2 月 8 日消息(xi)，南芯半導體今日發文稱，近日出現了一些關于小(xiao)米澎湃 P1 的不實傳言。官方現做(zuo)出回應。
據介紹，小米澎湃 P1 芯片為(wei)小米自研設計(ji)、南芯(xin)半(ban)導(dao)體代工（內部代號(hao) SC8561）。這(zhe)款芯(xin)片(pian)具備超高壓 4:1 充(chong)(chong)電(dian)架(jia)構，實現了 120W 單電(dian)芯(xin)充(chong)(chong)電(dian)，，支(zhi)持 1:1、2:1 和 4:1 的轉(zhuan)換模式，所(suo)有(you)模式均(jun)可雙向導(dao)通，可實現有(you)線 120W、無線 50W、無線反充(chong)(chong)等多種(zhong)充(chong)(chong)電(dian)功(gong)能。
今日早(zao)些時候，有微博用(yong)戶表示小米自(zi)研的澎(peng)湃 P1 芯片為外部購買的傳聞，針(zhen)對小米的“自(zi)研”工(gong)作進行造(zao)謠。
小(xiao)米在去年 12 月發布了(le)自研的第三款(kuan)芯(xin)片澎湃 P1。雷(lei)軍(jun)稱(cheng)，小(xiao)米 12 Pro 搭載澎湃 P1 充(chong)電芯(xin)片，行業首次實現“120W 單電芯(xin)”充(chong)電技(ji)術。
小米現已發布澎湃 P1 的詳細介紹，官方稱澎湃 P1 填補(bu)了(le) 120W 單電芯快充行業空(kong)白。
小米(mi)表(biao)示，過(guo)去的單電(dian)芯快(kuai)充體系(xi)中，要(yao)把(ba)輸入手機的 20V 電(dian)壓轉換(huan)成可以(yi)充入電(dian)池的 5V 電(dian)壓，需要(yao) 5 個不同(tong)種電(dian)荷(he)泵的串并聯電(dian)路。大量的電(dian)荷(he)泵和整體串聯的架(jia)構會帶來(lai)很大的發熱量，實(shi)際使用(yong)中完全無法做(zuo)到長時間滿功(gong)率運行，更難(nan)以(yi)做(zuo)到 120W 高(gao)功(gong)率快(kuai)充。
驅(qu)動小(xiao)米 120W 澎(peng)湃(pai)秒充的核心是(shi)兩(liang)顆小(xiao)米自研智(zhi)能充電(dian)(dian)芯片：澎(peng)湃(pai) P1。它們接管了(le)傳統的 5 電(dian)(dian)荷泵復雜結構，將輸入(ru)手機的高壓電(dian)(dian)能，更高效地轉換為可(ke)以直(zhi)充電(dian)(dian)池(chi)的大電(dian)(dian)流。
小(xiao)米表(biao)示，澎湃 P1 作(zuo)為(wei)業(ye)界(jie)首(shou)個諧振充電芯片，擁有自(zi)適(shi)應開關頻率的 4:1 超高效率架構，諧振拓撲效率高達 97.5%，非(fei)諧振拓撲效率為(wei) 96.8%，熱損(sun)耗直線下降 30% 。
澎(peng)湃(pai) P1 本(ben)身承擔了大量的(de)轉換(huan)(huan)工作(zuo)(zuo)：傳統電荷(he)泵(beng)只需要(yao)兩種工作(zuo)(zuo)模(mo)(mo)式（變(bian)壓、直(zhi)通），而澎(peng)湃(pai) P1 需要(yao)支持(chi)(chi) 1:1、2:1 和 4:1 轉換(huan)(huan)模(mo)(mo)式，并(bing)且所有的(de)模(mo)(mo)式都需要(yao)支持(chi)(chi)雙向(xiang)導通，這意(yi)味著總共需要(yao) 15 種排(pai)列組合的(de)模(mo)(mo)式切換(huan)(huan)控制(zhi) —— 是傳統電荷(he)泵(beng)的(de) 7 倍(bei)。正(zheng)向(xiang) 1:1 模(mo)(mo)式讓亮屏(ping)充(chong)電效(xiao)率(lv)更(geng)高，正(zheng)向(xiang) 2:1 模(mo)(mo)式可兼(jian)容更(geng)多(duo)充(chong)電器(qi)，正(zheng)向(xiang) 4:1 可支持(chi)(chi) 120W 澎(peng)湃(pai)秒充(chong)，反向(xiang) 1:2/1:4 模(mo)(mo)式可支持(chi)(chi)高功率(lv)反向(xiang)充(chong)電。
小米稱，澎(peng)湃 P1 也是小米充電效率(lv)(lv)最高(gao)(gao)的(de) 4:1 充電芯片，可做到(dao) 0.83W / mm2 超(chao)高(gao)(gao)功(gong)率(lv)(lv)密度，LDMOS 也達到(dao)業界領先超(chao)低 1.18mΩmm2 RSP。而(er)澎(peng)湃 P1 芯片內部(bu)需(xu)(xu)要(yao)(yao)用(yong)到(dao)三種不同耐(nai)壓(ya)的(de) FLY 電容(rong)，每顆電容(rong)需(xu)(xu)要(yao)(yao)獨立的(de)開短路(lu)保護電路(lu)，而(er)每種工(gong)作(zuo)模式又需(xu)(xu)要(yao)(yao)嚴格控制預充電壓(ya)，功(gong)率(lv)(lv)管數量接近傳(chuan)統電荷(he)泵(beng)(beng)的(de)兩倍。并(bing)且因(yin)為拓撲設(she)計(ji)和功(gong)能復雜(za)度的(de)提升，每片澎(peng)湃 P1 在出(chu)廠時都需(xu)(xu)要(yao)(yao)通過 2500 多(duo)項測試，遠高(gao)(gao)于(yu)傳(chuan)統電荷(he)泵(beng)(beng)。
IT之家了解到(dao)，即將(jiang)在 12 月(yue) 28 日發(fa)布的(de)小米(mi) 12 Pro 是第(di)一款搭載澎(peng)湃 P1 的(de)智(zhi)能手機，它(ta)支持(chi)有線 120W 澎(peng)湃秒(miao)充(chong)、50W 無線秒(miao)充(chong)和 10W 無線反(fan)向充(chong)電(dian)。小米(mi)表示，小米(mi) 12 Pro 的(de) 120W 澎(peng)湃秒(miao)充(chong)技術(shu)擁有兩(liang)擋模(mo)(mo)式(shi)：低溫模(mo)(mo)式(shi)，“溫度僅 37℃，體溫般舒適(shi)”；疾速模(mo)(mo)式(shi)，“一杯咖啡(fei)的(de)時間(jian)疾速滿電(dian)”。
