10 月 23 日消(xiao)息，據 etnews 報(bao)道，三星(xing)電子和 SK 海(hai)力士(shi)向光(guang)刻機巨頭 ASML 訂(ding)購了下一代半導體設(she)(she)備 High-NA 極(ji)紫外光(guang)（EUV）曝光(guang)設(she)(she)備。繼臺積電和英特爾之后，韓國半導體制造商也在準備引進(jin)能夠實現 2nm 工藝的設(she)(she)備。對(dui)最先進(jin)工藝的競爭預計將加劇。
在 10 月 19 日的財報公告中，ASML 表示：“在 EUV High-NA 業務中，ASML 收到了 TWINSCAN EXE:5200 的額外訂單；目前所有的 EUV 客戶都已提交 High-NA 訂單。” High-NA EUV 設備是(shi)將集光能力的(de)鏡頭(tou)數值孔(kong)徑（NA）從 0.33 提高到 0.55 的(de)設備。比現有(you)的(de) EUV 設備處理更精細(xi)的(de)半導體電路。業界大多(duo)數人(ren)認為，High-NA 設備(bei)對 2nm 工(gong)藝至(zhi)關重要。
NA (NumericalAperture) 被稱作數值孔(kong)徑，是(shi)光(guang)(guang)學鏡頭(tou)的一個重要指標，一般光(guang)(guang)刻機(ji)(ji)設備(bei)都會(hui)明確標注該指標的數值。在光(guang)(guang)源波長不變的情況下，NA 的大(da)小直接(jie)決定(ding)和(he)光(guang)(guang)刻機(ji)(ji)的實際(ji)分辨率，也等于決定(ding)了光(guang)(guang)刻機(ji)(ji)能夠(gou)達到的最高的工(gong)藝節(jie)點。
今年 9 月，ASML 表(biao)示正(zheng)在準備(bei)向(xiang)客戶(hu)交付首(shou)臺 High-NA EUV 光刻機，大概會在明(ming)年某個時間點(dian)完成。
英特(te)爾和臺積(ji)電(dian)(dian)已經正(zheng)式宣(xuan)(xuan)(xuan)布(bu)(bu)引(yin)進(jin) High-NA 的(de)(de)(de) EUV 設備(bei)(bei)(bei)。英特(te)爾在去(qu)年宣(xuan)(xuan)(xuan)布(bu)(bu)整合半(ban)導體(ti)公司 (IDM 2.0) 的(de)(de)(de)策(ce)略，目標(biao)是重新進(jin)入(ru)代工市場(chang)時，宣(xuan)(xuan)(xuan)布(bu)(bu)他們是第(di)一個下定(ding)(ding)了(le) High-NA EUV 設備(bei)(bei)(bei)訂單。這是為了(le)通過(guo)搶先(xian)引(yin)入(ru)下一代設備(bei)(bei)(bei)來追趕臺積(ji)電(dian)(dian)和三(san)星電(dian)(dian)子的(de)(de)(de)系統半(ban)導體(ti)生產能(neng)力(li)。臺積(ji)電(dian)(dian)也(ye)宣(xuan)(xuan)(xuan)布(bu)(bu)了(le)訂購 High-NA EUV 設備(bei)(bei)(bei)的(de)(de)(de)合同，但三(san)星電(dian)(dian)子和 SK 海(hai)力(li)士沒有提到任(ren)何關于合同的(de)(de)(de)內(nei)容。隨著 ASML 的(de)(de)(de)這一宣(xuan)(xuan)(xuan)布(bu)(bu)，韓國半(ban)導體(ti)制造商引(yin)進(jin) High-NA 設備(bei)(bei)(bei)的(de)(de)(de)做法已經正(zheng)式確(que)定(ding)(ding)。然而，三(san)星電(dian)(dian)子和 SK 海(hai)力(li)士表示，關于 High-NA EUV 設備(bei)(bei)(bei)的(de)(de)(de)引(yin)進(jin)，“這是不能(neng)正(zheng)式披(pi)露的(de)(de)(de)事情”。ASML 現(xian)有的(de)(de)(de) EUV 設備(bei)(bei)(bei)客戶包括三(san)星電(dian)(dian)子、SK 海(hai)力(li)士、英特(te)爾、臺積(ji)電(dian)(dian)、美光等。
由于(yu)全球所(suo)有(you)的(de)半(ban)導(dao)體制造公司都向 ASML High-NA EUV 設(she)(she)備(bei)(bei)下了訂(ding)單，預計從(cong) 2025 年(nian)開(kai)始大規(gui)模生產時，激(ji)烈的(de)競爭將展開(kai)。High-NA EUV 設(she)(she)備(bei)(bei)比目前使(shi)用的(de) EUV 設(she)(she)備(bei)(bei)更昂(ang)貴，但它可以(yi)一次(ci)性實現(xian)超精細工藝(yi)（單次(ci)圖案化），這可以(yi)極大地(di)提(ti)高生產力(li)。就三星(xing)電子而(er)(er)言，有(you)必要(yao)在(zai) 3nm 量(liang)產后搶先確保 High-NA EUV 設(she)(she)備(bei)(bei)用于(yu) 2nm 量(liang)產。現(xian)有(you)的(de) EUV 設(she)(she)備(bei)(bei)估計需要(yao) 2000 億(yi)(yi)韓(han)元（約(yue) 10.08 億(yi)(yi)元人民(min)幣(bi)）至 3000 億(yi)(yi)韓(han)元（約(yue) 15.12 億(yi)(yi)元人民(min)幣(bi)），而(er)(er)韓(han)元 EUV 設(she)(she)備(bei)(bei)估計需要(yao)花費 5000 億(yi)(yi)韓(han)元（約(yue) 25.2 億(yi)(yi)元人民(min)幣(bi)）。
據悉，ASML 此前宣布，第(di)三(san)季度的(de)凈(jing)銷售額為(wei) 58 億(yi)歐(ou)元，毛利(li)率為(wei) 51.8%，凈(jing)利(li)潤為(wei) 17 億(yi)歐(ou)元。第(di)四季度的(de)凈(jing)銷售額預計將在(zai) 61 億(yi)歐(ou)元至 66 億(yi)歐(ou)元之(zhi)間(jian)。
ASML 總裁兼(jian)首席執行官 Peter Wennink 表(biao)示：“第(di)三(san)季度的(de)凈銷售額為 58 億(yi)(yi)歐元(yuan)，毛利率為 51.8%，高(gao)于預期。受包括通貨膨(peng)脹、消費(fei)者信(xin)心和經(jing)濟(ji)衰退的(de)風(feng)險等全球宏(hong)觀經(jing)濟(ji)因素(su)的(de)影響，市場存在不確定性(xing)。雖(sui)然每個(ge)細分市場的(de)需(xu)求動態存在分化(hua)，但我(wo)們整體(ti)的(de)客戶需(xu)求依然強勁。這推動第(di)三(san)季度新(xin)增訂(ding)單(dan)金(jin)額達到約 89 億(yi)(yi)歐元(yuan)，創(chuang)下歷史新(xin)高(gao)，這其中(zhong) 38 億(yi)(yi)歐元(yuan)來自 EUV 系(xi)統訂(ding)單(dan)，包括 High-NA 系(xi)統訂(ding)單(dan)。”
