在 12 月 28 日舉行的第三屆硬核中國芯領袖峰會暨汽車芯片技術創新與應用論壇上，比亞迪半導體功率半導體產品中心高級市場經理孫允帥表示，目前，比亞迪半導體基于高密度 Trench FS 的 IGBT 5.0 技術已實現(xian)量產。
據介紹，比(bi)亞迪半導體正在積極布局新一代 IGBT 技術，致力于進一步提(ti)高(gao) IGBT 芯片的(de)電流密度，提(ti)升(sheng)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)可靠性，降低產品成本(ben)，提(ti)高(gao)應(ying)用(yong)系統的(de)整體(ti)功(gong)率(lv)密度。 未來，比亞迪半(ban)導(dao)體(ti) IGBT 芯片將在核心技術、制(zhi)造工藝及結構設計等方(fang)面不斷尋求突破。
▲ 比亞迪(di)半導體(ti) IGBT5.0 芯片(pian) | 圖自(zi)比亞迪(di)半導體(ti)，下同
此外，比亞迪半導(dao)體 SiC 車(che)用功率(lv)模塊(kuai)，具有 Pin-fin 直接水冷結(jie)(jie)構(gou)，結(jie)(jie)構(gou)十分緊湊，僅一個手掌大小，輸出功率(lv) 250KW。
孫(sun)允帥表(biao)示：“后期，比亞迪半導(dao)體將往(wang)超小(xiao)型雙面燒結 SiC 發展，其(qi)具有應用靈(ling)活、散熱效率高等優勢。目前有關產(chan)品在(zai)研中(zhong)，預(yu)期實(shi)現(xian)產(chan)品革新的又(you)一跨(kua)越。”
▲ 比亞迪半(ban)導體 SiC 功率模塊
官(guan)方(fang)信(xin)息(xi)顯示，比亞迪半(ban)(ban)導(dao)體(ti)以車(che)規級半(ban)(ban)導(dao)體(ti)為核心，同(tong)步(bu)推動工業(ye)、家(jia)電、新(xin)能源(yuan)、消費電子等領域的半(ban)(ban)導(dao)體(ti)業(ye)務(wu)發展，持續量產 IGBT、SiC、IPM、MCU 等產品(pin)。比亞迪半(ban)(ban)導(dao)體(ti)是(shi)全球首(shou)家(jia)、國內唯一實現 SiC 三相(xiang)全橋模塊在新(xin)能源(yuan)汽車(che)電機驅動控制器中大(da)批量裝車(che)的功(gong)率半(ban)(ban)導(dao)體(ti)企業(ye)。
