據telecompaper網8月30日報道，是德(de)科(ke)技最近宣布推(tui)出新的(de)模型生成器(qi)（MG）環境，通過(guo)提高(gao)整個工(gong)(gong)作流程的(de)自動化程度，提高(gao)半導體器(qi)件建模工(gong)(gong)程師的(de)工(gong)(gong)作效率。
半導(dao)體(ti)器件(jian)(jian)建模(mo)(mo)(mo)工(gong)程(cheng)(cheng)師需要自(zi)動化工(gong)具(ju)來(lai)為同時利用硅（CMOS）和(he)化合物III-V技術的(de)基帶(dai)和(he)射頻（RF）集成(cheng)電路（IC）設(she)(she)計創建精確的(de)仿(fang)真模(mo)(mo)(mo)型(xing)和(he)工(gong)藝設(she)(she)計套(tao)件(jian)(jian)（PDK）。為了滿足設(she)(she)備(bei)建模(mo)(mo)(mo)工(gong)程(cheng)(cheng)師不斷增長的(de)需求，是德科技的(de)設(she)(she)備(bei)建模(mo)(mo)(mo)2023軟件(jian)(jian)套(tao)件(jian)(jian)包括(kuo)PathWave設(she)(she)備(bei)建模(mo)(mo)(mo)（IC-CAP）2023，這是一種新的(de)建模(mo)(mo)(mo)流程(cheng)(cheng)管(guan)理器，可一鍵導(dao)入測量數據、創建趨勢圖(tu)、組織(zhi)提(ti)取流程(cheng)(cheng)、基本QA驗證(zheng)和(he)文檔(dang)。IC-CAP還升級了射頻氮化鎵（RFGaN）封(feng)裝，這是一種在高功率(lv)RF應用中(zhong)具(ju)有顯(xian)著優勢的(de)寬帶(dai)隙材料，支持最新的(de)緊湊(cou)型(xing)模(mo)(mo)(mo)型(xing)聯盟（CMC）版本，包括(kuo)改進的(de)提(ti)取流。
