IBM和三星聲稱他們已經在半導體設計方面取得了突破。在舊金山舉行的IEDM會議的第一天，這兩家公司公布了一種在芯片上垂(chui)直(zhi)(zhi)堆(dui)疊(die)晶(jing)(jing)體管(guan)的(de)新設(she)計(ji)。在目前(qian)的(de)處(chu)理器和SoC中，晶(jing)(jing)體管(guan)平放在硅的(de)表面，然后電流(liu)從一側流(liu)向另一側。相比之下，垂(chui)直(zhi)(zhi)傳輸(shu)場效(xiao)應晶(jing)(jing)體管(guan)（VTFET）彼此垂(chui)直(zhi)(zhi)放置，電流(liu)垂(chui)直(zhi)(zhi)流(liu)動
根據IBM和(he)三(san)星(xing)的(de)(de)說法，這種設(she)(she)計(ji)(ji)有兩(liang)個(ge)優(you)點。首先，它將(jiang)使(shi)(shi)(shi)他(ta)們(men)能夠繞過許(xu)多性(xing)能限制，使(shi)(shi)(shi)摩爾(er)定律超越IBM目前的(de)(de)納米片(pian)技術。更重要的(de)(de)是，由于更大的(de)(de)電(dian)流(liu)流(liu)動，這種設(she)(she)計(ji)(ji)導致(zhi)了更少(shao)的(de)(de)能量(liang)浪費。他(ta)們(men)估(gu)計(ji)(ji)，VTFET將(jiang)使(shi)(shi)(shi)處理器的(de)(de)速度比(bi)使(shi)(shi)(shi)用FinFET晶體管(guan)設(she)(she)計(ji)(ji)的(de)(de)芯片(pian)快(kuai)一倍，或(huo)減(jian)(jian)少(shao)85%的(de)(de)功率。IBM和(he)三(san)星(xing)聲稱，該工藝有朝(chao)一日(ri)可(ke)能允(yun)許(xu)手機(ji)在一次(ci)充電(dian)的(de)(de)情況下使(shi)(shi)(shi)用一整(zheng)個(ge)星(xing)期(qi)。他(ta)們(men)說，這也可(ke)以使(shi)(shi)(shi)某些能源密集型的(de)(de)任(ren)務，包括加密工作，更加省電(dian)，從而(er)減(jian)(jian)少(shao)對環境的(de)(de)影(ying)響。
IBM和三星還沒(mei)有說他們(men)計劃何時將該設計商業(ye)化。他們(men)并不是(shi)唯(wei)一試(shi)圖超越1納米(mi)障礙的(de)(de)公(gong)司(si)。今年7月(yue)，英特(te)爾表(biao)示，它的(de)(de)目標(biao)是(shi)在2024年之前最終(zhong)完成亞微(wei)米(mi)級芯(xin)片的(de)(de)設計。該公(gong)司(si)計劃利(li)用(yong)其新(xin)的(de)(de)"英特(te)爾20A"節點和RibbonFET晶(jing)體管完成這一壯(zhuang)舉。
在外媒報(bao)道刊出(chu)后，IBM隨(sui)后澄(cheng)清(qing)，VTFET將幫(bang)助它(ta)擴展到(dao)(dao)其現有的芯片技術(shu)之(zhi)外，而(er)不一定精選與擴展制程到(dao)(dao)1納米以(yi)下，同時(shi)公司還指出(chu)，性能或(huo)電池壽命方(fang)面可(ke)以(yi)看到(dao)(dao)長足進步，但如果要同時(shi)進行則會(hui)有難度。
