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EUV光(guang)刻工藝除(chu)了需要EUV光(guang)刻機之(zhi)外，也需要配(pei)套的EUV光(guang)刻膠(jiao)，目前這(zhe)一市場也主要被日本(ben)廠商壟斷，現在三(san)星與韓國半導體廠商東進合作開發成(cheng)功EUV光(guang)刻膠(jiao)，已經通過驗證。

東進(jin)半導體(ti)19日宣布，近期通過(guo)了三(san)星電子的EUV PR（光刻膠(jiao)）可靠性測試。

消息人(ren)士稱，東進半導體(ti)在其位于京畿道華城(cheng)的工(gong)廠開(kai)發了EUV PR，并在三星電子華城(cheng) EUV生產(chan)線上對其進行了測試(shi)，并已通過可(ke)靠性測試(shi)。

PR，也稱為(wei)光刻(ke)膠，是半導(dao)體曝(pu)光工藝中的關鍵材料。

它應用于芯片上，當用半導體曝(pu)光設備照射光時，會發生(sheng)化學反應并改變物理性質，通(tong)過(guo)用顯影劑(ji)沖洗(xi)掉(diao)PR來繪制微電路，只(zhi)留下必要的部(bu)分。

2019年，日(ri)本與韓國爆發爭議之后曾經限(xian)制三種重要的(de)(de)半導體材料對韓國的(de)(de)出口，EUV光(guang)刻膠就(jiu)是其中之一，為此韓國公司也加快了EUV光(guang)刻膠的(de)(de)研發。

雖然已經通(tong)過(guo)了測試，不(bu)過(guo)三星是(shi)否會在EUV生(sheng)產線上立即使用東進半導體的EUV光刻膠還(huan)不(bu)確定，三星及東進拒(ju)絕表態(tai)。