4月24日消息，據英國《金融時報》報道稱，如果中國政府禁止美國存儲芯片制造商美(mei)光(guang)科技(Micron)在(zai)大陸(lu)銷售芯(xin)片(pian)，美(mei)國(guo)將(jiang)要求(qiu)韓國(guo)政府敦促其芯(xin)片(pian)制造商（三星、SK海力士(shi)）不要填補中國(guo)的任何市場空白。
報道援引四位知情人士透露，美國在韓國總統尹錫悅準備在本周一前往美國華(hua)盛(sheng)頓之(zhi)際提出了(le)這(zhe)一要求(qiu)。
知(zhi)情人士(shi)表示，如果(guo)美(mei)光因(yin)此次(ci)調查而(er)被(bei)禁(jin)售(shou)，華(hua)盛頓(dun)將要求首爾鼓勵韓國(guo)存儲芯片(pian)制造商(shang)三星電子(zi)和(he)SK海力士(shi)停止增加對中國(guo)大陸的銷售(shou)。
今年3月31日晚間，中國國家(jia)互聯(lian)網信(xin)息辦公(gong)室下設的“網絡(luo)(luo)安(an)(an)全(quan)(quan)審查(cha)辦公(gong)室”宣布按照《網絡(luo)(luo)安(an)(an)全(quan)(quan)審查(cha)辦法(fa)》對美國存(cun)儲芯片大(da)廠美光公(gong)司在華銷(xiao)售的產品實(shi)施網絡(luo)(luo)安(an)(an)全(quan)(quan)審查(cha)。
對(dui)此，美光回應稱正(zheng)與中(zhong)(zhong)國(guo)政府合(he)作(zuo)，其在中(zhong)(zhong)國(guo)的(de)運(yun)營是正(zheng)常的(de)。
根據TrendForce的(de)數據顯示，美(mei)光在(zai)(zai)2022Q4 NAND Flash市場(chang)(chang)的(de)份額為(wei)10.7%，排在(zai)(zai)三(san)星（33.8%）、鎧俠（19.1%）、SK海力士(shi)（17.1%）、西部數據（16.1%）之后。美(mei)光在(zai)(zai)2022Q4 DRAM市場(chang)(chang)的(de)份額為(wei)23.0%，僅次(ci)于三(san)星（45.1%）和SK海力士(shi)（27.7%）。另有數據顯示，目前以長江(jiang)存儲(chu)和長鑫存儲(chu)為(wei)代表的(de)國產存儲(chu)芯(xin)(xin)片(pian)廠商在(zai)(zai)全球整(zheng)個(ge)存儲(chu)芯(xin)(xin)片(pian)（NAND＋DRAM）市場(chang)(chang)的(de)份額僅有4.6%左右。
總體(ti)來看(kan)，國產(chan)存儲芯片廠商在全球市場上的份額仍然是非(fei)常的低。
那么一旦美光在國(guo)內被禁售，同(tong)時三星(xing)、SK海力(li)士又不去填補(bu)市場(chang)的情況下(xia)，國(guo)產(chan)存儲芯片廠商能否吃(chi)下(xia)空出的市場(chang)？
根據美(mei)光(guang)的(de)(de)財(cai)報顯示，2022財(cai)年美(mei)光(guang)來(lai)自中(zhong)國(guo)大陸的(de)(de)銷售收入為(wei)約(yue)33億美(mei)元（包(bao)括了(le)向(xiang)江波龍、佰(bai)維存(cun)儲等銷售的(de)(de)存(cun)儲晶圓），占比(bi)約(yue)10.7%。也(ye)就是說，如果美(mei)光(guang)在(zai)國(guo)內被禁(jin)售，對于國(guo)產(chan)存(cun)儲芯片廠商來(lai)說，就將會(hui)出現33億美(mei)元的(de)(de)市場(chang)機會(hui)。
根據資料顯示，長鑫存(cun)(cun)儲(chu)作為國(guo)內(nei)一(yi)體(ti)化(hua)存(cun)(cun)儲(chu)器制造(zao)商，專(zhuan)業從事動態隨機(ji)存(cun)(cun)取(qu)存(cun)(cun)儲(chu)芯(xin)片(pian)(DRAM)的(de)設(she)計(ji)、研發、生產和銷售，目前已建成中(zhong)國(guo)第一(yi)座12英寸晶圓廠(chang)并投產。2018年，長鑫存(cun)(cun)儲(chu)研發了國(guo)內(nei)首個8Gb DDR4芯(xin)片(pian)，2019年三季度成功量產19nm工(gong)藝的(de)DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯(xin)片(pian)。
產(chan)能(neng)方面，長鑫存儲在(zai)2020年(nian)、2021年(nian)分別實現了(le)4.5萬(wan)片(pian)晶圓(yuan)/月(yue)、6萬(wan)片(pian)晶圓(yuan)/月(yue)的目(mu)標，2022年(nian)的產(chan)能(neng)目(mu)標是12萬(wan)片(pian)晶圓(yuan)/月(yue)，未來的產(chan)能(neng)目(mu)標是30萬(wan)片(pian)晶圓(yuan)/月(yue)。
目前(qian)長鑫存儲的DRAM芯(xin)片也已經獲(huo)得(de)了威(wei)剛科技(ji)、江(jiang)波龍FORESEE等眾多存儲品牌廠商(shang)的采用。
至于國(guo)產(chan)(chan)NAND Flash芯片(pian)大廠長(chang)江(jiang)存儲(chu)，其(qi)早在(zai)2017年就(jiu)研制(zhi)(zhi)成功(gong)了(le)中(zhong)國(guo)第一(yi)顆3D NAND閃(shan)存芯片(pian)。2018年長(chang)江(jiang)存儲(chu)的32層(ceng)(ceng)NAND Flash的量(liang)產(chan)(chan)，國(guo)產(chan)(chan)閃(shan)存芯片(pian)終(zhong)于實(shi)現(xian)了(le)量(liang)產(chan)(chan)突破。2019年9月長(chang)江(jiang)存儲(chu)正式宣布，成功(gong)量(liang)產(chan)(chan)基于自研的Xtacking架(jia)(jia)構的64層(ceng)(ceng)256Gb TLC 3D NAND Flash。2020年4月13日，長(chang)江(jiang)存儲(chu)又宣布其(qi)128層(ceng)(ceng)QLC 3D NAND 閃(shan)存研發成功(gong)，密度(du)遠超一(yi)線大廠，并已(yi)在(zai)多(duo)家控制(zhi)(zhi)器廠商SSD等(deng)終(zhong)端存儲(chu)產(chan)(chan)品(pin)上通過驗證。目前，長(chang)江(jiang)存儲(chu)的NAND Flash已(yi)有被眾多(duo)的存儲(chu)品(pin)牌采用。去年，長(chang)江(jiang)存儲(chu)的Xtacking架(jia)(jia)構也已(yi)經演進到了(le)第三代。
產(chan)能方(fang)面，2016年12月，以(yi)長江存儲為(wei)主體的國家(jia)存儲器基地正(zheng)式(shi)開(kai)工建設，其(qi)中包(bao)括3座全(quan)球單座潔凈面積最(zui)大(da)的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發大(da)樓和其(qi)他若干配(pei)套(tao)建筑(zhu)，項目建成后總產(chan)能將達(da)到30萬片/月。
由(you)于長(chang)鑫存儲(chu)和長(chang)江(jiang)存儲(chu)都不是(shi)上市公(gong)司，其(qi)官方(fang)也并未對外(wai)透(tou)露(lu)過(guo)相關(guan)財務數據(ju)，因(yin)此難(nan)以獲悉其(qi)具體(ti)的營(ying)收情況。
不過，根據(ju)彭博社(she)此(ci)前的(de)(de)報道(dao)稱(cheng)，長鑫(xin)存儲2022年(nian)的(de)(de)收(shou)入已(yi)經達到了17億(yi)美元。另外根據(ju)Gartner此(ci)前公布的(de)(de)一張(zhang)圖(tu)表顯示，長江存儲2022年(nian)的(de)(de)營(ying)收(shou)大約在21億(yi)美元左右。
需要指出的(de)是，在美(mei)光2022財(cai)年的(de)收入(ru)當中，DRAM營(ying)收占(zhan)比約73%，NAND Flash占(zhan)比約26%。也就是說，如(ru)果長(chang)鑫存儲(chu)和長(chang)江存儲(chu)要填補(bu)美(mei)光可能將(jiang)空出的(de)33億美(mei)元的(de)市場機會(hui)，需要各自將(jiang)營(ying)收在2022年的(de)基礎上(shang)分別增加約24億美(mei)元和9億美(mei)元。
考(kao)慮到去年(nian)整個存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)芯片市(shi)場(chang)需(xu)求偏弱，且價格持續下(xia)滑(hua)，如果去年(nian)長鑫存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)和(he)長江(jiang)存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)的(de)(de)平均產(chan)能(neng)利用(yong)率按照80%來看的(de)(de)話(hua)，這也意味著長鑫存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)需(xu)要(yao)將現有(you)產(chan)能(neng)利用(yong)率提(ti)升(sheng)到100%的(de)(de)基礎上(shang)，可能(neng)還需(xu)要(yao)增(zeng)加(jia)一倍以上(shang)的(de)(de)產(chan)能(neng)才能(neng)吃下(xia)美光空出的(de)(de)市(shi)場(chang)。而長江(jiang)存(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)(chu)也需(xu)要(yao)將現有(you)產(chan)能(neng)利用(yong)率提(ti)升(sheng)到100%的(de)(de)基礎上(shang)，再增(zeng)加(jia)大(da)約20%的(de)(de)產(chan)能(neng)。
雖然，目前長(chang)鑫(xin)存(cun)儲和長(chang)江(jiang)存(cun)儲都在(zai)積極的(de)準備擴大(da)產(chan)能，但是(shi)由(you)于去年(nian)10月(yue)，美國出(chu)臺了針對中(zhong)國半(ban)導(dao)體產(chan)業的(de)出(chu)口管制(zhi)新(xin)規(gui)，其中(zhong)就有明確限(xian)制(zhi)向中(zhong)國銷(xiao)售可以(yi)(yi)被用于128層及(ji)以(yi)(yi)上3D NAND、18nm及(ji)以(yi)(yi)下(xia)DRAM制(zhi)造的(de)相關設備。此舉不僅(jin)限(xian)制(zhi)了長(chang)江(jiang)存(cun)儲、長(chang)鑫(xin)存(cun)儲等中(zhong)國本土存(cun)儲芯(xin)片制(zhi)造商(shang)的(de)技(ji)術升級和產(chan)能擴張(zhang)，同時(shi)也影響到了三星、SK海力士在(zai)中(zhong)國大(da)陸的(de)技(ji)術升級和產(chan)能擴張(zhang)。
即(ji)便長(chang)(chang)鑫存(cun)儲、長(chang)(chang)江存(cun)儲的(de)擴產(chan)能夠依(yi)靠國產(chan)設備廠的(de)助力繼續推進(jin)，從建廠到量產(chan)仍(reng)然是需要(yao)較長(chang)(chang)的(de)時間周期。這(zhe)也(ye)意味著，僅(jin)僅(jin)依(yi)靠長(chang)(chang)鑫存(cun)儲和長(chang)(chang)江存(cun)儲還(huan)不足以(yi)吃下美光(guang)空出的(de)市場。而且這(zhe)還(huan)是在沒有考(kao)慮產(chan)品技(ji)術(shu)差(cha)距的(de)基礎上。
不(bu)(bu)過(guo)，如(ru)果(guo)國內的江波龍、佰維存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)等(deng)(deng)存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)模組廠(chang)商(shang)有(you)采購美(mei)光(guang)的存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)晶(jing)圓(yuan)來制造自(zi)(zi)有(you)品(pin)(pin)牌的存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)芯片(pian)不(bu)(bu)受影響的話，那(nei)么禁(jin)售(shou)美(mei)光(guang)，即(ji)便三星(xing)、SK海力士不(bu)(bu)來填(tian)補(bu)市(shi)場空白，江波龍、佰維存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)等(deng)(deng)可以通過(guo)加大采購美(mei)光(guang)的晶(jing)圓(yuan)來填(tian)補(bu)部分(fen)市(shi)場空白。但(dan)是，如(ru)果(guo)只是禁(jin)售(shou)美(mei)光(guang)自(zi)(zi)有(you)品(pin)(pin)牌的存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)產(chan)(chan)品(pin)(pin)，不(bu)(bu)禁(jin)美(mei)光(guang)存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)晶(jing)圓(yuan)的在(zai)(zai)(zai)(zai)華銷售(shou)，這似乎又顯得有(you)點不(bu)(bu)夠“嚴(yan)謹”。因為(wei)，如(ru)果(guo)認定美(mei)光(guang)在(zai)(zai)(zai)(zai)華銷售(shou)的產(chan)(chan)品(pin)(pin)存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)在(zai)(zai)(zai)(zai)網(wang)絡安全(quan)問題，那(nei)么美(mei)光(guang)在(zai)(zai)(zai)(zai)華銷售(shou)的存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)晶(jing)圓(yuan)自(zi)(zi)然也(ye)同樣可能也(ye)存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)在(zai)(zai)(zai)(zai)網(wang)絡安全(quan)問題，畢竟(jing)存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)產(chan)(chan)品(pin)(pin)的核心就是存(cun)(cun)(cun)(cun)(cun)儲(chu)芯片(pian)本(ben)身。
