TOPCon技術是(shi)德國Fraunhofer太陽能(neng)研究(jiu)所2013年(nian)在(zai)第(di)28屆(jie)歐洲PVSEC光伏大(da) 會上首次提(ti)出的一(yi)種新型(xing)鈍(dun)化(hua)(hua)接觸太陽能(neng)電(dian)池(chi)。TOPCon電(dian)池(chi)在(zai)結構(gou)上與PERC電(dian)池(chi) 的區別在(zai)于背面增加了超薄(bo)隧穿氧化(hua)(hua)層和(he)多晶(jing)硅層,二者形成鈍(dun)化(hua)(hua)接觸結構(gou),為(wei)硅 片(pian)背面提(ti)供了良好(hao)的界(jie)面鈍(dun)化(hua)(hua)。
隨著TOPCon技術(shu)的(de)持續(xu)推(tui)進,其競爭力逐步顯現,主要表現在(zai)以下三個方面:
第一,轉(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效(xiao)率(lv)較(jiao)高(gao),潛力較(jiao)大。PERC目(mu)前(qian)的(de)量產轉(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效(xiao)率(lv)在23%左(zuo)右,轉(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效(xiao)率(lv) 的(de)提升空間(jian)已然有限,TOPCon目(mu)前(qian)的(de)量產轉(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效(xiao)率(lv)在24.0-24.5%左(zuo)右,理論最(zui)高(gao) 轉(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效(xiao)率(lv)在28.7%,與HJT(異(yi)質結)電池(chi)28.5%的(de)轉(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效(xiao)率(lv)較(jiao)為接近,而HJT電池(chi) 的(de)量產轉(zhuan)換(huan)(huan)(huan)效(xiao)率(lv)目(mu)前(qian)也在24.0-24.5%左(zuo)右,兩者較(jiao)為接近。
第二,與(yu)存(cun)量PERC兼容度高(gao),能夠(gou)繼承PERC時代的技術(shu)積累與(yu)大部分設(she)(she)備。與(yu)現 有(you) PERC 生 產(chan) 工 序 相 比 , TOPCon 主 要 增(zeng) 加 硼 擴 散 和(he) 隧(sui) 穿 層 沉(chen) 積 的 LPCVD/PECVD/PVD等(deng)設(she)(she)備;同(tong)時,近兩年(nian)新(xin)建大尺(chi)寸(cun)PERC產(chan)線一般(ban)預留了 TOPCon的升(sheng)級空間,一些廠商(shang)也(ye)專(zhuan)門推出(chu)了針對存(cun)量產(chan)線改(gai)造的設(she)(she)備,諸如(ru)捷佳(jia)偉 創推出(chu)了三合(he)一設(she)(she)備,并(bing)與(yu)潤陽簽訂了5GW存(cun)量產(chan)線改(gai)造的合(he)同(tong)。
TOPCon技術(shu)可以延長(chang)現有(you)產(chan)(chan)(chan)線(xian)的(de)生命周期(qi),節約(yue)(yue)資本(ben)開支。根據英利能(neng)源的(de)數據, 新建(jian)(jian)PERC產(chan)(chan)(chan)線(xian)的(de)設備投(tou)資額為(wei)(wei)(wei)1.2-1.7億(yi)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)/GW,新建(jian)(jian)TOPCon產(chan)(chan)(chan)線(xian)設備投(tou)資額為(wei)(wei)(wei)2- 2.5億(yi)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)/GW,新建(jian)(jian)HJT產(chan)(chan)(chan)線(xian)設備投(tou)資額為(wei)(wei)(wei)4-4.5億(yi)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)/GW。而若從PERC升級至(zhi) TOPCon則設備投(tou)資額為(wei)(wei)(wei)0.5-0.7億(yi)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)/GW,能(neng)有(you)效降(jiang)低(di)投(tou)資成(cheng)本(ben);此外,從行業平均(jun) 的(de)電池成(cheng)本(ben)來看(kan),TOPCon的(de)單W成(cheng)本(ben)比PERC高0.1元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)/W左右(you)(you),而個別(bie)TOPCon先 進(jin)(jin)產(chan)(chan)(chan)能(neng)的(de)單W成(cheng)本(ben)已經與PERC相當接近,HJT的(de)單W成(cheng)本(ben)比PERC高約(yue)(yue)0.2-0.3元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)/W, 先進(jin)(jin)產(chan)(chan)(chan)能(neng)的(de)單W成(cheng)本(ben)差距可以做到0.2元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)/W左右(you)(you)。
第三,性價(jia)比具有一(yi)(yi)定優勢。TOPCon較(jiao)高的轉(zhuan)換效率(lv)使(shi)得電(dian)池單瓦及單位面積發(fa) 電(dian)量(liang)有所提升,能夠(gou)有效的降低BOS成(cheng)本。晶科能源(yuan)N型TOPCon組(zu)件效率(lv)較(jiao)現有產(chan) 品進一(yi)(yi)步提升,最新(xin)N型TOPCon組(zu)件Tiger Neo效率(lv)達到22.2%,功(gong)率(lv)達到620W, 天合(he)和(he)中來(lai)均推出了700W的組(zu)件。
同時,TOPCon電(dian)池具備良好的(de)弱光效應,延遲組件日發(fa)電(dian)時長,有效降低(di)LCOE。 根(gen)據(ju)中來公眾號發(fa)布的(de)數據(ju),考(kao)慮25年全生命周期的(de)維度(du),與PERC組件相比, TOPCon組件首年衰減低(di)1%,BOS成本低(di)3.9%,LCOE低(di)6.6%,發(fa)電(dian)增益高(gao)6.3%,經(jing)第三(san)方檢(jian)測機構TUV北德在不同反射率的(de)地面條件下的(de)實證發(fa)電(dian)測試(shi)發(fa)現, TOPCon組件最高(gao)可以得到30%的(de)發(fa)電(dian)增益,若控制LCOE不變($0.1066),與主 流(liu)PERC組件對比,TOPCon組件比PERC有2.8美分/每瓦(wa)的(de)價格優勢(shi)。
TOPCon技(ji)術方案多樣,LPCVD較為成(cheng)熟,PECVD、PVD、PEALD等各顯身(shen)手, 電池片環節的專有技(ji)術有望增(zeng)多,競(jing)爭格局有望優化(hua)。從結(jie)構方面來看,TOPCon結(jie) 構分為兩(liang)層:第(di)一層為超薄氧(yang)(yang)化(hua)硅(gui)隧穿層,厚度1-2nm,可(ke)以通過熱氧(yang)(yang)、化(hua)學腐(fu)蝕(shi)方 式形(xing)成(cheng)。
第(di)二層(ceng)(ceng)是摻(chan)雜(za)多(duo)晶硅層(ceng)(ceng),可以(yi)由LPCVD、PECVD、PVD等方(fang)法(fa)制備,主(zhu)要技術(shu)路線 分為(wei)磷擴摻(chan)雜(za)、離(li)子注入摻(chan)雜(za)、原位(wei)摻(chan)雜(za),與傳統的(de)(de)擴散摻(chan)雜(za)不同(tong),離(li)子注入是將雜(za) 質原子電離(li)成(cheng)帶(dai)電粒子后,再用(yong)強電場加速這些粒子注入到硅基體材料中進行(xing)摻(chan)雜(za), 但是離(li)子碰撞會(hui)引起晶格(ge)斷裂或損(sun)傷,需要退火來完成(cheng)摻(chan)雜(za)離(li)子的(de)(de)去除(chu)和激活(huo);原 位(wei)摻(chan)雜(za)是在(zai)沉積多(duo)晶硅的(de)(de)同(tong)時通(tong)入含(han)有雜(za)質的(de)(de)氣體,使多(duo)晶硅摻(chan)雜(za)均(jun)勻(yun),后期也需 要退火處(chu)理來達到晶化目的(de)(de),PECVD、PVD多(duo)使用(yong)原位(wei)摻(chan)雜(za)。各家電池廠商基于自(zi) 身的(de)(de)技術(shu)積累(lei),選擇了不同(tong)的(de)(de)技術(shu)路線進行(xing)攻關,隆(long)基、晶科(ke)以(yi)LPCVD為(wei)主(zhu),通(tong)威 以(yi)PECVD、PEALD為(wei)主(zhu),中來以(yi)POPAID為(wei)主(zhu)。
我(wo)們認為與PERC和(he)HJT較為統一的技術路線不同,TOPCon多(duo)樣的技術方案(an)使得(de) 電池(chi)廠商從以(yi)往(wang)的整線采(cai)購向分環節采(cai)購設(she)備“攢(zan)”產(chan)線轉變,有望(wang)增(zeng)強電池(chi)端在(zai) 產(chan)業(ye)鏈(lian)中的話語(yu)權,競爭格局有望(wang)優化(hua)。
隧穿氧(yang)化(hua)(hua)層(ceng)的(de)制備(bei),熱(re)氧(yang)化(hua)(hua)法(fa)(fa)(fa)較(jiao)(jiao)為(wei)成熟,而PECVD法(fa)(fa)(fa)和(he)ALD法(fa)(fa)(fa)也是目(mu)前研究的(de)重點 方向。對(dui)于隧穿氧(yang)化(hua)(hua)層(ceng)的(de)制備(bei)主(zhu)要(yao)有熱(re)氧(yang)化(hua)(hua)法(fa)(fa)(fa)、PECVD、原子層(ceng)沉積、濕(shi)化(hua)(hua)學法(fa)(fa)(fa)等, 目(mu)前TOPCon氧(yang)化(hua)(hua)層(ceng)制備(bei)主(zhu)要(yao)采用(yong)熱(re)氧(yang)化(hua)(hua)法(fa)(fa)(fa),其鈍化(hua)(hua)效(xiao)果(guo)最好,但(dan)反應速度較(jiao)(jiao)慢,熱(re) 氧(yang)法(fa)(fa)(fa)所(suo)用(yong)設備(bei)為(wei)熱(re)氧(yang)化(hua)(hua)管(guan)式爐(lu),其可以(yi)與非晶硅(gui)沉積環節設備(bei)集成;PECVD法(fa)(fa)(fa)的(de)優(you) 勢在于生(sheng)(sheng)長(chang)速率(lv)較(jiao)(jiao)快,但(dan)是鈍化(hua)(hua)效(xiao)果(guo)和(he)均(jun)勻性(xing)稍差(cha);ALD鈍化(hua)(hua)效(xiao)果(guo)和(he)均(jun)勻性(xing)優(you)于 PECVD法(fa)(fa)(fa),但(dan)是生(sheng)(sheng)長(chang)速率(lv)較(jiao)(jiao)差(cha);濕(shi)化(hua)(hua)學法(fa)(fa)(fa)和(he)準分子源(yuan)干氫法(fa)(fa)(fa)應用(yong)較(jiao)(jiao)少。
摻(chan)雜多(duo)晶硅層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)制備(bei),LPCVD法(fa)(fa)為現(xian)有(you)主流且較(jiao)為成熟,PECVD法(fa)(fa)、PEALD法(fa)(fa)、 PVD法(fa)(fa)也(ye)是(shi)目前(qian)研究(jiu)的(de)重點(dian)方(fang)(fang)向(xiang)。對(dui)于(yu)(yu)(yu)摻(chan)雜多(duo)晶硅層(ceng)(ceng)(ceng),主要(yao)有(you)4中制備(bei)方(fang)(fang)法(fa)(fa),其(qi)(qi)(qi)中 LPCVD、PECVD和PEALD屬于(yu)(yu)(yu)化學(xue)沉(chen)(chen)積(ji)(ji)方(fang)(fang)式,而濺射法(fa)(fa)是(shi)屬于(yu)(yu)(yu)物(wu)理氣相沉(chen)(chen)積(ji)(ji)(PVD) 方(fang)(fang)法(fa)(fa)。LPCVD是(shi)目前(qian)工(gong)藝較(jiao)成熟的(de)設備(bei),具有(you)產(chan)量高(gao)(gao)(gao)、可直接制備(bei)n型(xing)多(duo)晶硅層(ceng)(ceng)(ceng)的(de)優 點(dian),但(dan)會損傷石英(ying)件,石英(ying)件需(xu)要(yao)定(ding)期更換,且存在繞鍍問(wen)(wen)題;PECVD法(fa)(fa)沉(chen)(chen)積(ji)(ji)速(su)度 要(yao)高(gao)(gao)(gao)于(yu)(yu)(yu)LPCVD,但(dan)其(qi)(qi)(qi)設備(bei)要(yao)求高(gao)(gao)(gao),同時產(chan)生的(de)膜(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)不致密,燒結后開(kai)壓較(jiao)低;PEALD 則是(shi)較(jiao)新的(de)技術,采用(yong)原子層(ceng)(ceng)(ceng)沉(chen)(chen)積(ji)(ji)原理,其(qi)(qi)(qi)沉(chen)(chen)積(ji)(ji)速(su)率(lv)最高(gao)(gao)(gao),但(dan)成本(ben)較(jiao)高(gao)(gao)(gao),也(ye)無法(fa)(fa)解決 PECVD膜(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)不致密的(de)問(wen)(wen)題;PVD的(de)優點(dian)在于(yu)(yu)(yu)無污染,操作簡單且安(an)全,沉(chen)(chen)積(ji)(ji)速(su)率(lv)也(ye) 高(gao)(gao)(gao)于(yu)(yu)(yu)LPCVD,但(dan)缺點(dian)在于(yu)(yu)(yu)其(qi)(qi)(qi)硅靶材用(yong)量較(jiao)大,成本(ben)較(jiao)高(gao)(gao)(gao),膜(mo)層(ceng)(ceng)(ceng)均勻性相對(dui)較(jiao)差,退 火溫度也(ye)較(jiao)高(gao)(gao)(gao)。
除去常(chang)(chang)見的N型(xing)TOPCon電(dian)池(chi)之外(wai),現在出現了(le)一(yi)種基于P型(xing)硅(gui)(gui)片的TOPCon電(dian)池(chi)結 構(gou),根據中科院寧波材料(liao)所(suo)的公開(kai)資料(liao),P型(xing)TOPCon電(dian)池(chi)正面和PERC結構(gou)一(yi)致, 無需增(zeng)加擴硼(peng)設(she)(she)備(bei),只(zhi)需增(zeng)加氧化硅(gui)(gui)和多晶硅(gui)(gui)的相關設(she)(she)備(bei)(諸如“二合一(yi)”PECVD 設(she)(she)備(bei)),只(zhi)需有限的設(she)(she)備(bei)投入,非常(chang)(chang)適(shi)合現有PERC產線的升級。
從(cong)現(xian)有的(de)(de)轉換效率紀錄和廠商(shang)(shang)布局(ju)(ju)來看,由于LPCVD較為(wei)成熟,絕大部(bu)分廠商(shang)(shang)現(xian)有 布局(ju)(ju)以LPCVD法為(wei)主(zhu),少(shao)部(bu)分為(wei)PECVD法;值得注(zhu)意的(de)(de)是(shi),寧波研究所的(de)(de)25.50% 的(de)(de)轉換效率是(shi)用PECVD法取得的(de)(de)。另(ling)外,PVD法主(zhu)要(yao)是(shi)中(zhong)來在布局(ju)(ju),PEALD主(zhu)要(yao)是(shi) 通威、微導(dao)在主(zhu)導(dao)。
當前業(ye)內多家企業(ye)已布局TOPCon電池,推出(chu)大功(gong)率級TOPCon組件。根據2021年 SNEC展會,多家廠商已推出(chu)TOPCon組件產品,量產轉換效率多數已達到22%以上。
TOPCon有(you)望(wang)(wang)率(lv)(lv)先放量(liang)(liang),22年全(quan)年產能投(tou)(tou)入(ru)有(you)望(wang)(wang)超(chao)過(guo)30GW。根(gen)據晶(jing)(jing)(jing)科(ke)能源公(gong)眾(zhong)號 的(de)(de)披露,2022年1月安徽晶(jing)(jing)(jing)科(ke)能源一期8GW新型高效(xiao)電(dian)(dian)池(chi)片實(shi)現貫通投(tou)(tou)產,主要生 產高效(xiao)N型TOPCon電(dian)(dian)池(chi),目前晶(jing)(jing)(jing)科(ke)TOPCon電(dian)(dian)池(chi)平均量(liang)(liang)產效(xiao)率(lv)(lv)在24.5%,最高效(xiao)率(lv)(lv) 已經(jing)達到25.4%,該項目的(de)(de)投(tou)(tou)產預示著(zhu)TOPCon大規模投(tou)(tou)入(ru)的(de)(de)條(tiao)件已經(jing)較為成(cheng)熟;除 去晶(jing)(jing)(jing)科(ke)之外,隆基(ji)、天合、中(zhong)來(lai)(lai)(lai)、晶(jing)(jing)(jing)澳等電(dian)(dian)池(chi)片廠商(shang)以及比亞迪等新晉廠商(shang)均有(you)不同 規模的(de)(de)投(tou)(tou)入(ru)計(ji)劃,根(gen)據集邦(bang)咨詢和(he)我們(men)的(de)(de)統(tong)計(ji),目前規劃的(de)(de)TOPCon產能超(chao)過(guo) 100GW,我們(men)預計(ji)2022年TOPCon將迎來(lai)(lai)(lai)投(tou)(tou)產高峰期,有(you)望(wang)(wang)超(chao)過(guo)30GW。(報告來(lai)(lai)(lai)源:未來(lai)(lai)(lai)智庫)
TOPCon技(ji)術方案多樣(yang),設備廠(chang)商各(ge)有(you)側重。在PERC技(ji)術升級為TOPCon的(de)核心3 大工藝(yi)步驟中(隧穿氧化(hua)(hua)層(ceng)(ceng)、多晶硅層(ceng)(ceng)、擴(kuo)散(san)),多家廠(chang)商推出了各(ge)自的(de)技(ji)術方案, 氧化(hua)(hua)層(ceng)(ceng)需(xu)要新增的(de)設備主要是氧化(hua)(hua)爐(lu)、PECVD、PEALD,隧穿氧化(hua)(hua)層(ceng)(ceng)一般需(xu)要增加 LPCVD、PECVD,根據摻(chan)雜方案的(de)不同,需(xu)要增加退火爐(lu)、擴(kuo)散(san)爐(lu)或者離(li)子(zi)注入(ru)機(ji)。
目前采用較多(duo)的(de)為拉普拉斯(si)的(de)LPCVD方(fang)(fang)(fang)案(an),即隧穿(chuan)氧(yang)化層(ceng)(ceng)用熱氧(yang)(氧(yang)化爐(lu)),多(duo)晶 硅(gui)層(ceng)(ceng)用“本征+磷擴”(LPCVD、擴散爐(lu)),該(gai)方(fang)(fang)(fang)案(an)技術成熟,但(dan)存在(zai)產能低(di)、良率 低(di)等問題,多(duo)晶硅(gui)層(ceng)(ceng)亦可用“摻雜(za)+退(tui)火”(LPCVD、退(tui)火爐(lu)),繞鍍(du)(du)較易(yi)(yi)清理,但(dan) 是存在(zai)鍍(du)(du)膜速(su)(su)率較慢(man)、膜層(ceng)(ceng)均(jun)勻性等問題;捷佳偉創基(ji)于(yu)(yu)自身在(zai)PECVD方(fang)(fang)(fang)面的(de)深厚 積累,推出了(le)“三合一”設備,實現了(le)隧穿(chuan)層(ceng)(ceng)、多(duo)晶硅(gui)層(ceng)(ceng)、原位摻雜(za)層(ceng)(ceng)的(de)制備,解決(jue) 了(le)傳統(tong)TOPCon電(dian)池生產過(guo)程中繞鍍(du)(du)、石英件高損耗的(de)固有難點,而且新型PE-poly 路(lu)線的(de)原位摻雜(za)時間僅為傳統(tong)LP路(lu)線的(de)五分之一;微(wei)導提出了(le)基(ji)于(yu)(yu)PEALD的(de)方(fang)(fang)(fang)案(an), 隧穿(chuan)氧(yang)化層(ceng)(ceng)采用基(ji)于(yu)(yu)PECVD的(de)“摻雜(za)+退(tui)火”方(fang)(fang)(fang)案(an),具有氧(yang)化層(ceng)(ceng)均(jun)勻性易(yi)(yi)控制,繞鍍(du)(du) 輕微(wei),鍍(du)(du)膜速(su)(su)率快,但(dan)是也有H含量較高,容易(yi)(yi)爆膜的(de)問題。
預(yu)計2022年光伏(fu)(fu)電池片設備市場規模約(yue)254億(yi)元(yuan)(yuan),其(qi)中TOPCon設備市場規模約(yue)92億(yi)元(yuan)(yuan)。我們(men)通過統(tong)計國(guo)內新(xin)增電池片環節的(de)(de)新(xin)增產能(neng)(neng),并對不同技(ji)術路線的(de)(de)在(zai)新(xin)增 產能(neng)(neng)中的(de)(de)占比以及(ji)產線投入作出假設,得到2022-2025年的(de)(de)光伏(fu)(fu)設備市場規模為 254/348/430/535億(yi)元(yuan)(yuan),復合(he)增長率保持(chi)在(zai)20%左(zuo)右。
短(duan)期波(bo)動不改長(chang)期趨勢,靜待下(xia)游(you)盈利好轉。從(cong)(cong)21年初到(dao)22年1月(yue)初,硅料價(jia)格(ge)從(cong)(cong)72 元/kg,上(shang)(shang)升(sheng)到(dao)235元/kg,上(shang)(shang)升(sheng)幅(fu)度達226%,期間最高(gao)達到(dao)270元/kg,上(shang)(shang)升(sheng)幅(fu)度達 275%,同(tong)期電池片價(jia)格(ge)從(cong)(cong)約0.95元/W上(shang)(shang)升(sheng)到(dao)約1.10元/W,上(shang)(shang)升(sheng)幅(fu)度只有約16%,硅 料價(jia)格(ge)上(shang)(shang)漲,電池片環(huan)(huan)節成本不能順利向(xiang)下(xia)傳導,使得電池片環(huan)(huan)節盈利惡化(hua)。
以愛旭(xu)股份為(wei)例,20Q4-21Q3四(si)個季度(du)的(de)(de)(de)(de)毛(mao)利(li)率分別為(wei)17.7%/9.7%/1.7%/6.0%,凈 利(li)率為(wei)12.7%/3.4%/-3.2%/-0.5%,電(dian)池片環(huan)節(jie)開工(gong)(gong)率與盈(ying)利(li)情(qing)況均不(bu)甚理想,也對 電(dian)池設(she)備(bei)的(de)(de)(de)(de)投入與驗收(shou)工(gong)(gong)作(zuo)造成了(le)一定的(de)(de)(de)(de)負面影響。我們(men)認(ren)為(wei)硅料價格的(de)(de)(de)(de)高企造成 的(de)(de)(de)(de)只是電(dian)池片設(she)備(bei)投入的(de)(de)(de)(de)推遲而不(bu)是取消,隨著硅料產(chan)能的(de)(de)(de)(de)逐(zhu)步釋放(fang)、電(dian)池片環(huan)節(jie) 開工(gong)(gong)率與盈(ying)利(li)的(de)(de)(de)(de)逐(zhu)步好轉(zhuan),電(dian)池片設(she)備(bei)的(de)(de)(de)(de)投入將(jiang)繼續。
2022年(nian)隨(sui)著(zhu)(zhu)硅料(liao)產能(neng)逐步釋(shi)放(fang),硅料(liao)環節“相對緊缺(que)”現狀(zhuang)年(nian)內有(you)(you)望(wang)得(de)到改善,電 池片盈利或(huo)(huo)將回升(sheng),有(you)(you)望(wang)帶動資本開支上(shang)行。根據集邦(bang)咨詢(xun),至2022年(nian)年(nian)底全球多 晶硅有(you)(you)效(xiao)(xiao)產能(neng)有(you)(you)望(wang)達(da)80-85萬噸(dun),新增(zeng)產能(neng)約為20-30萬噸(dun)。考(kao)慮(lv)硅料(liao)產能(neng)爬坡時間 約6個月,且(qie)受能(neng)耗(hao)雙控及(ji)產線檢(jian)修影響,2022年(nian)上(shang)半年(nian)硅料(liao)新增(zeng)有(you)(you)效(xiao)(xiao)產能(neng)有(you)(you)限,疊 加下游剛性裝機需求,硅料(liao)仍處于緊平衡(heng)狀(zhuang)態,隨(sui)著(zhu)(zhu)Q3、Q4季(ji)度硅料(liao)廠商擴(kuo)產項目(mu) 達(da)產,產能(neng)逐步釋(shi)放(fang),Q2末(mo)硅料(liao)供需緊平衡(heng)狀(zhuang)況將得(de)到緩解(jie),硅料(liao)或(huo)(huo)將小(xiao)有(you)(you)余量, 電池片盈利或(huo)(huo)將回升(sheng),將有(you)(you)效(xiao)(xiao)帶動設備(bei)的需求增(zeng)長。
(一)捷佳偉創:多路線布局,有望受益于行業擴產進程
捷佳(jia)偉(wei)創成立于(yu)2007年,是國內領先的從事晶(jing)體硅(gui)太陽能電池設備研(yan)發、生產(chan)和銷 售的國家高新技術(shu)企業。公司憑借自身的技術(shu)研(yan)發實(shi)力在太陽能電池設備生產(chan)領域 行業地(di)位突(tu)出。
公司(si)的(de)(de)主(zhu)(zhu)要業務(wu)為晶體(ti)硅(gui)太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)設備研發(fa)(fa)、生產和銷售(shou)(shou),主(zhu)(zhu)要產品(pin)包括PECVD 及(ji)擴(kuo)散爐等半導體(ti)摻(chan)雜沉積工(gong)藝(yi)光(guang)伏(fu)設備、清(qing)洗、刻蝕、制絨等濕(shi)法工(gong)藝(yi)光(guang)伏(fu)設備 以及(ji)自動(dong)化(hua)(配(pei)套)設備、全自動(dong)絲網印刷設備等晶體(ti)硅(gui)太(tai)陽(yang)能(neng)電池(chi)生產工(gong)藝(yi)流程 中的(de)(de)主(zhu)(zhu)要及(ji)配(pei)套設備的(de)(de)研發(fa)(fa)、制造(zao)和銷售(shou)(shou)。
公司收入(ru)和凈(jing)(jing)利(li)潤穩中有升。公司實現(xian)2020年(nian)(nian)收入(ru)40.44億元,同(tong)比增(zeng)(zeng)長60%, 2021Q1-Q3季(ji)度實現(xian)37.45億元,同(tong)比增(zeng)(zeng)長21.43%,2021年(nian)(nian)收入(ru)預計將保(bao)持(chi)增(zeng)(zeng)長。 公司2020年(nian)(nian)凈(jing)(jing)利(li)率為12.93%,毛(mao)利(li)率為26.43%,相較于2019年(nian)(nian)均出(chu)現(xian)下滑,2021 年(nian)(nian)Q1-Q3季(ji)度凈(jing)(jing)利(li)率為16.01%,毛(mao)利(li)率為25.70%,凈(jing)(jing)利(li)率較2020年(nian)(nian)有所上升,毛(mao)利(li) 率下滑速度趨緩。
根(gen)據公(gong)司在(zai)(zai)(zai)互(hu)動易對投資(zi)者的(de)答(da)復,公(gong)司正加速第(di)三代電(dian)池設備(bei)布局,管式PECVD 正在(zai)(zai)(zai)中試線(xian)上進(jin)行量產定型(xing)的(de)工藝調(diao)試階(jie)段,運(yun)行情況(kuang)均符合公(gong)司預期,并且還在(zai)(zai)(zai) 升級優化,公(gong)司在(zai)(zai)(zai)光伏各技術路線(xian)及海外市場上的(de)新(xin)簽訂(ding)單在(zai)(zai)(zai)不斷增加。(報告來(lai)源:未來(lai)智(zhi)庫)
(二)邁為股份:國際 HJT 設備領先企業,率先受益于 HJT 擴產進程
邁為股份成立于(yu)2010年,是一家集機械(xie)設(she)(she)計(ji)、電氣研制(zhi)、軟(ruan)件算法開發(fa)、精密制(zhi)造 裝備(bei)于(yu)一體(ti)的(de)(de)(de)高端智能(neng)裝備(bei)制(zhi)造商(shang)。公司憑借多年來優(you)異的(de)(de)(de)自主研發(fa)能(neng)力、產品質(zhi) 量(liang)與售后服務體(ti)系,打破了(le)外(wai)國廠商(shang)在(zai)光(guang)伏(fu)絲(si)網印刷(shua)設(she)(she)備(bei)領域的(de)(de)(de)壟斷,成為全球(qiu)光(guang) 伏(fu)絲(si)網印刷(shua)設(she)(she)備(bei)的(de)(de)(de)龍頭企業,實現(xian)了(le)光(guang)伏(fu)絲(si)網印刷(shua)制(zhi)造設(she)(she)備(bei)領域的(de)(de)(de)國產化(hua)替代。
邁(mai)為(wei)股份的主(zhu)要(yao)業(ye)(ye)務為(wei)面向太陽能(neng)(neng)(neng)光伏、顯示、半導體(ti)三大行業(ye)(ye),研(yan)發、制(zhi)造、銷售(shou) 智能(neng)(neng)(neng)化高端(duan)裝備(bei),主(zhu)要(yao)產(chan)品包括全自動太陽能(neng)(neng)(neng)電池絲網印刷生(sheng)產(chan)線、異質結(jie)高效電 池制(zhi)造整體(ti)解(jie)決方案(an)、OLED柔性屏激光切割設(she)備(bei)、Mini/Micro LED晶圓設(she)備(bei)、半導 體(ti)晶圓封裝設(she)備(bei)等。
公司收入(ru)和凈(jing)利(li)(li)潤穩中有升(sheng),凈(jing)利(li)(li)率(lv)(lv)和毛利(li)(li)率(lv)(lv)持續回(hui)升(sheng),盈利(li)(li)能(neng)力強(qiang)。公司實(shi)現2020 年(nian)(nian)收入(ru)22.85億(yi)元(yuan),同比(bi)增長(chang)(chang)59%,2021Q1-Q3季度(du)實(shi)現21.85億(yi)元(yuan),同比(bi)增長(chang)(chang)35%, 2021年(nian)(nian)收入(ru)預計將(jiang)保(bao)持較高增長(chang)(chang)。公司2020年(nian)(nian)凈(jing)利(li)(li)率(lv)(lv)為17.25%,毛利(li)(li)率(lv)(lv)為34.02%, 2021年(nian)(nian)前三季度(du)凈(jing)利(li)(li)率(lv)(lv)為20.39%,毛利(li)(li)率(lv)(lv)為38.41%,凈(jing)利(li)(li)率(lv)(lv)與(yu)毛利(li)(li)率(lv)(lv)持續上(shang)升(sheng),盈利(li)(li)能(neng)力較強(qiang)。
(三)帝爾激光:光伏激光設備龍頭,技術持續突破
帝爾激(ji)(ji)光(guang)(guang)成立于2008年,是(shi)一家研發精(jing)密(mi)激(ji)(ji)光(guang)(guang)加(jia)工配套設(she)備,提供相應解決(jue)方(fang)(fang)案設(she)計 的(de)國家級(ji)高(gao)新技術企(qi)業。公司在(zai)微納級(ji)激(ji)(ji)光(guang)(guang)精(jing)密(mi)加(jia)工領域深耕多年,在(zai)高(gao)效(xiao)太陽能(neng) 電(dian)池路線領域,PERC激(ji)(ji)光(guang)(guang)消融設(she)備、SE激(ji)(ji)光(guang)(guang)摻雜(za)設(she)備,技術水平處于行業前(qian)列(lie), 是(shi)行業內少數能(neng)夠提供高(gao)效(xiao)太陽能(neng)電(dian)池激(ji)(ji)光(guang)(guang)加(jia)工綜(zong)合解決(jue)方(fang)(fang)案的(de)企(qi)業。
公司(si)主(zhu)營業務(wu)為精(jing)密激(ji)(ji)光(guang)加工(gong)解決方案的(de)(de)設(she)計及其配套設(she)備(bei)(bei)(bei)的(de)(de)研發、生產(chan)(chan)(chan)和(he)銷售。 公司(si)主(zhu)要產(chan)(chan)(chan)品(pin)為應用于光(guang)伏(fu)產(chan)(chan)(chan)業的(de)(de)精(jing)密激(ji)(ji)光(guang)加工(gong)設(she)備(bei)(bei)(bei),目前(qian)的(de)(de)主(zhu)要產(chan)(chan)(chan)品(pin)包括(kuo)PERC 激(ji)(ji)光(guang)消融設(she)備(bei)(bei)(bei)、SE激(ji)(ji)光(guang)摻雜設(she)備(bei)(bei)(bei)、MWT系列激(ji)(ji)光(guang)設(she)備(bei)(bei)(bei)、全自動(dong)高速激(ji)(ji)光(guang)劃片(pian)/裂片(pian) 機、LID/R激(ji)(ji)光(guang)修(xiu)復設(she)備(bei)(bei)(bei)、激(ji)(ji)光(guang)擴硼設(she)備(bei)(bei)(bei)等(deng)激(ji)(ji)光(guang)設(she)備(bei)(bei)(bei)。近來公司(si)在激(ji)(ji)光(guang)轉(zhuan)印等(deng)領(ling)域 持續突破,已覆蓋了高效(xiao)太陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)的(de)(de)PERC、MWT、SE、LID/R等(deng)多(duo)個工(gong)藝環(huan) 節,PERC、IBC、SE、LID/R等(deng)工(gong)藝可在高效(xiao)太陽(yang)能(neng)電(dian)池(chi)生產(chan)(chan)(chan)過程中疊加。
公(gong)司收入和(he)凈利(li)(li)(li)潤穩步上升,凈利(li)(li)(li)率(lv)和(he)毛利(li)(li)(li)率(lv)緩慢下滑但(dan)(dan)仍維持高位(wei)。公(gong)司實現2020 年(nian)(nian)收入10.72億元,同(tong)比增(zeng)長53%,2021Q1-Q3季度實現9.35億元,同(tong)比增(zeng)長31%。 公(gong)司2020年(nian)(nian)凈利(li)(li)(li)率(lv)為(wei)34.79%,毛利(li)(li)(li)率(lv)為(wei)46.54%,2021年(nian)(nian)前三(san)季度凈利(li)(li)(li)率(lv)為(wei)30.12%, 毛利(li)(li)(li)率(lv)為(wei)44.62%,凈利(li)(li)(li)率(lv)與(yu)毛利(li)(li)(li)率(lv)有所(suo)下滑,但(dan)(dan)整體盈利(li)(li)(li)能力仍較強。
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