1月20日快科技消息，全球知名(ming)光刻(ke)機巨(ju)頭ASML發(fa)布2021全(quan)年(nian)財報，數據顯示，公司全(quan)年(nian)營(ying)收達到186.11億歐元(yuan)，得益于良好的市場環(huan)境，相比去年(nian)同期，營(ying)收增長33%。
針(zhen)對新(xin)一代NA0.55高(gao)數值(zhi)孔(kong)徑的(de)EUV光刻機，ASML也官宣(xuan)首(shou)位購買(mai)客(ke)戶，將由英特爾獲得。
英特爾搶購新款EUV光刻機
據筆者了解到，ASML新一代的NA 0.55光刻機產品分辨率達到8納米，而臺積電和三星使用的EUV光刻機產品的分辨率只有13納米，在生產先進芯片的過程中，新款光刻機的圖形曝光的成本更低、效率更高。
但需要明白的是，新一代(dai)NA 0.55光(guang)刻(ke)機造價成(cheng)本也更高，達到3億(yi)(yi)美(mei)元(yuan)，約合人民幣(bi)19億(yi)(yi)元(yuan)，而目前已經出貨的EUV光(guang)刻(ke)機設備也還有1.5億(yi)(yi)美(mei)元(yuan)而已。
盡管ASML最(zui)新型號EUV光刻(ke)(ke)機還未投產，但英特爾已經打錢預定，根(gen)據ASML官方網站顯示(shi)的(de)消息，英特爾是業(ye)內(nei)唯一(yi)一(yi)家訂購NA 0.55光刻(ke)(ke)機的(de)企業(ye)。
事實上，英特爾成功(gong)搶購首臺新款EUV光刻機(ji)(ji)并不意外(wai)，因為(wei)早在2021年7月份(fen)時，英特爾方面便透(tou)露，將會(hui)獲得業界(jie)第一臺最先(xian)進的EUV光刻機(ji)(ji)設備。
翻身之戰奠基礎
顯(xian)而(er)易(yi)見(jian)，英特爾此次(ci)搶(qiang)(qiang)購ASML新款(kuan)光刻機設(she)備(bei)，也是為了搶(qiang)(qiang)奪最強芯片(pian)制造企業的地位(wei)。在(zai)過去很(hen)長一(yi)段時(shi)間里，因為英特(te)爾(er)的決策失誤，其(qi)工藝技術(shu)一(yi)直停留在(zai)成熟工藝節點，尤其(qi)是在(zai)2019年，英特(te)爾(er)量產10nm，臺(tai)積電和三星已經(jing)開始試(shi)產5nm，而英特(te)爾(er)的7nm還在(zai)規劃當中。
如今，三星和臺積電(dian)的工藝技術(shu)已(yi)經來(lai)到4nm節點，更為先進的3nm技術(shu)也將(jiang)在今年下(xia)半年量產，這無疑(yi)進一(yi)步拉(la)開了與英特爾之間的距離。
為此，在2021年，英(ying)特爾(er)便制定(ding)了IMD2.0計(ji)劃，復蘇(su)芯片(pian)代工業務。但(dan)制程工藝的落后，對于英(ying)特爾重返(fan)芯片(pian)代工領域并不利，無法得到客(ke)戶的認可(ke)，而且，在(zai)光刻機設(she)備(bei)方面也不占優(you)勢。
根(gen)據筆(bi)者(zhe)了解，在半導體(ti)工藝正式進入(ru)7nm節點(dian)后，ASML研發的(de)EUV光刻機產能幾乎(hu)被(bei)臺積電和三星(xing)做包(bao)攬，尤其是臺積電，手中掌握(wo)的(de)光刻機設備眾多。
所以，英特爾(er)在(zai)全球范圍內開始瘋狂建立芯片(pian)工廠，提升產能，拿出數千億美元的資金用(yong)于技術研(yan)發。
按照英(ying)特爾制定的計劃，要在2024年實(shi)現(xian)20A工(gong)藝(yi)(yi)的量(liang)產(chan)，該工(gong)藝(yi)(yi)相當于臺(tai)積電2nm工(gong)藝(yi)(yi)。
毫無(wu)疑問，無(wu)論是提升芯片產(chan)能，還是實(shi)現(xian)20A工藝(yi)技術的量(liang)產(chan)，必須要依賴先進的EUV光刻機設(she)備。
正因如(ru)此，英特(te)爾才會率(lv)先(xian)搶購(gou)新款(kuan)EUV光刻(ke)機設(she)備，為未來超越臺(tai)積電和三星做(zuo)準備，建立光刻(ke)機方面的優勢(shi)。
臺積電逐漸“失寵”
按(an)照以往的(de)慣例(li)，臺積(ji)電作為ASML最大的(de)客戶，新(xin)一代的(de)EUV光刻機的(de)訂單應該會(hui)給到臺積(ji)電，但(dan)從(cong)上述來看，結(jie)果卻恰(qia)恰(qia)相(xiang)反，被英特爾捷足先(xian)登。
這將會對臺積(ji)電造成什么影響？
在筆者看來，臺積(ji)電無(wu)法(fa)獲得(de)新一代EUV光刻(ke)機(ji)影響還是非常大，要知道，越先(xian)進(jin)的(de)(de)制程工藝，對于(yu)EUV光刻(ke)機(ji)的(de)(de)技術的(de)(de)要求(qiu)越高，而ASML的(de)(de)新一代EUV光刻(ke)機(ji)更是生產2nm及以下工藝節點芯(xin)片的(de)(de)關鍵設備。
換言之，如果沒有新款EUV光刻機設(she)備，將(jiang)會影響臺積(ji)電在先進工藝技術(shu)方面的研發和量產進度。
并且，目前臺積電(dian)也(ye)在不(bu)斷擴(kuo)建產能(neng)，對于光刻機的(de)需求(qiu)也(ye)在不(bu)斷攀升(sheng)。
寫到最后
對于(yu)臺積(ji)電而言，不(bu)僅要(yao)面臨三星的(de)威(wei)脅(xie)(xie)，而且(qie)，英特(te)爾的(de)威(wei)脅(xie)(xie)也不(bu)容忽視。不(bu)難預見(jian)，未來的(de)芯(xin)片市(shi)場，臺積(ji)電、三星以及(ji)英特(te)爾之間(jian)的(de)競(jing)爭將愈發激烈。
