雖然在2021年時，大家就都知道2022年會是3nm芯片的量產之時，因三星、臺積電都(dou)有過表示，但具體是(shi)什(shen)么時候(hou)，大家(jia)都(dou)沒有細(xi)說。
而近日，終于傳出了確切消息，那就是三星代(dai)工市場戰略團隊負責(ze)人Moonsoo Kang正式(shi)對外表(biao)示，2022上半年三星第一代(dai)的(de)3nm GAA （3GAAE）制程技術(shu)將量產(chan)，最遲不會超過二季度，而下半年將開始(shi)商業化生產(chan)。
此外，Moonsoo Kang還表示，三星的3nm芯(xin)片，會按照之(zhi)前(qian)的計劃，采用(yong)GAAFET晶(jing)體(ti)管(guan)技(ji)術(shu)，而不是繼續使(shi)用(yong)從14nm就開始的FinFET晶(jing)體(ti)管(guan)技(ji)術(shu)。
而基于GAA技術，三星還將開發出第二代GAA技術，稱之為3GAAP（3nm Gate-All-Around Plus），預計(ji)于明年，也就是2023年量產。
估計(ji)聽(ting)到這個消(xiao)息后，臺積電還是有點(dian)慌的，并不是因為(wei)三(san)星要(yao)量產(chan)3nm芯片了，而主要(yao)是因為(wei)三(san)星使用了GAA晶(jing)體(ti)管(guan)技(ji)術，確實比臺積電在3nm時(shi)使用的FinFET晶(jing)體(ti)管(guan)更先進。
GAA晶體管能夠提供比FinFET 技術更好的靜(jing)電特性，能夠讓芯片進一步微縮，也就(jiu)是晶體管密(mi)度更大，另(ling)外還能降(jiang)低柵極電壓，讓功耗降(jiang)低。
所以如(ru)果三星(xing)的(de)GAA技術(shu)的(de)3nm芯片進展(zhan)迅速，良率(lv)比(bi)較高的(de)話，對于臺積(ji)電而言(yan)，確實(shi)是(shi)一個(ge)非常大的(de)壓力，說不定能夠從臺積(ji)電這搶(qiang)到(dao)更多(duo)的(de)客戶。
而按照三星的(de)說法，3nmGAA芯片，較上(shang)一代的(de)5nm的(de)FinFET技術，面積能(neng)夠(gou)縮小35%，性能(neng)提(ti)高30%，或功(gong)耗(hao)提(ti)高50%。
接(jie)下來就讓我靜(jing)態三(san)星新一代的(de)(de)3nm芯片何時量產了，我想臺(tai)積電(dian)也是在拭(shi)目(mu)以待，看看三(san)星能不能借3nm工(gong)藝，威脅(xie)到自(zi)己(ji)的(de)(de)地位(wei)，畢竟三(san)星一直想要打敗(bai)臺(tai)積電(dian)，成全球(qiu)代工(gong)廠商中(zhong)的(de)(de)冠(guan)軍(jun)的(de)(de)。
當然，臺積電和三星(xing)在3nm競爭，于我們(men)而言(yan)，只是神仙打架，畢竟中芯才14nm，離(li)3nm還好(hao)幾代，再加上10nm以(yi)下的(de)設備受限，可以(yi)說(shuo)離(li)3nm還遙不可及。
