IBM和三星聲稱他們已經在半導體設計方面取得了突破。在舊金山舉行的IEDM會議的第一天，這兩家公司公布了一種在芯片上垂(chui)(chui)直(zhi)(zhi)堆(dui)疊晶(jing)體管(guan)(guan)的新設(she)計。在(zai)目(mu)前的處理器(qi)和SoC中，晶(jing)體管(guan)(guan)平放在(zai)硅的表面，然后(hou)電(dian)流從一側流向(xiang)另一側。相比之下，垂(chui)(chui)直(zhi)(zhi)傳輸場效(xiao)應晶(jing)體管(guan)(guan)（VTFET）彼此垂(chui)(chui)直(zhi)(zhi)放置(zhi)，電(dian)流垂(chui)(chui)直(zhi)(zhi)流動
根據IBM和三星的(de)(de)(de)(de)說法，這(zhe)種設(she)計有兩個優(you)點。首先，它將使(shi)他(ta)們能(neng)夠繞(rao)過許(xu)多(duo)性能(neng)限(xian)制(zhi)，使(shi)摩爾定律(lv)超越IBM目前的(de)(de)(de)(de)納米片技(ji)術。更(geng)重要(yao)的(de)(de)(de)(de)是，由(you)于更(geng)大的(de)(de)(de)(de)電流流動，這(zhe)種設(she)計導(dao)致了(le)更(geng)少的(de)(de)(de)(de)能(neng)量浪費。他(ta)們估計，VTFET將使(shi)處理器的(de)(de)(de)(de)速度比使(shi)用FinFET晶體管設(she)計的(de)(de)(de)(de)芯片快(kuai)一倍，或減少85%的(de)(de)(de)(de)功率。IBM和三星聲(sheng)稱，該工藝有朝一日可能(neng)允許(xu)手機在一次充電的(de)(de)(de)(de)情況下使(shi)用一整個星期。他(ta)們說，這(zhe)也可以(yi)使(shi)某些能(neng)源密(mi)集型的(de)(de)(de)(de)任(ren)務，包(bao)括加密(mi)工作(zuo)，更(geng)加省電，從(cong)而減少對環境(jing)的(de)(de)(de)(de)影響。
IBM和三星還沒有說他(ta)們計(ji)劃何時將該(gai)設計(ji)商業化。他(ta)們并不是(shi)唯(wei)一試圖超越1納(na)米(mi)(mi)障礙的公司。今年7月，英特爾(er)表(biao)示(shi)，它(ta)的目標是(shi)在(zai)2024年之前最終完成亞微米(mi)(mi)級(ji)芯片的設計(ji)。該(gai)公司計(ji)劃利用(yong)其新的"英特爾(er)20A"節點和RibbonFET晶體管完成這一壯舉。
在外(wai)媒報道(dao)刊出(chu)后，IBM隨后澄清(qing)，VTFET將幫助它(ta)擴展到(dao)(dao)其現(xian)有(you)的(de)芯(xin)片技術(shu)之外(wai)，而不(bu)一定精選與擴展制(zhi)程到(dao)(dao)1納米以(yi)下，同時(shi)公(gong)司還指出(chu)，性能或電池(chi)壽命方面(mian)可以(yi)看到(dao)(dao)長足(zu)進步，但(dan)如果要同時(shi)進行則會有(you)難(nan)度。
