EUV光刻工藝(yi)除了需(xu)要EUV光刻機之(zhi)外，也需(xu)要配套的(de)EUV光刻膠，目(mu)前這一(yi)市場也主要被日本廠商壟斷(duan)，現在三星與韓(han)國半導體廠商東進合作開發成(cheng)功EUV光刻膠，已經(jing)通過驗證。
東進半導(dao)體19日宣布，近期通過了三星電子的(de)EUV PR（光(guang)刻膠）可靠性(xing)測試(shi)。
消息人(ren)士稱(cheng)，東進(jin)半導(dao)體在其(qi)位于(yu)京畿(ji)道華城的工廠開發了(le)EUV PR，并在三星(xing)電子華城 EUV生產線上對其(qi)進(jin)行了(le)測試，并已通過可靠性測試。
PR，也稱為光(guang)刻膠，是半導(dao)體曝(pu)光(guang)工藝中的關鍵材料。
它應用于芯片上，當(dang)用(yong)半(ban)導體曝光(guang)設備(bei)照射(she)光(guang)時，會發生化學反應(ying)并改(gai)變物理性質(zhi)，通(tong)過用(yong)顯影劑沖洗掉PR來繪制微電路，只留下必要的部分。
2019年，日本(ben)與(yu)韓國(guo)爆(bao)發爭議之后曾(ceng)經限制三種(zhong)重(zhong)要的半導(dao)體材(cai)料對韓國(guo)的出口，EUV光(guang)刻(ke)膠(jiao)就(jiu)是其中之一，為此韓國(guo)公司(si)也(ye)加快了EUV光(guang)刻(ke)膠(jiao)的研發。
雖然(ran)已經通(tong)過了測試(shi)，不(bu)過三星是(shi)否會在EUV生(sheng)產線上立(li)即使用東進(jin)半導體(ti)的EUV光刻膠還不(bu)確定，三星及東進(jin)拒絕(jue)表態。
