天(tian)眼查顯(xian)示，華為(wei)技術有限公(gong)司(si)近(jin)日新(xin)增多條專(zhuan)利(li)(li)信息(xi)，其中1條發(fa)明專(zhuan)利(li)(li)名稱為(wei)“晶圓處理設備和(he)半導體制造設備”，公(gong)開號為(wei)CN116705644A。
專利(li)摘要顯(xian)示，本公開涉及(ji)晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)處理設(she)(she)備(bei)和半導體(ti)制(zhi)造設(she)(she)備(bei)。該晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)處理設(she)(she)備(bei)包括：晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)支(zhi)撐器(qi)件，被構造成(cheng)支(zhi)撐所(suo)(suo)(suo)述(shu)晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan);以及(ji)光(guang)源陣(zhen)列(lie)，被定位在(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)支(zhi)撐側(ce)方(fang)向上(shang)，并且(qie)(qie)適于對所(suo)(suo)(suo)述(shu)晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)進行光(guang)輻射加(jia)熱(re);其中所(suo)(suo)(suo)述(shu)光(guang)源陣(zhen)列(lie)被配置成(cheng)向所(suo)(suo)(suo)述(shu)晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)位于所(suo)(suo)(suo)述(shu)支(zhi)撐側(ce)的(de)(de)表面投射用于所(suo)(suo)(suo)述(shu)光(guang)輻射加(jia)熱(re)的(de)(de)多個(ge)(ge)光(guang)斑，使(shi)得(de)至少(shao)在(zai)(zai)(zai)所(suo)(suo)(suo)述(shu)晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)徑(jing)向方(fang)向上(shang)的(de)(de)所(suo)(suo)(suo)有(you)多個(ge)(ge)光(guang)斑彼此鄰近且(qie)(qie)互不重(zhong)疊。將(jiang)會理解(jie)，以這種方(fang)式，可以使(shi)得(de)晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)至少(shao)在(zai)(zai)(zai)徑(jing)向方(fang)向上(shang)的(de)(de)加(jia)熱(re)區分(fen)度(du)變得(de)更加(jia)清晰，從而有(you)助于在(zai)(zai)(zai)諸如晶(jing)(jing)圓(yuan)(yuan)(yuan)的(de)(de)干(gan)燥(zao)工(gong)藝中的(de)(de)溫控空間分(fen)辨率(lv)的(de)(de)提高。
華為指出，在摩爾定律的驅動下，芯片集成度(du)不(bu)斷(duan)提高，單個晶體(ti)管的(de)特征(zheng)尺寸(cun)不(bu)斷(duan)縮小，器(qi)件(jian)結構的(de)深寬比(bi)持續增大，給半導體(ti)制造流程中的(de)濕(shi)法清洗和(he)干燥(zao)工(gong)藝帶來挑戰。上述專利(li)的(de)目的(de)在于提供一種改進的(de)晶圓(yuan)處理設備，其至少可以提高晶圓(yuan)的(de)溫控空間分辨(bian)率。
