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據高能物理研究所消息，近日，中國科學院高能物理研究所科研團隊研制出具有良好(hao)抗(kang)輻照性能的硅超快傳感器。

該傳感器基于低增益雪崩放大二極管（Low-Gain Avalanche Diode, LGAD)。經 ATLAS 合作組與 RD50 合作組測試，該傳感器是目前抗輻照性能最好的 LGAD 硅超快傳感器，達到 ATLAS 實驗高顆粒(li)度高時間分辨(bian)探測(ce)器項目（High Granularity Timing Detector，HGTD）的要求。

據(ju)介紹，該(gai)研究在(zai)原(yuan)有(you) LGAD 硅超快傳感器(qi)工藝上(shang)增加了碳摻雜(za)工藝，降(jiang)低了輻照(zhao)引(yin)起硅傳感器(qi)中硼摻雜(za)的(de)移除(chu)速(su)率，提(ti)高了抗輻照(zhao)性(xing)能(neng)。

該項目研發的硅超快傳感器，超快讀出芯片和大面積超快探測器集成等均是國際前沿的新技術。以高(gao)能所為主體的(de)(de)(de)中國組(zu)將承(cheng)擔 HGTD 項目超過 1/3 的(de)(de)(de)傳感(gan)器研制(zhi)(zhi)(zhi)，近一半的(de)(de)(de)探測器模塊研制(zhi)(zhi)(zhi)，與全部(bu)的(de)(de)(de)前端電路板研制(zhi)(zhi)(zhi)。

據了解，該(gai)項目得(de)到國家(jia)自然科學基(ji)金委(wei)員會(hui)、核(he)(he)探測與核(he)(he)電子學國家(jia)重(zhong)點實驗室等的支持。