gao)(gao)溫(wen)(wen)性能與高(gao)(gao)(gao)溫(wen)(wen)SOI集成電路(lu)是(shi)(shi)非常理想的(de)搭配，可(ke)以充分發揮SiC功(gong)率(lv)器件(jian)的(de)性能。我們非常榮幸與CISSOID公(gong)司開展深入合作，共同開發先進(jin)的(de)高(gao)(gao)(gao)功(gong)率(lv)密度和高(gao)(gao)(gao)溫(wen)(wen)產(chan)品和解決方案。”
“我們非常(chang)榮幸與(yu)平創(chuang)半導(dao)體公司開展深入合(he)作，他們所具(ju)有的極(ji)強功(gong)率(lv)(lv)器件設計能(neng)力(li)(li)和(he)(he)完(wan)善的功(gong)率(lv)(lv)模(mo)塊研發(fa)(fa)和(he)(he)生(sheng)產體系給(gei)我們留下了(le)很深刻的印象。”CISSOID首席技術官(guan)Pierre Delette先(xian)生(sheng)表示(shi)，“我們與(yu)平創(chuang)半導(dao)體的緊(jin)密合(he)作將致(zhi)力(li)(li)于開發(fa)(fa)出新型封(feng)裝設計，使碳(tan)化(hua)硅功(gong)率(lv)(lv)器件與(yu)耐高(gao)(gao)溫(wen)SOI驅動電(dian)路(lu)更加(jia)緊(jin)密結合(he)，盡可能(neng)減小寄(ji)生(sheng)電(dian)感(gan)，以求(qiu)將碳(tan)化(hua)硅器件的性能(neng)發(fa)(fa)揮到極(ji)致(zhi)，并(bing)使整體方案更加(jia)精巧，便于高(gao)(gao)密度(du)緊(jin)湊(cou)安裝，為各個電(dian)力(li)(li)電(dian)子領域提供高(gao)(gao)溫(wen)和(he)(he)高(gao)(gao)功(gong)率(lv)(lv)密度(du)應(ying)用產品(pin)和(he)(he)解決方案。”
圖1 法(fa)國技術市場(chang)趨勢調(diao)查公司YOLE對功率器件結溫(wen)的預測
Yole Development的(de)市(shi)場(chang)調查報告(圖1)表明，自(zi)硅基功率半導體(ti)器(qi)件誕(dan)生以(yi)來(lai)，應(ying)用(yong)的(de)需求一直推(tui)動(dong)著(zhu)結(jie)(jie)溫的(de)升高(gao)，目(mu)(mu)前(qian)已達到(dao)150℃。隨著(zhu)諸(zhu)如SiC等第三代寬禁(jin)帶半導體(ti)器(qi)件的(de)出現(xian)、已日(ri)趨成(cheng)熟并且全面商業化(hua)普(pu)及，其獨特的(de)耐高(gao)溫性能正在加速推(tui)動(dong)結(jie)(jie)溫從目(mu)(mu)前(qian)的(de)150℃邁向175℃，未來(lai)將進軍200℃。
借助于SiC的獨(du)特耐高(gao)溫特性和(he)低開關損耗優勢(shi)，這(zhe)一結(jie)溫不斷(duan)提升(sheng)的趨勢(shi)將(jiang)大(da)大(da)改變電(dian)力(li)系統(tong)的設計格(ge)局(ju)，并大(da)力(li)推動(dong)(dong)(dong)高(gao)功(gong)率(lv)密度和(he)高(gao)溫應(ying)用(yong)的發展。這(zhe)些典型(xing)的和(he)正在興起(qi)的高(gao)溫、高(gao)功(gong)率(lv)密度應(ying)用(yong)正在廣泛進入我(wo)們的生活(huo)，其中(zhong)包括深度整(zheng)合的電(dian)動(dong)(dong)(dong)汽(qi)車動(dong)(dong)(dong)力(li)總成、多電(dian)和(he)全電(dian)飛機乃至電(dian)動(dong)(dong)(dong)飛機、移動(dong)(dong)(dong)儲能充電(dian)站和(he)充電(dian)寶，以及其他各種液體冷卻受(shou)到嚴重限制的電(dian)力(li)電(dian)子應(ying)用(yong)。
