據 ElectronicsWeekly 報道，東京電子前首席執行官 、日本政府芯片行業咨(zi)詢小組的成員 Tetsuro (Terry) Higashi 日(ri)前表示(shi)，日(ri)本(ben)必須(xu)在十年內實現(xian) 2nm 量(liang)產。
Higashi 稱，日本應該在下一個財政年度提供稅收減免，以(yi)便在未來十年內(nei)產(chan)生 880 億美元的(de)投資，以(yi)重振(zhen)國內(nei)的(de)芯片制造。
日(ri)本政府上周批準了 68 億美(mei)元的(de)補充支出，Higashi 稱：“我預計這種資(zi)(zi)金水平至少在(zai)未(wei)來幾年(nian)內(nei)會持續下(xia)去，如果沒有政府的(de)初(chu)始投(tou)資(zi)(zi)，將無(wu)法使私營公司投(tou)入資(zi)(zi)金。在(zai)事情(qing)確立之前(qian)，政府將不得不發揮核心(xin)作(zuo)用。”
據了解，日本今年將(jiang)振興其芯片產(chan)業作為一個國家項(xiang)目，旨在(zai)到(dao) 2030 年將(jiang)國內半(ban)導體公司的年收(shou)入提高大約三(san)倍，達(da)到(dao) 13 萬億(yi)日元(yuan)（約 7202 億(yi)元(yuan)人(ren)民幣）。
Higashi 說，應該考慮對研發進行減稅，并削減芯片(pian)制造(zao)商的水和公用設施成本，“如果日本(ben)不(bu)能確保其工業(ye)基礎，我們(men)將不(bu)得不(bu)依賴他人(ren)的芯(xin)片知識(shi)產(chan)權(quan)，他們(men)將奪走所(suo)有的附加值，各個行業(ye)都需要注意這種可(ke)能性。”
日(ri)(ri)經新(xin)聞的報道也指(zhi)出，日(ri)(ri)本政(zheng)府將提供資金支持(chi)、協(xie)助日(ri)(ri)本企業研(yan)(yan)發 2nm 以后的次世代(dai)半導體制造技術。為實現這個目標(biao)，他(ta)們除了(le)繼續保持(chi)和(he)臺(tai)積電、英(ying)特(te)爾(er)等半導體大廠進(jin)行大范圍的意見交換來進(jin)行研(yan)(yan)發外，他(ta)們還(huan)將與佳能、東電、SCREEN 等本土(tu)設備巨頭(tou)攜手，重振(zhen)日(ri)(ri)本在先進(jin)研(yan)(yan)發方面的實力。
