1月(yue)20日快科技(ji)消息，全球知名光刻機(ji)巨頭ASML發布2021全年財報(bao)，數據顯示，公司全年營(ying)收達到186.11億歐元，得益于良好的市場環境，相比去(qu)年同期，營(ying)收增長(chang)33%。
針對新一代(dai)NA0.55高數值孔徑(jing)的(de)EUV光刻機，ASML也(ye)官宣首位購買客(ke)戶，將由英(ying)特爾獲得。
英特爾搶購新款EUV光刻機
據筆者了解到，ASML新一代的NA 0.55光刻機產品分辨率達到8納米，而臺積電和三星使用的EUV光刻機產品的分辨率只有13納米，在生產先進芯片的過程中，新款光刻機的圖形曝光的成本更低、效率更高。
但(dan)需要明白的是，新一代NA 0.55光刻(ke)機造價成(cheng)本也更高，達到3億(yi)美元(yuan)(yuan)，約(yue)合人民幣19億(yi)元(yuan)(yuan)，而目前已(yi)經出貨(huo)的EUV光刻(ke)機設(she)備也還有1.5億(yi)美元(yuan)(yuan)而已(yi)。
盡管ASML最新型號EUV光(guang)刻機還未(wei)投產，但英特爾(er)已經打錢預(yu)定，根據ASML官方網(wang)站(zhan)顯示的(de)消息，英特爾(er)是業內(nei)唯(wei)一(yi)一(yi)家訂購NA 0.55光(guang)刻機的(de)企業。
事實上，英(ying)(ying)特(te)爾(er)成功搶購首(shou)臺新款EUV光刻機并不意(yi)外，因為早(zao)在2021年7月份時，英(ying)(ying)特(te)爾(er)方面便透露，將(jiang)會(hui)獲得業界第(di)一臺最先進的EUV光刻機設備。
翻身之戰奠基礎
顯而易見，英特爾(er)此(ci)次搶購(gou)ASML新款光刻機(ji)設備，也是為了搶奪最強芯片(pian)制造企業的(de)地位。在過去很長一段時間(jian)里(li)，因為英(ying)(ying)特爾(er)的決策失(shi)誤，其(qi)工藝技術(shu)一直(zhi)停留在成熟工藝節點(dian)，尤(you)其(qi)是在2019年，英(ying)(ying)特爾(er)量產10nm，臺積電(dian)和三星已經開始試產5nm，而英(ying)(ying)特爾(er)的7nm還在規劃當中。
如(ru)今(jin)，三星和臺積(ji)電的(de)工(gong)藝技術(shu)已經(jing)來(lai)到4nm節點，更為先進的(de)3nm技術(shu)也(ye)將(jiang)在今(jin)年下半年量產(chan)，這無疑(yi)進一(yi)步拉開了與英(ying)特爾之(zhi)間的(de)距離。
為此，在(zai)2021年(nian)，英(ying)特爾便制定了IMD2.0計劃，復蘇(su)芯片(pian)代工(gong)業務。但制程工(gong)藝的落后，對于英特爾重返芯片(pian)代(dai)工(gong)領域并不(bu)利，無(wu)法得(de)到客戶的認可，而且，在光刻機(ji)設備方面也(ye)不(bu)占優勢。
根據筆者了解，在半(ban)導(dao)體工(gong)藝正式進(jin)入(ru)7nm節點后，ASML研發的EUV光(guang)刻(ke)機產能幾乎(hu)被臺積電和(he)三(san)星做包攬，尤(you)其是臺積電，手中掌握的光(guang)刻(ke)機設備眾多(duo)。
所以，英特爾在全球范(fan)圍內開始瘋(feng)狂建立(li)芯片工(gong)廠，提升產能(neng)，拿出數(shu)千(qian)億美(mei)元的資(zi)金用于技術研發。
按照英特爾制(zhi)定的計劃，要在2024年實現20A工(gong)藝(yi)的量產，該工(gong)藝(yi)相當于臺積(ji)電(dian)2nm工(gong)藝(yi)。
毫(hao)無疑問，無論是提升芯(xin)片產(chan)能，還是實現20A工藝技(ji)術的(de)量產(chan)，必須要依(yi)賴先進的(de)EUV光刻機設(she)備(bei)。
正因如此，英特爾(er)才會率(lv)先搶購新款EUV光刻機設(she)備(bei)，為(wei)未(wei)來超越臺(tai)積(ji)電和(he)三星做準備(bei)，建立光刻機方面的優勢。
臺積電逐漸“失寵”
按照以往的(de)慣例，臺積電作為ASML最大(da)的(de)客戶(hu)，新一代的(de)EUV光刻機的(de)訂(ding)單應該(gai)會給到(dao)臺積電，但從上述(shu)來看，結果(guo)卻(que)恰(qia)恰(qia)相反，被英特(te)爾捷足先(xian)登(deng)。
這將會(hui)對臺積電造成(cheng)什么影(ying)響？
在筆者(zhe)看來(lai)，臺積電無法獲得(de)新(xin)一(yi)代(dai)EUV光刻(ke)(ke)機影響還(huan)是非常大，要知道，越先進的(de)(de)制程工(gong)藝，對于(yu)EUV光刻(ke)(ke)機的(de)(de)技術的(de)(de)要求(qiu)越高，而ASML的(de)(de)新(xin)一(yi)代(dai)EUV光刻(ke)(ke)機更(geng)是生產2nm及(ji)以下工(gong)藝節點(dian)芯片的(de)(de)關(guan)鍵(jian)設備。
換(huan)言之，如(ru)果(guo)沒(mei)有新款EUV光刻機設備(bei)，將會(hui)影響(xiang)臺(tai)積(ji)電在先進(jin)工藝(yi)技術方面的(de)研發和量(liang)產進(jin)度。
并且(qie)，目前臺積電也(ye)在不斷(duan)擴建產能(neng)，對于光(guang)刻機(ji)的需求也(ye)在不斷(duan)攀升。
寫到最后
對(dui)于臺積電而言(yan)，不(bu)僅要面臨三星的(de)威(wei)(wei)脅，而且(qie)，英特(te)爾的(de)威(wei)(wei)脅也不(bu)容(rong)忽視。不(bu)難(nan)預見，未來(lai)的(de)芯(xin)片(pian)市場，臺積電、三星以及英特(te)爾之(zhi)間的(de)競爭(zheng)將愈發激烈。
