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據韓聯社5月19日報道，三(san)星電子(zi)預計(ji)將(jiang)在(zai)5月20日向參觀其(qi)平澤半導體工廠的(de)美國總統拜登介(jie)紹其(qi)“世(shi)界(jie)首(shou)創的(de)”3 納米(mi)下一代半導體工藝技術。

業(ye)內人士19日聲(sheng)稱(cheng)：三星電子有(you)望向拜登介(jie)紹“全球首款(kuan)”基于下一代GAA（Gate-All-Around）技(ji)術(shu)的3納米(mi)半(ban)導體產品(pin)(pin)原(yuan)型，該產品(pin)(pin)預(yu)計即將開始量產。