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據高能物理研究所消息，近日，中國科學院高能物理研究所科研團隊研(yan)制出具有良(liang)好(hao)抗輻照性能的硅超(chao)快(kuai)傳感(gan)器(qi)。

該傳感器基于低增益雪崩放大二極管（Low-Gain Avalanche Diode, LGAD)。經 ATLAS 合作組與 RD50 合作組測試，該傳感器是目前抗輻照性能最好的 LGAD 硅超快傳感器，達到 ATLAS 實驗高(gao)顆粒度(du)高(gao)時(shi)間分(fen)辨探測器項目（High Granularity Timing Detector，HGTD）的(de)要求。

據介紹，該(gai)研究在原有 LGAD 硅(gui)(gui)超快傳(chuan)(chuan)感器工藝(yi)(yi)上增加了碳摻雜工藝(yi)(yi)，降(jiang)低(di)了輻照引起硅(gui)(gui)傳(chuan)(chuan)感器中硼摻雜的移除速率，提高了抗輻照性能。

該項目研發的硅超快傳感器，超快讀出芯片和大面積超快探測器集成等均是國際前沿的新技術。以高能所為主體的中國組將承(cheng)擔 HGTD 項(xiang)目超過 1/3 的傳感器(qi)(qi)研制，近一半的探測器(qi)(qi)模塊研制，與全部的前端(duan)電路板研制。

據了解，該項目得到國家(jia)自然(ran)科學(xue)基金委員(yuan)會、核(he)探測與(yu)核(he)電子學(xue)國家(jia)重點實(shi)驗室等的支持。