雖然在2021年時，大家就都知道2022年會是3nm芯片的量產之時，因三星、臺積電都有(you)過(guo)表示(shi)，但具體是什么時候，大家都沒有(you)細說(shuo)。
而近日，終于傳出了確切消息，那就是三(san)星(xing)代(dai)工(gong)市場(chang)戰略(lve)團(tuan)隊負責人Moonsoo Kang正(zheng)式(shi)對(dui)外表示，2022上半年三(san)星(xing)第(di)一代(dai)的3nm GAA （3GAAE）制程(cheng)技術將量產，最遲不(bu)會超過二(er)季度，而(er)下半年將開始(shi)商(shang)業化生(sheng)產。
此外，Moonsoo Kang還表示，三星(xing)的(de)3nm芯(xin)片，會按照之(zhi)前的(de)計劃(hua)，采用GAAFET晶體管技(ji)術，而不是繼續使用從14nm就開(kai)始(shi)的(de)FinFET晶體管技(ji)術。
而基于GAA技術，三星還將開發出第二代GAA技術，稱之為3GAAP（3nm Gate-All-Around Plus），預(yu)計于明年，也就是2023年量產。
估計聽到這個消(xiao)息后，臺(tai)積電還是有點慌的，并(bing)不(bu)是因為三星要量產3nm芯(xin)片(pian)了，而主(zhu)要是因為三星使用了GAA晶(jing)體(ti)管技術，確實比(bi)臺(tai)積電在(zai)3nm時(shi)使用的FinFET晶(jing)體(ti)管更先進。
GAA晶體管能夠提供比FinFET 技術更(geng)好的靜電特性，能(neng)夠(gou)讓(rang)芯(xin)片進一步微縮，也就是(shi)晶體(ti)管密度更(geng)大，另外(wai)還能(neng)降低柵極電壓，讓(rang)功耗降低。
所(suo)以如(ru)果三星的(de)GAA技(ji)術的(de)3nm芯片進展迅速，良率比較高的(de)話，對于臺積(ji)電(dian)而言，確實是一個非常大的(de)壓(ya)力，說不定能夠從臺積(ji)電(dian)這搶到更(geng)多的(de)客戶。
而按(an)照三星的說法，3nmGAA芯片，較上(shang)一代的5nm的FinFET技術，面積能(neng)夠縮小35%，性(xing)能(neng)提高30%，或功耗(hao)提高50%。
接下(xia)來就讓我靜態三(san)星(xing)新一(yi)代的3nm芯片何時量產(chan)了(le)，我想臺積電也是在拭目以待，看看三(san)星(xing)能不能借3nm工藝，威脅到自己的地位(wei)，畢竟三(san)星(xing)一(yi)直想要打敗(bai)臺積電，成(cheng)全球代工廠商中的冠軍的。
當(dang)然(ran)，臺積電和三星在(zai)3nm競爭，于我們而言，只是神(shen)仙打架，畢竟中芯才14nm，離(li)3nm還(huan)好幾(ji)代，再加上10nm以下的設備(bei)受限，可以說離(li)3nm還(huan)遙不可及。
