據知名市場(chang)研究機構(gou)IC Insights的(de)最新報告(gao)，全(quan)球半導體已安裝總產能（installed capacity），今年將達到2.636億(yi)片(pian)8英寸(cun)約當(dang)晶圓，同比增長(chang)8.7%，創下歷史新高。
今年(nian)半(ban)導體產(chan)(chan)能(neng)的提升，主要得力于(yu)SK Hynix和(he)(he)Winbond新(xin)建的大型(xing)內存工(gong)廠(chang)，以及臺積(ji)電的積(ji)極擴產(chan)(chan)，包括兩(liang)座5nm和(he)(he)3nm先(xian)進(jin)工(gong)藝(yi)的產(chan)(chan)能(neng)增長，和(he)(he)位于(yu)南(nan)京的28nm工(gong)藝(yi)產(chan)(chan)能(neng)擴充。臺積(ji)電今年(nian)預估資本(ben)開支超過400億美(mei)元(yuan)。
過去5年，全球半導體產(chan)能(neng)年增(zeng)長(chang)率從2016年的4.0%提升到2021年的8.5%。
盡(jin)管(guan)面臨通(tong)脹壓力、持續的(de)供(gong)應(ying)鏈問題和其他經濟困難(nan)，IC Insights仍然預計(ji)，半導體需求十(shi)分強勁，今(jin)年(nian)出貨量(liang)將同比增(zeng)長(chang)9.2%。即(ji)使今(jin)年(nian)有(you)10座新的(de)晶圓廠投入(ru)使用(yong)，今(jin)年(nian)產能利用(yong)率可以(yi)達到93%的(de)高位，略低(di)于(yu)2021年(nian)的(de)93.8%。
IC Insights的歷史統計(ji)數據顯示，半導(dao)體產能(neng)增速(su)呈現(xian)一(yi)(yi)定的周期性，在2002年(nian)(nian)出(chu)現(xian)首次(ci)(ci)負(fu)增長，2009年(nian)(nian)出(chu)現(xian)較大幅度負(fu)增長（-6%），隨后進入景氣時期，一(yi)(yi)直延續至今。前兩(liang)次(ci)(ci)負(fu)增長，一(yi)(yi)是互聯網(wang)泡沫危(wei)機(ji)剛結束(shu)，一(yi)(yi)是全球金融危(wei)機(ji)。
