臺積電在(zai)第一季度財報(bao)電話會議(yi)上(shang)宣(xuan)布(bu)，正在(zai)開發下一代工藝(yi)節點。據悉，該半(ban)導體巨頭(tou)計劃在(zai)今年(nian)晚些時候，投產首批3納米工藝(yi)，并在(zai) 2025年(nian)底前做好2納米工藝(yi)的準備。
在電話會議上，高(gao)盛公(gong)司(si)的分析師Bruce Lee向臺積電首席執行(xing)官魏哲家(jia)(C.C. Wei)，提及關(guan)于通貨膨脹和整(zheng)個(ge)經濟的問(wen)題。魏哲家(jia)回應(ying)稱，臺積電作為(wei)全球領先(xian)的代工企業，有(you)能力應(ying)對市場的波動。
此外(wai)，魏哲(zhe)家表示(shi)：“臺(tai)積(ji)電的(de)N2開發正在進(jin)行(xing)中(zhong)，N2將(jiang)持續延續技(ji)術領(ling)先地位，支持客戶(hu)的(de)增長。而且計劃(hua)在2025年投產，預生產將(jiang)在2024年開始(shi)”。
據悉，在N2上(shang)，臺(tai)積電首次(ci)使用 GAA FET(全環(huan)繞柵極晶體管)，逐漸(jian)取代 finFET (鰭式場(chang)效應晶體管)。
今年(nian)下半年(nian)，臺積電將把(ba)N3工藝(yi)投(tou)入(ru)(ru)生產(chan)。一(yi)年(nian)后，或者可(ke)能更早，它將準備將N3E工藝(yi)投(tou)入(ru)(ru)生產(chan)，這是N3的"增強(qiang)性能、功率和(he)產(chan)量"版(ban)本。
臺積電(dian)預測，HPC(高性能計算)將是(shi)其今年增長(chang)最快(kuai)的(de)領域。上一季度(du)HPC產生了41%的(de)收入，僅比智能手機產生的(de)40%略(lve)高。
物聯網和汽車(che)排(pai)在第三和第四位，分別創造了8%和5%的(de)收入(ru)。
