6月27日消息，三星近日計劃于2023年下半年開始大規模生產面向人工智能(AI)應用的高帶寬存儲芯片。根據外(wai)媒(mei)KoreaTimes的(de)(de)報(bao)道，三星的(de)(de)目標是迎頭(tou)趕上在AI存儲芯片市場迅速取得領先(xian)地位的(de)(de)SK海力(li)士(shi)。
據(ju)了解，2022年(nian)SK海力士在高帶寬存儲(HBM)市場(chang)(chang)(chang)占有約50%的份額，而三(san)星則占有約40%的份額，美光占有剩余的10%。盡管HBM市場(chang)(chang)(chang)整體規模(mo)不大，僅占據(ju)整個動(dong)態隨(sui)(sui)機存取存儲器(DRAM)市場(chang)(chang)(chang)的約1%，但(dan)隨(sui)(sui)著AI市場(chang)(chang)(chang)的增長，對HBM解決方(fang)案(an)的需求預計將(jiang)會增加。
據ITBEAR科技資訊了解，三星的(de)(de)戰略是(shi)迎頭(tou)趕上SK海力士，并大(da)規模生(sheng)產面(mian)向AI的(de)(de)HBM3芯片(pian)以(yi)應對(dui)市(shi)場變(bian)(bian)化(hua)。當前，應用人工智(zhi)能的(de)(de)存儲芯片(pian)正在(zai)變(bian)(bian)得越來越普遍，高帶寬存儲解決方(fang)案也備受關(guan)注。
此前，有(you)消息稱(cheng)，三星已贏得AMD和谷(gu)歌(ge)作為其客戶，將在其第三代4納米(mi)工藝節點上制(zhi)造谷(gu)歌(ge)的(de)Tensor 3芯片。此外，有(you)傳聞稱(cheng)三星即將推出(chu)Exynos 2400 SoC芯片，也有(you)可能(neng)是采用4納米(mi)工藝制(zhi)造。
