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報道稱采用三星4nm工藝的高通驍龍8 Gen 1芯片良率低至35%
作者 | cnBeta2022-02-23

此前,外媒已多次報道三星 4nm 工藝的良率低到離譜。隨著最新數據的披露,我們也理解了為何高通會對此感到沮喪,并尋求臺積電作為其芯片代工的長期合作伙伴。可知與三星低至 35% 的良(liang)率相比,競爭對手 TSMC 不僅高(gao)出了一倍(bei)以上(shang),還具有其它方面的領先優勢。

高通驍龍8 Gen 1芯片

資料圖(tu)(來自:Qualcomm 官網)

換言之,每生產 100 顆驍龍 8 Gen 1 芯片,三星都只(zhi)能向高通交付其中的 35 片左(zuo)右。如此可怕的結(jie)果,已經(jing)直(zhi)接影響到了(le)高通向諸(zhu)多智能機合(he)作伙伴的供應保障。

早些時候,另(ling)一篇報道(dao)曾披露這(zhe)家(jia)總部位(wei)于圣迭戈的 SoC 制造(zao)商,正在尋求與臺積電合作、以(yi)確保(bao)芯(xin)片組(zu)的量產 —— 即(ji)使高通被(bei)迫向臺積電支付高額的溢價以(yi)及時收貨,這(zhe)也(ye)比被(bei)三星繼續拖累要強得多。

與(yu)此同時,高(gao)通(tong)還(huan)計劃提(ti)前(qian)推出(chu)傳說中的(de)驍龍 8 Gen 1“Plus”SKU,通(tong)過整(zheng)體上更優秀(xiu)的(de)臺積電 4nm 工藝節(jie)點(dian),來取代三星良率(lv)糟糕的(de) 4nm 驍龍 8 Gen 1 芯片(pian)。

作為參考,當(dang)前(qian)臺積電 4nm 良率已超(chao) 70% 。隨著工藝的不斷打(da)磨(mo)和(he)進步,最終可轉化(hua)為客戶產(chan)品的更高性能(neng)和(he)能(neng)效表現,從而改(gai)善(shan)溫度 / 功耗墻。

至于(yu)驍龍 8 Gen 1+ 將于(yu)何時發布,The Elec 未能披(pi)露更多(duo)細節。不過(guo)此前(qian)披(pi)露的信息(xi),表明我們很有望在 2022 年(nian) 2 季度(du)看(kan)到它的身(shen)影(ying)。


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