在 12 月 28 日舉行的第三屆硬核中國芯領袖峰會暨汽車芯片技術創新與應用論壇上，比亞迪半導體功率半導體產品中心高級市場經理孫允帥表示，目前，比(bi)亞迪半(ban)導體(ti)基(ji)于高密(mi)度 Trench FS 的 IGBT 5.0 技(ji)術(shu)已(yi)實現量產。
據介紹，比亞迪(di)半導體正在(zai)積極布局(ju)新一代 IGBT 技(ji)術，致力于進一步提高 IGBT 芯片(pian)(pian)的(de)電流(liu)密(mi)(mi)度，提升功率半(ban)導體(ti)的(de)可靠性，降低產品成(cheng)本(ben)，提高應用系統的(de)整體(ti)功率密(mi)(mi)度。 未來，比(bi)亞迪半(ban)導體(ti) IGBT 芯片(pian)(pian)將(jiang)在核心(xin)技術、制造工藝及(ji)結(jie)構設計等(deng)方(fang)面不斷尋求突破。
▲ 比(bi)亞迪半導體 IGBT5.0 芯(xin)片 | 圖(tu)自比(bi)亞迪半導體，下同
此(ci)外，比亞迪半導體(ti) SiC 車用(yong)功率模塊(kuai)，具有 Pin-fin 直接(jie)水冷(leng)結構，結構十分緊湊，僅一個手掌(zhang)大小(xiao)，輸出功率 250KW。
孫允帥表示：“后期，比亞迪半導體將往超(chao)小型(xing)雙面(mian)燒結 SiC 發展，其具有(you)(you)應用靈(ling)活、散熱效率高等優勢(shi)。目(mu)前有(you)(you)關產(chan)品(pin)在研(yan)中，預期實現產(chan)品(pin)革新的又一跨越。”
▲ 比亞(ya)迪半(ban)導體 SiC 功(gong)率模塊
官方信息顯示，比亞迪(di)(di)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)以車(che)規級半(ban)導(dao)(dao)體(ti)為核心(xin)，同步推(tui)動工(gong)業、家(jia)電(dian)(dian)、新能源、消費電(dian)(dian)子(zi)等領域的(de)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)業務發(fa)展，持(chi)續量(liang)產 IGBT、SiC、IPM、MCU 等產品。比亞迪(di)(di)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)是(shi)全球(qiu)首(shou)家(jia)、國(guo)內(nei)唯一實現 SiC 三相(xiang)全橋模塊在新能源汽車(che)電(dian)(dian)機驅(qu)動控制器中(zhong)大批(pi)量(liang)裝(zhuang)車(che)的(de)功率半(ban)導(dao)(dao)體(ti)企業。
