近日，中國信息通信科技集團光纖通信技術和網絡國家重點實驗室聯合國家信息光電子創新中心（NOEIC）、鵬城實驗室，在國內率先完成了 1.6Tb / s 硅基光收發芯片的(de)(de)聯合研(yan)制(zhi)和功(gong)能(neng)驗證，實現了我國(guo)硅光(guang)芯片(pian)技術向(xiang) Tb / s 級(ji)的(de)(de)首(shou)次跨越，為我國(guo)下一代數據中(zhong)心內的(de)(de)寬帶互(hu)連提供(gong)了可(ke)靠的(de)(de)光(guang)芯片(pian)解決(jue)方案(an)。
光(guang)(guang)芯(xin)片(pian)是光(guang)(guang)通信(xin)系統(tong)中的關鍵核心器件(jian)，硅(gui)光(guang)(guang)芯(xin)片(pian)作為(wei)采用(yong)硅(gui)光(guang)(guang)子技術的光(guang)(guang)芯(xin)片(pian)，是將硅(gui)光(guang)(guang)材料和(he)器件(jian)通過(guo)特色工藝制造的新型集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)電路。相對于(yu)傳(chuan)統(tong)三五族材料光(guang)(guang)芯(xin)片(pian)，因(yin)使(shi)用(yong)硅(gui)作為(wei)集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)芯(xin)片(pian)襯底，硅(gui)光(guang)(guang)芯(xin)片(pian)具有集(ji)成(cheng)(cheng)(cheng)度高、成(cheng)(cheng)(cheng)本低、光(guang)(guang)波導傳(chuan)輸性能好等特點(dian)。目前，國際上(shang) 400G 光(guang)(guang)模塊已進入商用(yong)部(bu)署階段(duan)，800G 光(guang)(guang)模塊樣(yang)機研制和(he)技術標(biao)準正在推進中，而 1.6Tb / s 光(guang)(guang)模塊將成(cheng)(cheng)(cheng)為(wei)下一步全(quan)球競相追逐的熱(re)點(dian)。
據悉，在本次 1.6Tb / s 硅基光收發芯片的聯合研制和功能驗證中，研究人員分別在單顆硅基光發射芯片和硅基光接收芯片上集成了 8 個通道高速電光調制器和高速光電探測器，每個通道可實現 200Gb / s PAM4 高速信號的光電和電光轉換，最終經過芯片封裝和系統傳輸測試，完成了單片容量高達 8×200Gb / s 光互連技術驗證。該工作刷新了國內此前單片光互連速率和互連密度的最好水平，展現出硅光技術的超高速、超高密度、高可擴展性等突出優勢，為下一代數據中心內的寬帶互連提供了可靠的光芯片解決方案，將為超級計算、人工智能等新(xin)技術(shu)、新(xin)產業蓬勃發展提供有力支撐。
