就存儲器件的發展話題，編輯部采訪了東芯半導體股份有(you)限(xian)公司副總經理(li) 陳磊、億鑄科技(ji)創始人、董(dong)事長兼CEO 熊大鵬博士(shi)、記憶科技(ji)有(you)關人員(yuan)，文章(zhang)由受訪嘉賓的分(fen)享整理(li)而(er)成。
來源：《中國電子商情》
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存(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi)件(jian)行業在AI浪潮的簇擁(yong)下加速發(fa)展，高(gao)(gao)容量、高(gao)(gao)帶寬成為存(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi)件(jian)主(zhu)要(yao)(yao)技術(shu)升(sheng)級方(fang)向(xiang)。存(cun)儲(chu)(chu)器(qi)(qi)件(jian)上游廠商推(tui)進技術(shu)革(ge)新，廠商格局集(ji)中，DRAM、閃存(cun)(NAND Flash和NOR Flash)晶圓廠商主(zhu)要(yao)(yao)為長江存(cun)儲(chu)(chu)、長鑫、三星、SK海力(li)士、美光、鎧俠等。國信(xin)證券研究報告(gao)顯示，DRAM排名(ming)前三的廠商市占(zhan)(zhan)率超95%，主(zhu)要(yao)(yao)產品為移動設備和服務器(qi)(qi);NAND Flash排名(ming)前六的廠商市占(zhan)(zhan)率98%，主(zhu)要(yao)(yao)產品為SSD(固(gu)態硬盤)。
存儲器件下游細分應用較多，具有定制化和長尾特點，主要由存儲模組廠商開拓，實現從標準化晶圓到模組和終端產品的轉化，涉及主控芯片、固件(jian)開發、封(feng)測等環節，最終以(yi)成品形式推向市場。目前中國存儲產品需求占全球30%，自給率低于(yu)10%，芯(xin)片、模(mo)組、封(feng)裝、設備等產業鏈各(ge)個環節都有不同(tong)程(cheng)度的國產化。
01
中小容量是國產化主戰場
目前(qian)存儲器件的海外龍頭陸續將產能轉向大(da)容(rong)量、高毛利(li)存儲器件，國(guo)內廠商(shang)在中小(xiao)容(rong)量領域逐步獲得市占，營收和(he)體量穩(wen)步增長。
1、DRAM
中小容量(liang)DRAM產品主(zhu)要(yao)為(wei)利基型(xing)市場，即用于電(dian)視、機(ji)頂盒等(deng)消費型(xing)電(dian)子與(yu)網絡通信等(deng)產品上，多數(shu)為(wei)非(fei)主(zhu)流(liu)DRAM產品，市場規模將繼續保持增長。國內主(zhu)要(yao)廠(chang)商包括兆易創(chuang)新、北京(jing)君正、東芯半導(dao)體、南亞科技等(deng)。
DRAM是(shi)市場(chang)主要的(de)易失性(xing)存儲產品之一(yi)，具有(you)讀寫速度(du)快的(de)特點，常被(bei)用于系(xi)統硬(ying)件的(de)運(yun)行內存，對系(xi)統中的(de)指令和(he)數據進(jin)行處(chu)理。
按(an)照應用(yong)劃分，服務器和PC領域的DRAM標準為DDR;手機、平板等(deng)移動(dong)設(she)備(bei)中的DRAM為LPDDR;GPU中的DRAM為GDDDR。其(qi)中，利基DRAM多為LPDDR，這部(bu)分產(chan)品(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)的國(guo)產(chan)率比較高。例如東芯半導體的LPDDR系(xi)列(lie)產(chan)品(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)目前具(ju)有(you)LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X三個系(xi)列(lie)。LPDDR1的核心(xin)電壓(ya)與IO電壓(ya)均(jun)低(di)至1.8V;LPDDR2電源電壓(ya)VDDCA/VDDQ低(di)至1.2V;LPDDR4X的VDDQ更低(di)至0.6V產(chan)品(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)適(shi)合(he)應用(yong)在各種移動(dong)設(she)備(bei)中。LPDDR系(xi)列(lie)產(chan)品(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)廣(guang)泛應用(yong)于可(ke)穿戴、遙控設(she)備(bei)等(deng)便攜式產(chan)品(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)。國(guo)內廠(chang)商不斷(duan)豐富DRAM自研產(chan)品(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)組合(he)，提高產(chan)品(pin)(pin)(pin)(pin)(pin)市場競(jing)爭力。
圖注：東芯半導體股份有限公司副總經理 陳磊
2、NAND Flash
SSD與嵌入式存儲為NAND Flash模組的主要產品，以企業級與行業級SSD為主增長點，同時，5G通信、汽車電子、物聯網等快(kuai)速發展推動中小容量(liang)NAND Flash市場的發展。
我國(guo)在(zai)中小容(rong)量NAND Flash領域(yu)取(qu)得(de)了一(yi)定的(de)(de)進展，形成了具有(you)國(guo)際競爭力(li)的(de)(de)廠商(shang)和(he)品(pin)牌。東(dong)芯半(ban)導體(ti)股份有(you)限公司副總經理陳磊(lei)介(jie)紹，在(zai)NAND Flash產品(pin)上，主(zhu)要(yao)廠商(shang)有(you)三星電子、鎧俠、海力(li)士、美光科技等國(guo)際企業，占(zhan)據全球主(zhu)要(yao)市(shi)(shi)場，產品(pin)類型(xing)以大(da)容(rong)量存(cun)儲的(de)(de)3D NAND Flash為主(zhu)。國(guo)產化需求不斷提高，國(guo)內(nei)企業將迎來良(liang)好的(de)(de)發展契機，目前在(zai)低容(rong)量2D NAND Flash市(shi)(shi)場。
在(zai)(zai)(zai)產(chan)品(pin)(pin)方面，通過(guo)差異化市場(chang)(chang)需求切(qie)入(ru)該細分領(ling)(ling)域市場(chang)(chang)，東芯(xin)(xin)(xin)半(ban)導體(ti)(ti)聚(ju)焦平面型SLC NAND Flash的設計(ji)與研(yan)發，主要產(chan)品(pin)(pin)采(cai)用浮柵型工藝結構，存(cun)儲容量覆蓋512Mb至32Gb，可(ke)靈活(huo)選擇SPI或(huo)PPI類型接口，搭配3.3V/1.8V兩種(zhong)電壓，可(ke)滿足客戶在(zai)(zai)(zai)不(bu)同(tong)(tong)應(ying)用領(ling)(ling)域及應(ying)用場(chang)(chang)景的需求。目前該產(chan)品(pin)(pin)在(zai)(zai)(zai)國(guo)內已取得技術及市場(chang)(chang)競爭優勢，NAND Flash產(chan)品(pin)(pin)核心技術優勢明(ming)顯，尤其是SPI NAND Flash，東芯(xin)(xin)(xin)半(ban)導體(ti)(ti)采(cai)用了單顆集成技術，將(jiang)存(cun)儲陣(zhen)列、ECC模(mo)塊與接口模(mo)塊統(tong)一集成在(zai)(zai)(zai)同(tong)(tong)一芯(xin)(xin)(xin)片內。產(chan)品(pin)(pin)在(zai)(zai)(zai)耐久性、數據(ju)保(bao)(bao)持特性等方面表現穩定，不(bu)僅在(zai)(zai)(zai)工業溫控標(biao)(biao)準下(xia)單顆芯(xin)(xin)(xin)片擦寫次(ci)數已經超過(guo)10萬次(ci)，同(tong)(tong)時可(ke)在(zai)(zai)(zai)-40℃至105℃的極端環境下(xia)保(bao)(bao)持數據(ju)有效性長達10年，產(chan)品(pin)(pin)可(ke)靠(kao)性逐步從工業級(ji)標(biao)(biao)準向車規級(ji)標(biao)(biao)準邁進。
依(yi)托(tuo)于(yu)市場(chang)(chang)需(xu)(xu)求，國產(chan)(chan)(chan)存儲廠商憑借技術實力和(he)產(chan)(chan)(chan)品(pin)線提升(sheng)在細(xi)分領(ling)域獲(huo)得市占率。東芯半(ban)(ban)導體(ti)聚焦SLC NAND Flash的(de)設計與研發，SLC市場(chang)(chang)規模(mo)占整體(ti)NAND份額(e)較小，因(yin)此(ci)內地廠商替代空(kong)間巨(ju)大，東芯半(ban)(ban)導體(ti)通過差異化(hua)市場(chang)(chang)需(xu)(xu)求切入(ru)該細(xi)分領(ling)域市場(chang)(chang)，產(chan)(chan)(chan)品(pin)種類多樣(yang)，核心技術明顯，基于(yu)2xnm制(zhi)程上持續開發新(xin)產(chan)(chan)(chan)品(pin)，不(bu)斷擴充(chong)SLC NAND Flash產(chan)(chan)(chan)品(pin)線，并(bing)已(yi)推(tui)進(jin)至1xnm先進(jin)制(zhi)程。2022年，東芯半(ban)(ban)導體(ti)自主設計研發的(de)SLC NAND Flash產(chan)(chan)(chan)品(pin)作為(wei)公司的(de)拳頭(tou)產(chan)(chan)(chan)品(pin)已(yi)進(jin)入(ru)各(ge)領(ling)域標桿客戶(hu)的(de)供應鏈(lian)體(ti)系。
02
主控芯片、封裝方面技術成熟
國產存(cun)儲器件(jian)廠商(shang)在封(feng)裝(zhuang)和主控(kong)芯(xin)片(pian)方面具有(you)豐(feng)富經驗(yan)和技術(shu)實力。擁有(you)先進(jin)的(de)(de)封(feng)裝(zhuang)設(she)備和工藝，能(neng)夠根據市場需求進(jin)行(xing)主控(kong)芯(xin)片(pian)的(de)(de)定制化設(she)計，提供(gong)高(gao)性(xing)能(neng)產品，此外(wai)，國內存(cun)儲器件(jian)廠商(shang)還善(shan)于供(gong)應鏈(lian)管(guan)理，注重與供(gong)應鏈(lian)上下游企業(ye)的(de)(de)合作，通過共享信息和資源，提高(gao)供(gong)應鏈(lian)的(de)(de)效(xiao)率和靈活性(xing)。
1、主控芯片
主控芯(xin)片是存(cun)儲產(chan)品的(de)配套(tao)芯(xin)片之一，受益于上游(you)產(chan)能(neng)影響，內存(cun)模組和SSD主控芯(xin)片國(guo)產(chan)化率逐(zhu)漸提升，供應商(shang)包括(kuo)慧榮科技、群聯、Marvell、國(guo)科微、記憶(yi)科技、得(de)一微、聯蕓科技、華瀾微等。
據記憶科技有關(guan)人(ren)員介(jie)紹(shao)，SSD成本受存儲(chu)芯(xin)片和閃存顆粒的行情影響(xiang)較大(da)，價(jia)格隨著(zhu)上游波(bo)動而頻繁波(bo)動，尤其(qi)是近幾年市場(chang)行情變化較激烈(lie)，目前國內大(da)部分存儲(chu)廠(chang)商都需從海外購(gou)買存儲(chu)芯(xin)片和閃存顆粒。
圖(tu)注：記憶科技SSD實現主(zhu)控芯(xin)片和閃存(cun)顆粒國產化
從降(jiang)低供(gong)(gong)(gong)應鏈(lian)(lian)風(feng)險、提升產品設計自主的角度來看，擴展上(shang)游供(gong)(gong)(gong)應商，成(cheng)為存儲(chu)器件廠商的供(gong)(gong)(gong)應鏈(lian)(lian)管理的策略之一(yi)。實際(ji)上(shang)，國內已(yi)經有成(cheng)熟的模組設計制造產業鏈(lian)(lian)，國產率相(xiang)對較高(gao)。
記憶(yi)科(ke)技一方面具有存(cun)(cun)儲芯(xin)片研發能力，主(zhu)控(kong)可(ke)應用于自(zi)身SSD產(chan)品;同(tong)時(shi)基于市(shi)場規模早已經和(he)上游廠商建立并(bing)保(bao)持了(le)長期穩(wen)(wen)定(ding)(ding)的(de)(de)(de)合作關系，使(shi)其(qi)在(zai)市(shi)場較為動蕩的(de)(de)(de)時(shi)候，仍可(ke)以比國內其(qi)他友商獲得(de)較為穩(wen)(wen)定(ding)(ding)的(de)(de)(de)商務優勢。在(zai)SSD的(de)(de)(de)核(he)心組成部件里，記憶(yi)科(ke)技實現了(le)主(zhu)控(kong)芯(xin)片和(he)閃存(cun)(cun)顆粒的(de)(de)(de)國產(chan)化，并(bing)且還具備自(zi)主(zhu)封測能力，產(chan)品的(de)(de)(de)國產(chan)率較高。其(qi)自(zi)研控(kong)制(zhi)器經過10多年(nian)的(de)(de)(de)發展，已迭代了(le)多個代次，其(qi)中(zhong)面向(xiang)企(qi)(qi)(qi)業(ye)級應用的(de)(de)(de)核(he)心企(qi)(qi)(qi)業(ye)級主(zhu)控(kong)芯(xin)片使(shi)用12nm制(zhi)程，與業(ye)界(jie)領先工藝(yi)對(dui)齊，是國內少(shao)數可(ke)同(tong)時(shi)支撐(cheng)PCIe以及SAS雙協(xie)議棧(zhan)的(de)(de)(de)產(chan)品，具有高可(ke)靠性，可(ke)滿足(zu)企(qi)(qi)(qi)業(ye)級存(cun)(cun)儲的(de)(de)(de)核(he)心要(yao)求(qiu)，累計發貨量已達百萬級，在(zai)記憶(yi)科(ke)技多款主(zhu)流企(qi)(qi)(qi)業(ye)級SSD產(chan)品中(zhong)均有應用。
2、封裝測試
嵌入式應用(yong)和(he)下(xia)游終端產(chan)品形(xing)態較多，國(guo)內存(cun)儲(chu)器件廠商已(yi)(yi)經具(ju)備(bei)成熟的(de)(de)封(feng)測制造(zao)能力(li)。通(tong)過(guo)創新，國(guo)內廠商已(yi)(yi)經具(ju)備(bei)實力(li)，例如(ru)記(ji)憶(yi)科技(ji)已(yi)(yi)掌握大容量(liang)、高(gao)密度、超薄系統級(ji)產(chan)品封(feng)裝(zhuang)(zhuang)測試的(de)(de)核心(xin)工(gong)藝(yi)，并完成產(chan)品的(de)(de)多次迭代，封(feng)測技(ji)術在模式、工(gong)藝(yi)、精度、技(ji)術布局等關鍵領(ling)域領(ling)跑，自封(feng)介質覆(fu)蓋(gai)企(qi)業(ye)級(ji)、消費級(ji)，嵌入式存(cun)儲(chu)產(chan)品。依托全流程、端到端的(de)(de)企(qi)業(ye)綜合實力(li)和(he)嚴謹的(de)(de)技(ji)術工(gong)藝(yi)，記(ji)憶(yi)科技(ji)所有SSD產(chan)品的(de)(de)存(cun)儲(chu)介質都堅(jian)持(chi)自主封(feng)測，也(ye)正因如(ru)此，記(ji)憶(yi)科技(ji)已(yi)(yi)成為(wei)國(guo)內為(wei)數不多具(ju)備(bei)全流程SSD制造(zao)能力(li)和(he)封(feng)測能力(li)的(de)(de)存(cun)儲(chu)品牌(pai)。在嵌入式領(ling)域，記(ji)憶(yi)科技(ji)高(gao)性能低功(gong)耗(hao)的(de)(de)產(chan)品特(te)性，適(shi)配(pei)當(dang)前輕薄化電子(zi)產(chan)品;多容量(liang)特(te)性可滿足小封(feng)裝(zhuang)(zhuang)尺(chi)寸和(he)快速接口的(de)(de)行業(ye)標準。
封(feng)測的(de)基礎實力造(zao)就了國產(chan)存儲產(chan)品(pin)組合(he)的(de)多(duo)樣性(xing)。例如(ru)東芯(xin)半導體的(de)MCP系列(lie)產(chan)品(pin)具有(you)NAND Flash和DDR多(duo)種容量組合(he)，Flash和DDR均為(wei)低電壓(ya)的(de)設(she)(she)計(ji)(ji)，核(he)心電壓(ya)1.8V可滿足目前移動互聯網和物聯網對低功耗的(de)需求。其中(zhong)DDR包含(han)LPDDR1/LPDDR2兩種規(gui)格使其選(xuan)擇更加靈活豐富。MCP可將Flash和DDR合(he)二為(wei)一進行封(feng)裝，簡化(hua)走線設(she)(she)計(ji)(ji)，節省組裝空間，高(gao)效集成電路，提高(gao)產(chan)品(pin)穩(wen)定性(xing)，被(bei)廣范應用于(yu)功能手機、MIFI、通(tong)訊模塊等(deng)產(chan)品(pin)中(zhong)。
03
未來已來：ReRAM存算一體
國內存(cun)(cun)儲(chu)器(qi)(qi)件(jian)產業鏈下游(you)比較成(cheng)熟，具有豐富的(de)產品，實際上在上游(you)存(cun)(cun)儲(chu)芯片領域，除了(le)常見的(de)長江(jiang)存(cun)(cun)儲(chu)、長鑫等晶圓廠，面向AI服務器(qi)(qi)和數據中心對(dui)算力的(de)需求，國內廠商也在前沿技術上追趕突破。
1、HBM與3D DRAM殊途同歸
GhatGPT推(tui)動了生成(cheng)式(shi)AI發展，也(ye)提升了HBM(高帶寬存(cun)儲(chu)(chu)器)和3D DRAM(三維動態隨(sui)機存(cun)取存(cun)儲(chu)(chu)器)在存(cun)儲(chu)(chu)器件行業的地(di)位(wei)，作為(wei)當前先進存(cun)儲(chu)(chu)技術，兩者的區(qu)別包含幾點(dian)：
第一，結構(gou)(gou)。HBM是一種通(tong)過(guo)多個垂直堆(dui)疊DRAM層(ceng)實現高帶寬的內存技術，使數據傳(chuan)輸(shu)更快速。3D DRAM也是一種垂直堆(dui)疊DRAM技術，但還可(ke)以包括括邏輯(ji)層(ceng)或其他功(gong)能(neng)層(ceng)，因此其結構(gou)(gou)可(ke)以更加(jia)多樣化。
第二，帶寬和性能(neng)。HBM專(zhuan)注于提供高帶寬內存(cun)，適用于高性能(neng)計(ji)算和圖(tu)形處理器(GPU)等領域，提供很高的內存(cun)帶寬，滿足(zu)大(da)規模(mo)數據傳輸需求(qiu)。3D DRAM用于各種應用，包括移動(dong)設備、服務器和嵌入式系(xi)統，性能(neng)因具(ju)體實現而異。
第三，適用領域。HBM通常用于高性能計算、深度學習、人工智能和大規模數據處理等(deng)需要高帶寬的任務。3D DRAM可(ke)以用(yong)于移動設(she)備(bei)、服務器(qi)、工(gong)作站(zhan)和嵌入(ru)式系統等(deng)。
億鑄科技創始(shi)人、董事長兼CEO熊大(da)鵬博士指出，HBM和3D DRAM基本解決同樣(yang)一個問(wen)題(ti)(ti)，即存(cun)儲(chu)芯片(pian)與主(zhu)芯片(pian)之(zhi)間的帶寬問(wen)題(ti)(ti)。目前(qian)，AI大(da)模型參(can)數(shu)傳到主(zhu)芯片(pian)的速(su)度不(bu)夠，需(xu)要(yao)HBM和3D DRAM讓外部存(cun)儲(chu)中的AI大(da)模型參(can)數(shu)傳輸(shu)到主(zhu)芯片(pian)。
圖注：億(yi)鑄(zhu)科技創始人(ren)、董(dong)事長(chang)兼(jian)CEO 熊大鵬博士
2、存算一體：解決帶寬問題的根本辦法
通過HBM和3D DRAM可以將帶寬提高2-5TOPS，甚至(zhi)可以更高，但技術升(sheng)級的不會太快，甚至(zhi)存在物(wu)理極限，這意味著AI芯片性能會遇(yu)到帶寬的天花板，這是AI應用(yong)的瓶頸。
由于大模型參數在(zai)(zai)芯片內，如果參數數據的每個BYTE的計(ji)算部(bu)分與存(cun)儲(chu)(chu)部(bu)分合為(wei)一體，存(cun)儲(chu)(chu)單元(yuan)同時就是(shi)乘法器、加法器，這種結構就不存(cun)在(zai)(zai)帶寬的問題，而這就是(shi)存(cun)算一體。
在帶寬問題上，“這是(shi)根本的解決之道”熊博士(shi)說到，HBM、3D DRAM是(shi)技(ji)術改良，而存算一體是(shi)技(ji)術革命。
由(you)于不需要(yao)外(wai)部存儲器，存算一體在成本方(fang)面也具有優勢。相比(bi)之下，HBM的成本大約(yue)每個G是40多美(mei)元(yuan)，20-30G的成本接近1000美(mei)元(yuan)，甚(shen)至比(bi)主(zhu)芯片還貴。
熊博(bo)士表示，存算(suan)一體在推(tui)理服務器的市(shi)場需(xu)求比(bi)較大，原(yuan)因在于存算(suan)一體可以解決用戶最關心(xin)的問題(ti)：
第一(yi)個是(shi)(shi)性價比和能(neng)效(xiao)比。推理端(duan)對性價比非常敏(min)感，成本可(ke)以精算到每(mei)(mei)一(yi)個token的(de)投(tou)資，即(ji)每(mei)(mei)一(yi)秒鐘、每(mei)(mei)一(yi)個token需要(yao)投(tou)資多少(shao)錢(qian)。每(mei)(mei)個token的(de)功耗也是(shi)(shi)推理端(duan)需要(yao)關注(zhu)的(de)。在大(da)模型領域，存算一(yi)體(ti)不(bu)管是(shi)(shi)性價比還是(shi)(shi)能(neng)效(xiao)比都能(neng)夠帶來數(shu)量級(ji)提升(sheng)。
第二(er)個(ge)是大(da)(da)模(mo)型(xing)的(de)(de)運營成本。功(gong)耗是大(da)(da)模(mo)型(xing)運營的(de)(de)最(zui)重要(yao)因素，“算(suan)力之爭(zheng)，即功(gong)耗之爭(zheng)”，存(cun)算(suan)一體可(ke)以同時降低大(da)(da)模(mo)型(xing)的(de)(de)部署和運營成本。據悉(xi)，億鑄科技基(ji)(ji)于新型(xing)憶阻器(qi)(ReRAM)的(de)(de)存(cun)算(suan)一體AI大(da)(da)算(suan)力芯(xin)片工程驗(yan)證芯(xin)片已回(hui)片點亮，打破存(cun)儲墻，基(ji)(ji)于傳(chuan)統(tong)工藝制程可(ke)實現低功(gong)耗單卡(ka)1000TOPS以上的(de)(de)算(suan)力。05小 結
目前消費(fei)電子市場需求(qiu)未復蘇，加(jia)上(shang)宏觀經濟增(zeng)速放緩和行(xing)業周期性波(bo)動等多(duo)重因素(su)影響，存(cun)儲器件(jian)市場景氣(qi)度下降。芯查查APP顯示(shi)，2023年上(shang)半年以來(lai)，存(cun)儲器件(jian)平(ping)均價格ASP下降，上(shang)游主(zhu)要存(cun)儲晶圓廠(chang)減產(chan)，以緩解行(xing)情對業績的影響，進入(ru)下半年，存(cun)儲器件(jian)市場的變化仍然(ran)有待觀察。
市(shi)(shi)場(chang)供求(qiu)關系的(de)變化是(shi)產(chan)品價(jia)格的(de)影響因素之一，因此市(shi)(shi)場(chang)需(xu)求(qiu)的(de)回(hui)暖將有助于(yu)價(jia)格的(de)反彈(dan)。在(zai)當前市(shi)(shi)場(chang)環(huan)境下，包括東芯(xin)半導(dao)體、記憶科技(ji)在(zai)內的(de)存儲器(qi)件廠商、以億鑄(zhu)科技(ji)為代表的(de)國內AI算力芯(xin)片設計企業，需(xu)要更加關注市(shi)(shi)場(chang)需(xu)求(qiu)，在(zai)逆境中(zhong)夯實核心實力，穩步提升市(shi)(shi)占率。
