三星電子 4 納米(mi)工(gong)藝的良率目前已(yi)經(jing)超過 75%，這引(yin)發了人們對于三星擴(kuo)大(da)半(ban)導體代(dai)工(gong)客戶的猜測。
7 月 11 日(ri)，Hi Investment &Securities 研(yan)究員(yuan)樸相佑(you)在一份(fen)報(bao)告(gao)中表示：“三(san)星電子近期成(cheng)功(gong)地提高(gao)了(le) 4nm 工藝的成(cheng)品率”，并(bing)提高(gao)了(le)“高(gao)通和英偉達再(zai)次合作的可能性”。
此前(qian)，三星(xing)電子代工廠(chang)曾(ceng)經歷過(guo)產(chan)品(pin)上市延遲以及 10nm 以下工藝(yi)良率提升緩慢的(de)情況，導致主要客戶紛紛轉(zhuan)向臺積電。結(jie)果，去年臺積電的(de)資本支出和產(chan)能分別是三星(xing)電子代工業(ye)務的(de) 3.4 倍和 3.3 倍。
在 7nm 以下的(de)先進工(gong)藝(yi)方(fang)面，臺積電的(de)市場占有率達到了 90%，這進一步拉大(da)了兩公(gong)司之間的(de)差距。
隨著三星(xing)電(dian)子(zi)今年 4nm 工藝成品率超(chao)過(guo) 75%、3nm 工藝成品率超(chao)過(guo) 60%，再(zai)加上臺(tai)積電(dian)漲價的(de)影響，業界(jie)認為三星(xing)有望再(zai)次奪回被臺(tai)積電(dian)搶走的(de)客戶(hu)，而(er)且之前高通和(he)英偉達等多(duo)位客戶(hu)也曾表示他們(men)有必要將其外包(bao)生產進行多(duo)元化。
根據三(san)星(xing)代工在 SFF 2023 上公布(bu)的(de)最新工藝(yi)技術路線圖，該(gai)(gai)公司(si)計劃在 2025 年推出(chu) 2 納米級(ji)的(de) SF2 工藝(yi)，2027 年推出(chu) 1.4 納米級(ji)的(de) SF1.4 工藝(yi)。與此同時，該(gai)(gai)公司(si)還公布(bu)了 SF2 工藝(yi)的(de)一些特性。
在擴(kuo)大技術(shu)供應(ying)的同(tong)時，三星仍(reng)然致(zhi)力于擴(kuo)大其在韓(han)國平(ping)澤和(he)美國得州泰勒市的產能(neng)。
三星計劃于 2023 年下半年在其平澤 P3 線開始量產芯片，而泰勒市新建(jian)廠房預計(ji)將于今年(nian)(nian)年(nian)(nian)底完(wan)工，并于 2024 年(nian)(nian)下半年(nian)(nian)開始運營(ying)。三星(xing)目前的計(ji)劃是到 2027 年(nian)(nian)將其潔凈(jing)室容量比(bi) 2021 年(nian)(nian)增加 7.3 倍。
