10 月(yue) 23 日消息，據 etnews 報(bao)道(dao)，三星電子和(he) SK 海力士向光刻機巨頭 ASML 訂購了下一代半導體(ti)設備(bei) High-NA 極紫外光（EUV）曝光設備(bei)。繼(ji)臺積電和(he)英特爾之后，韓國半導體(ti)制造商也在準備(bei)引進能(neng)夠實現 2nm 工藝(yi)的設備(bei)。對最先進工藝(yi)的競爭預計將加(jia)劇。
在 10 月 19 日的財報公告中，ASML 表示：“在 EUV High-NA 業務中，ASML 收到了 TWINSCAN EXE:5200 的額外訂單；目前所有的 EUV 客戶都已提交 High-NA 訂單。” High-NA EUV 設備(bei)是將集光能力的鏡頭數值(zhi)孔徑（NA）從 0.33 提高到 0.55 的設備(bei)。比現有的 EUV 設備(bei)處(chu)理更(geng)精細的半導體(ti)電(dian)路。業(ye)界大多數人(ren)認為，High-NA 設備(bei)對 2nm 工藝至關重(zhong)要。
NA (NumericalAperture) 被(bei)稱作數值孔徑，是光(guang)學(xue)鏡頭(tou)的(de)一個重要指標，一般光(guang)刻(ke)(ke)機(ji)設備都會明確標注該指標的(de)數值。在光(guang)源波長不變的(de)情況(kuang)下，NA 的(de)大(da)小直(zhi)接決定和(he)光(guang)刻(ke)(ke)機(ji)的(de)實際分(fen)辨率(lv)，也(ye)等于決定了(le)光(guang)刻(ke)(ke)機(ji)能夠達到的(de)最高(gao)的(de)工(gong)藝節點。
今年 9 月，ASML 表示正在準備向客戶交付(fu)首臺 High-NA EUV 光(guang)刻機，大概會在明年某個時(shi)間點完成(cheng)。
英特(te)爾(er)和臺積電(dian)已經正式宣(xuan)布(bu)引(yin)進(jin) High-NA 的(de)(de) EUV 設(she)備(bei)(bei)(bei)。英特(te)爾(er)在去(qu)年宣(xuan)布(bu)整合(he)半(ban)導(dao)體公司 (IDM 2.0) 的(de)(de)策(ce)略，目標是重新進(jin)入代工市場時，宣(xuan)布(bu)他們是第一個下定(ding)了 High-NA EUV 設(she)備(bei)(bei)(bei)訂(ding)單(dan)。這(zhe)是為了通過(guo)搶先引(yin)入下一代設(she)備(bei)(bei)(bei)來追趕臺積電(dian)和三(san)星電(dian)子的(de)(de)系(xi)統(tong)半(ban)導(dao)體生產能(neng)力(li)(li)。臺積電(dian)也宣(xuan)布(bu)了訂(ding)購(gou) High-NA EUV 設(she)備(bei)(bei)(bei)的(de)(de)合(he)同，但三(san)星電(dian)子和 SK 海力(li)(li)士(shi)沒有提到任何關(guan)于(yu)(yu)合(he)同的(de)(de)內容。隨著 ASML 的(de)(de)這(zhe)一宣(xuan)布(bu)，韓國半(ban)導(dao)體制造商(shang)引(yin)進(jin) High-NA 設(she)備(bei)(bei)(bei)的(de)(de)做法已經正式確定(ding)。然而，三(san)星電(dian)子和 SK 海力(li)(li)士(shi)表示，關(guan)于(yu)(yu) High-NA EUV 設(she)備(bei)(bei)(bei)的(de)(de)引(yin)進(jin)，“這(zhe)是不能(neng)正式披露的(de)(de)事情”。ASML 現有的(de)(de) EUV 設(she)備(bei)(bei)(bei)客戶(hu)包括三(san)星電(dian)子、SK 海力(li)(li)士(shi)、英特(te)爾(er)、臺積電(dian)、美光等。
由于(yu)全(quan)球(qiu)所有(you)的(de)半導體制(zhi)造公(gong)司都向 ASML High-NA EUV 設(she)備(bei)(bei)下了訂單(dan)，預計從 2025 年開始大規模生產時，激烈的(de)競爭將展開。High-NA EUV 設(she)備(bei)(bei)比目前使用(yong)的(de) EUV 設(she)備(bei)(bei)更昂貴，但它可以(yi)一次性(xing)實現超精細工藝（單(dan)次圖案化），這可以(yi)極大地提高生產力。就(jiu)三星電子而(er)言，有(you)必要(yao)在 3nm 量(liang)產后(hou)搶先確保 High-NA EUV 設(she)備(bei)(bei)用(yong)于(yu) 2nm 量(liang)產。現有(you)的(de) EUV 設(she)備(bei)(bei)估(gu)計需要(yao) 2000 億韓(han)元（約 10.08 億元人民(min)幣）至 3000 億韓(han)元（約 15.12 億元人民(min)幣），而(er)韓(han)元 EUV 設(she)備(bei)(bei)估(gu)計需要(yao)花費 5000 億韓(han)元（約 25.2 億元人民(min)幣）。
據(ju)悉，ASML 此(ci)前宣布，第三季度(du)的(de)凈銷售額為(wei) 58 億歐元，毛利率為(wei) 51.8%，凈利潤為(wei) 17 億歐元。第四季度(du)的(de)凈銷售額預計將在 61 億歐元至 66 億歐元之間。
ASML 總裁兼首席執行官 Peter Wennink 表示：“第三季(ji)度的(de)凈銷(xiao)售(shou)額(e)為(wei) 58 億歐(ou)元(yuan)，毛利(li)率為(wei) 51.8%，高(gao)于預期。受包括通貨膨(peng)脹、消費者信心和經濟(ji)衰退(tui)的(de)風(feng)險等全球宏觀經濟(ji)因(yin)素的(de)影響，市(shi)場(chang)存(cun)(cun)在不確定(ding)性。雖然每個細分(fen)市(shi)場(chang)的(de)需(xu)求動態(tai)存(cun)(cun)在分(fen)化(hua)，但我們整體的(de)客戶需(xu)求依然強勁。這推動第三季(ji)度新增訂(ding)單金(jin)額(e)達到約 89 億歐(ou)元(yuan)，創下歷史新高(gao)，這其中(zhong) 38 億歐(ou)元(yuan)來(lai)自 EUV 系統訂(ding)單，包括 High-NA 系統訂(ding)單。”
