據韓聯社5月19日報道,三星電子預計將在5月(yue)20日向參觀其平澤半導體(ti)工廠的美國總統(tong)拜登介紹其“世界首創的”3 納米下一代半導體(ti)工藝(yi)技術。
業內(nei)人士19日聲稱:三星電子有望(wang)向拜登介紹“全球首(shou)款”基于下一代GAA(Gate-All-Around)技(ji)術的3納米半(ban)導體產品原型(xing),該(gai)產品預計(ji)即將開(kai)始(shi)量(liang)產。