三星(xing)電子 4 納米工藝(yi)的良率目前已經超過 75%，這引(yin)發了(le)人(ren)們對于三星(xing)擴(kuo)大半(ban)導體代工客戶的猜測。
7 月(yue) 11 日，Hi Investment &Securities 研究員樸相佑在(zai)一份報(bao)告中(zhong)表示(shi)：“三(san)星電子近期成功地提高了 4nm 工(gong)藝的成品(pin)率”，并提高了“高通和英偉達再次合作的可能性(xing)”。
此(ci)前，三星電(dian)(dian)子(zi)代工(gong)廠曾(ceng)經歷過(guo)產品(pin)上市延遲以(yi)(yi)及 10nm 以(yi)(yi)下工(gong)藝良率(lv)提升緩慢的(de)情況，導致主要客(ke)戶紛(fen)(fen)紛(fen)(fen)轉(zhuan)向臺積電(dian)(dian)。結(jie)果，去年(nian)臺積電(dian)(dian)的(de)資本(ben)支出和產能(neng)分(fen)別(bie)是三星電(dian)(dian)子(zi)代工(gong)業務的(de) 3.4 倍和 3.3 倍。
在 7nm 以下的(de)先進工藝方(fang)面，臺積電的(de)市場占有率達到(dao)了 90%，這進一步拉(la)大了兩公司(si)之間的(de)差(cha)距。
隨著三星電(dian)子(zi)今年 4nm 工藝成品率超(chao)過(guo) 75%、3nm 工藝成品率超(chao)過(guo) 60%，再加(jia)上臺(tai)(tai)積(ji)電(dian)漲價的影響，業界認為三星有(you)望再次奪回被臺(tai)(tai)積(ji)電(dian)搶走的客(ke)戶，而且之前高通(tong)和(he)英偉達等多位客(ke)戶也曾表示他(ta)們有(you)必要將其外包生(sheng)產進行多元(yuan)化。
根據三(san)星(xing)代(dai)工(gong)在(zai) SFF 2023 上公布的(de)最新工(gong)藝技術路線(xian)圖，該公司計劃在(zai) 2025 年推出 2 納米級的(de) SF2 工(gong)藝，2027 年推出 1.4 納米級的(de) SF1.4 工(gong)藝。與(yu)此(ci)同時，該公司還公布了 SF2 工(gong)藝的(de)一些特(te)性。
在擴(kuo)(kuo)大技術供應的同時(shi)，三星仍然(ran)致力于擴(kuo)(kuo)大其在韓國(guo)平澤和美(mei)國(guo)得州泰(tai)勒(le)市的產能。
三星計劃于 2023 年下半年在其平澤 P3 線開始量產芯片，而(er)泰勒市(shi)新建廠房(fang)預計將(jiang)(jiang)于(yu)今年年底完工，并(bing)于(yu) 2024 年下(xia)半(ban)年開始(shi)運營。三(san)星目前的計劃是到 2027 年將(jiang)(jiang)其潔凈室容量比(bi) 2021 年增加 7.3 倍。
