2 月 8 日(ri)消息(xi),南芯半導體今日(ri)發文稱(cheng),近日(ri)出(chu)現了(le)一些關于小米(mi)澎湃 P1 的(de)不實傳言。官方現做出(chu)回應。
據介紹,小米澎湃 P1 芯片為小米自研設計(ji)、南芯(xin)半(ban)導體(ti)代工(內部代號 SC8561)。這(zhe)款芯(xin)片具備超(chao)高壓 4:1 充(chong)電架構,實現(xian)了 120W 單電芯(xin)充(chong)電,,支持 1:1、2:1 和 4:1 的轉換模式,所有模式均(jun)可(ke)雙向導通(tong),可(ke)實現(xian)有線 120W、無(wu)線 50W、無(wu)線反充(chong)等多種充(chong)電功能。

今日早些(xie)時候,有微博用戶表(biao)示小米(mi)自研的澎湃(pai) P1 芯片為外部購買的傳(chuan)聞,針對小米(mi)的“自研”工作(zuo)進行造謠。

小米在去(qu)年 12 月發布(bu)了(le)自研的第三款(kuan)芯(xin)(xin)片(pian)澎湃 P1。雷(lei)軍稱,小米 12 Pro 搭載(zai)澎湃 P1 充(chong)電(dian)芯(xin)(xin)片(pian),行業首次實現“120W 單(dan)電(dian)芯(xin)(xin)”充(chong)電(dian)技術。
小米現已發布澎湃 P1 的詳細介紹,官方(fang)稱澎湃 P1 填補了 120W 單電芯快充行業空白。


小米表示,過(guo)去的單(dan)電(dian)(dian)芯快充(chong)體系中,要(yao)把輸(shu)入手(shou)機(ji)的 20V 電(dian)(dian)壓轉換成可以充(chong)入電(dian)(dian)池(chi)的 5V 電(dian)(dian)壓,需(xu)要(yao) 5 個不同種電(dian)(dian)荷泵(beng)的串并聯電(dian)(dian)路(lu)。大量的電(dian)(dian)荷泵(beng)和(he)整體串聯的架構會帶來很大的發熱量,實際使用中完(wan)全無(wu)法做到長時間滿功(gong)率(lv)運行,更難以做到 120W 高功(gong)率(lv)快充(chong)。
驅動(dong)小(xiao)(xiao)米(mi) 120W 澎湃秒充(chong)的(de)核心(xin)是兩顆小(xiao)(xiao)米(mi)自研智能充(chong)電芯片:澎湃 P1。它們接管了傳統的(de) 5 電荷泵復雜結構,將輸(shu)入手(shou)機的(de)高壓電能,更高效(xiao)地轉換(huan)為(wei)可以直充(chong)電池的(de)大電流。
小(xiao)米表示,澎(peng)湃 P1 作為業界首個諧(xie)振充電芯片,擁有自適(shi)應(ying)開關頻率(lv)的 4:1 超高(gao)效率(lv)架構,諧(xie)振拓撲(pu)效率(lv)高(gao)達 97.5%,非諧(xie)振拓撲(pu)效率(lv)為 96.8%,熱損耗直線下降(jiang) 30% 。
澎湃 P1 本身(shen)承擔了大(da)量的(de)轉換(huan)工作(zuo):傳(chuan)統(tong)(tong)電荷泵只(zhi)需要(yao)兩(liang)種(zhong)工作(zuo)模式(shi)(變壓、直通),而(er)澎湃 P1 需要(yao)支(zhi)持 1:1、2:1 和 4:1 轉換(huan)模式(shi),并且所有的(de)模式(shi)都需要(yao)支(zhi)持雙(shuang)向(xiang)導通,這意味著總共需要(yao) 15 種(zhong)排列組合的(de)模式(shi)切換(huan)控制(zhi) —— 是傳(chuan)統(tong)(tong)電荷泵的(de) 7 倍(bei)。正向(xiang) 1:1 模式(shi)讓亮屏充(chong)電效率更(geng)高,正向(xiang) 2:1 模式(shi)可兼容更(geng)多充(chong)電器,正向(xiang) 4:1 可支(zhi)持 120W 澎湃秒充(chong),反向(xiang) 1:2/1:4 模式(shi)可支(zhi)持高功率反向(xiang)充(chong)電。
小(xiao)米稱,澎(peng)湃(pai)(pai)(pai) P1 也(ye)是小(xiao)米充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)效率最高的(de) 4:1 充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)芯片,可做到(dao)(dao) 0.83W / mm2 超高功率密度(du),LDMOS 也(ye)達(da)到(dao)(dao)業界領先超低 1.18mΩmm2 RSP。而(er)澎(peng)湃(pai)(pai)(pai) P1 芯片內部需要(yao)用到(dao)(dao)三種(zhong)不同(tong)耐壓的(de) FLY 電(dian)(dian)(dian)容,每顆電(dian)(dian)(dian)容需要(yao)獨(du)立的(de)開短(duan)路(lu)保(bao)護電(dian)(dian)(dian)路(lu),而(er)每種(zhong)工作模式又需要(yao)嚴格控(kong)制預充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)壓,功率管數量接近傳(chuan)統電(dian)(dian)(dian)荷泵的(de)兩倍。并且因為(wei)拓(tuo)撲(pu)設計和功能復雜度(du)的(de)提升,每片澎(peng)湃(pai)(pai)(pai) P1 在出廠(chang)時都(dou)需要(yao)通(tong)過 2500 多項(xiang)測(ce)試,遠(yuan)高于(yu)傳(chuan)統電(dian)(dian)(dian)荷泵。

IT之家了解到,即將在 12 月 28 日發布的小米(mi) 12 Pro 是第一(yi)款(kuan)搭載澎湃(pai) P1 的智能手(shou)機,它支(zhi)持有線 120W 澎湃(pai)秒充、50W 無線秒充和 10W 無線反向充電。小米(mi)表示,小米(mi) 12 Pro 的 120W 澎湃(pai)秒充技術(shu)擁有兩擋模式:低溫(wen)(wen)模式,“溫(wen)(wen)度僅 37℃,體溫(wen)(wen)般(ban)舒(shu)適”;疾(ji)速模式,“一(yi)杯咖(ka)啡的時間疾(ji)速滿(man)電”。