一、TOPCon 繼往開來，技術路線多樣化
TOPCon技術是德國Fraunhofer太陽能研究所(suo)2013年(nian)在(zai)第28屆歐洲PVSEC光伏大 會(hui)上(shang)首次提出的一種新(xin)型鈍化(hua)接觸太陽能電(dian)池。TOPCon電(dian)池在(zai)結構上(shang)與PERC電(dian)池 的區(qu)別在(zai)于背面(mian)增加了(le)超薄(bo)隧(sui)穿氧化(hua)層和多晶硅(gui)層，二者(zhe)形成鈍化(hua)接觸結構，為硅(gui) 片背面(mian)提供了(le)良好的界面(mian)鈍化(hua)。
隨著TOPCon技術的持續推進，其競爭力逐步顯現，主要(yao)表現在(zai)以下三個方面：
第一，轉換效率較高，潛力較大。PERC目(mu)前的(de)(de)量產轉換效率在(zai)23%左右(you)，轉換效率 的(de)(de)提升(sheng)空間已然有(you)限(xian)，TOPCon目(mu)前的(de)(de)量產轉換效率在(zai)24.0-24.5%左右(you)，理論最高 轉換效率在(zai)28.7%，與HJT（異質結）電池(chi)28.5%的(de)(de)轉換效率較為接(jie)近，而HJT電池(chi) 的(de)(de)量產轉換效率目(mu)前也在(zai)24.0-24.5%左右(you)，兩者較為接(jie)近。
第二，與(yu)存(cun)(cun)量PERC兼容度(du)高，能夠(gou)繼承PERC時代的(de)(de)技術積(ji)累與(yu)大部分設(she)(she)備。與(yu)現 有 PERC 生 產 工 序 相 比 ， TOPCon 主 要(yao) 增 加 硼(peng) 擴 散 和 隧(sui) 穿 層 沉 積(ji) 的(de)(de) LPCVD/PECVD/PVD等設(she)(she)備；同時，近兩年新建大尺寸(cun)PERC產線(xian)一般預留了(le) TOPCon的(de)(de)升級空間，一些廠商也專門推出了(le)針對存(cun)(cun)量產線(xian)改(gai)造(zao)的(de)(de)設(she)(she)備，諸如捷(jie)佳偉 創推出了(le)三合一設(she)(she)備，并與(yu)潤陽(yang)簽訂(ding)了(le)5GW存(cun)(cun)量產線(xian)改(gai)造(zao)的(de)(de)合同。
TOPCon技術可以延長現有(you)產(chan)線的(de)(de)生命周期，節(jie)約資(zi)本(ben)開(kai)支。根據(ju)英利能(neng)源的(de)(de)數據(ju)， 新建(jian)PERC產(chan)線的(de)(de)設備投(tou)資(zi)額為1.2-1.7億(yi)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)/GW，新建(jian)TOPCon產(chan)線設備投(tou)資(zi)額為2- 2.5億(yi)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)/GW，新建(jian)HJT產(chan)線設備投(tou)資(zi)額為4-4.5億(yi)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)/GW。而若從(cong)PERC升級(ji)至 TOPCon則(ze)設備投(tou)資(zi)額為0.5-0.7億(yi)元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)/GW，能(neng)有(you)效降低投(tou)資(zi)成(cheng)(cheng)本(ben)；此外，從(cong)行業平均 的(de)(de)電池成(cheng)(cheng)本(ben)來看，TOPCon的(de)(de)單(dan)W成(cheng)(cheng)本(ben)比PERC高0.1元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)/W左右，而個(ge)別TOPCon先(xian) 進產(chan)能(neng)的(de)(de)單(dan)W成(cheng)(cheng)本(ben)已經與PERC相當接(jie)近，HJT的(de)(de)單(dan)W成(cheng)(cheng)本(ben)比PERC高約0.2-0.3元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)/W， 先(xian)進產(chan)能(neng)的(de)(de)單(dan)W成(cheng)(cheng)本(ben)差距可以做到0.2元(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)(yuan)/W左右。
第三，性價比具有一(yi)定優勢(shi)。TOPCon較(jiao)高的轉換效率使得電(dian)池單(dan)瓦(wa)及單(dan)位面積發 電(dian)量有所提升，能夠有效的降(jiang)低BOS成(cheng)本。晶科能源N型TOPCon組件(jian)效率較(jiao)現有產 品(pin)進一(yi)步提升，最新N型TOPCon組件(jian)Tiger Neo效率達到(dao)22.2%，功率達到(dao)620W， 天(tian)合和中來均推出了(le)700W的組件(jian)。
同(tong)時(shi)，TOPCon電(dian)池具(ju)備良好的弱光(guang)效應，延遲組(zu)(zu)件日(ri)發(fa)電(dian)時(shi)長，有效降(jiang)低LCOE。 根據(ju)中來公眾號(hao)發(fa)布(bu)的數據(ju)，考慮25年全生命(ming)周(zhou)期的維度，與PERC組(zu)(zu)件相比(bi)， TOPCon組(zu)(zu)件首年衰減低1%，BOS成本(ben)低3.9%，LCOE低6.6%，發(fa)電(dian)增益(yi)(yi)高6.3%，經第三方檢測機構TUV北(bei)德在不同(tong)反射率的地面條(tiao)件下的實證(zheng)發(fa)電(dian)測試(shi)發(fa)現， TOPCon組(zu)(zu)件最高可以得到30%的發(fa)電(dian)增益(yi)(yi)，若控制(zhi)LCOE不變（$0.1066），與主(zhu) 流PERC組(zu)(zu)件對(dui)比(bi)，TOPCon組(zu)(zu)件比(bi)PERC有2.8美分/每瓦的價格(ge)優勢。
TOPCon技(ji)術方案多樣，LPCVD較為成熟，PECVD、PVD、PEALD等各顯身手， 電(dian)池片環節的專(zhuan)有(you)技(ji)術有(you)望增多，競爭格局有(you)望優化(hua)。從結構方面來看，TOPCon結 構分(fen)為兩層(ceng)：第一層(ceng)為超(chao)薄氧化(hua)硅(gui)隧(sui)穿層(ceng)，厚度(du)1-2nm，可(ke)以(yi)通過熱氧、化(hua)學(xue)腐蝕方 式形成。
第二層(ceng)是(shi)摻(chan)雜(za)(za)(za)多晶(jing)硅(gui)層(ceng)，可(ke)以(yi)由(you)LPCVD、PECVD、PVD等方法制(zhi)備，主(zhu)要技(ji)術路(lu)線 分為磷擴摻(chan)雜(za)(za)(za)、離子注(zhu)入(ru)摻(chan)雜(za)(za)(za)、原位(wei)摻(chan)雜(za)(za)(za)，與傳統(tong)的擴散摻(chan)雜(za)(za)(za)不(bu)同，離子注(zhu)入(ru)是(shi)將(jiang)雜(za)(za)(za) 質原子電(dian)離成帶電(dian)粒子后，再(zai)用強電(dian)場(chang)加速這(zhe)些粒子注(zhu)入(ru)到(dao)硅(gui)基(ji)體材(cai)料(liao)中進行摻(chan)雜(za)(za)(za)， 但是(shi)離子碰撞會引起晶(jing)格斷裂或損傷，需要退火來完成摻(chan)雜(za)(za)(za)離子的去除和激活(huo)；原 位(wei)摻(chan)雜(za)(za)(za)是(shi)在沉積(ji)(ji)多晶(jing)硅(gui)的同時通入(ru)含有雜(za)(za)(za)質的氣體，使多晶(jing)硅(gui)摻(chan)雜(za)(za)(za)均勻，后期也需 要退火處(chu)理來達(da)到(dao)晶(jing)化目的，PECVD、PVD多使用原位(wei)摻(chan)雜(za)(za)(za)。各家(jia)電(dian)池廠商基(ji)于自 身的技(ji)術積(ji)(ji)累(lei)，選擇了不(bu)同的技(ji)術路(lu)線進行攻關，隆(long)基(ji)、晶(jing)科以(yi)LPCVD為主(zhu)，通威 以(yi)PECVD、PEALD為主(zhu)，中來以(yi)POPAID為主(zhu)。
我們認為(wei)與PERC和(he)HJT較(jiao)為(wei)統一的技術(shu)路線(xian)不同，TOPCon多(duo)樣的技術(shu)方案使得(de) 電(dian)池廠商從以(yi)往的整線(xian)采(cai)購向分環節采(cai)購設備“攢”產線(xian)轉變，有(you)望(wang)增(zeng)強電(dian)池端在 產業(ye)鏈中(zhong)的話(hua)語(yu)權(quan)，競爭格局(ju)有(you)望(wang)優化。
隧穿(chuan)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)層的(de)制備(bei)(bei)，熱(re)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)法(fa)較(jiao)為(wei)成熟(shu)，而PECVD法(fa)和ALD法(fa)也是目前研(yan)究的(de)重點 方向(xiang)。對(dui)于隧穿(chuan)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)層的(de)制備(bei)(bei)主要有熱(re)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)法(fa)、PECVD、原子(zi)層沉(chen)積、濕化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)學法(fa)等， 目前TOPCon氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)層制備(bei)(bei)主要采(cai)用(yong)熱(re)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)法(fa)，其(qi)鈍化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)效果(guo)最好，但(dan)反應(ying)速(su)度較(jiao)慢，熱(re) 氧(yang)(yang)法(fa)所用(yong)設備(bei)(bei)為(wei)熱(re)氧(yang)(yang)化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)管(guan)式爐，其(qi)可以與非晶硅(gui)沉(chen)積環節設備(bei)(bei)集成；PECVD法(fa)的(de)優 勢在于生長速(su)率較(jiao)快，但(dan)是鈍化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)效果(guo)和均(jun)勻(yun)性(xing)稍差；ALD鈍化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)效果(guo)和均(jun)勻(yun)性(xing)優于 PECVD法(fa)，但(dan)是生長速(su)率較(jiao)差；濕化(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)(hua)學法(fa)和準分子(zi)源干(gan)氫法(fa)應(ying)用(yong)較(jiao)少。
摻雜多晶(jing)硅層(ceng)的制備(bei)，LPCVD法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)為(wei)(wei)現(xian)有(you)主(zhu)流且(qie)較(jiao)(jiao)為(wei)(wei)成(cheng)熟(shu)，PECVD法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)、PEALD法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)、 PVD法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)也(ye)是(shi)目(mu)前研(yan)究的重點方(fang)向(xiang)。對于(yu)(yu)摻雜多晶(jing)硅層(ceng)，主(zhu)要有(you)4中制備(bei)方(fang)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)，其(qi)中 LPCVD、PECVD和PEALD屬于(yu)(yu)化學沉積(ji)方(fang)式，而濺射法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)是(shi)屬于(yu)(yu)物理氣(qi)相沉積(ji)(PVD) 方(fang)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)。LPCVD是(shi)目(mu)前工藝(yi)較(jiao)(jiao)成(cheng)熟(shu)的設(she)備(bei)，具有(you)產量高(gao)(gao)(gao)(gao)、可直接制備(bei)n型多晶(jing)硅層(ceng)的優 點，但會損傷石英件(jian)，石英件(jian)需要定期更(geng)換，且(qie)存(cun)在(zai)繞鍍問題；PECVD法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)沉積(ji)速度 要高(gao)(gao)(gao)(gao)于(yu)(yu)LPCVD，但其(qi)設(she)備(bei)要求高(gao)(gao)(gao)(gao)，同(tong)時產生的膜層(ceng)不致密(mi)，燒(shao)結后開(kai)壓較(jiao)(jiao)低；PEALD 則是(shi)較(jiao)(jiao)新的技術，采(cai)用原(yuan)子層(ceng)沉積(ji)原(yuan)理，其(qi)沉積(ji)速率最高(gao)(gao)(gao)(gao)，但成(cheng)本較(jiao)(jiao)高(gao)(gao)(gao)(gao)，也(ye)無(wu)法(fa)(fa)(fa)(fa)(fa)解決 PECVD膜層(ceng)不致密(mi)的問題；PVD的優點在(zai)于(yu)(yu)無(wu)污染，操作簡(jian)單且(qie)安全，沉積(ji)速率也(ye) 高(gao)(gao)(gao)(gao)于(yu)(yu)LPCVD，但缺點在(zai)于(yu)(yu)其(qi)硅靶材(cai)用量較(jiao)(jiao)大，成(cheng)本較(jiao)(jiao)高(gao)(gao)(gao)(gao)，膜層(ceng)均勻(yun)性相對較(jiao)(jiao)差，退(tui) 火(huo)溫(wen)度也(ye)較(jiao)(jiao)高(gao)(gao)(gao)(gao)。
除(chu)去(qu)常見的(de)N型TOPCon電(dian)(dian)池之外，現在出現了(le)一種基于(yu)P型硅(gui)(gui)片的(de)TOPCon電(dian)(dian)池結 構(gou)，根據中科院寧波材(cai)料所的(de)公開資料，P型TOPCon電(dian)(dian)池正面和(he)PERC結構(gou)一致， 無需增加擴硼設(she)備，只需增加氧(yang)化硅(gui)(gui)和(he)多(duo)晶硅(gui)(gui)的(de)相(xiang)關設(she)備（諸如(ru)“二合一”PECVD 設(she)備），只需有限的(de)設(she)備投入，非常適合現有PERC產線的(de)升級。
從現(xian)有(you)的轉(zhuan)換效率紀錄(lu)和廠(chang)商布局(ju)(ju)來(lai)看，由于LPCVD較為(wei)成(cheng)熟，絕大部分廠(chang)商現(xian)有(you) 布局(ju)(ju)以(yi)LPCVD法(fa)(fa)為(wei)主(zhu)，少部分為(wei)PECVD法(fa)(fa)；值得(de)注意的是(shi)(shi)，寧波(bo)研究所的25.50% 的轉(zhuan)換效率是(shi)(shi)用PECVD法(fa)(fa)取得(de)的。另外，PVD法(fa)(fa)主(zhu)要是(shi)(shi)中來(lai)在布局(ju)(ju)，PEALD主(zhu)要是(shi)(shi) 通威、微導(dao)在主(zhu)導(dao)。
當(dang)前業內多家企(qi)業已布局TOPCon電池，推出大功率(lv)(lv)級TOPCon組件。根據(ju)2021年 SNEC展會，多家廠商已推出TOPCon組件產品，量產轉換效(xiao)率(lv)(lv)多數已達到22%以上(shang)。
TOPCon有(you)望率(lv)先(xian)放量(liang)，22年(nian)全(quan)年(nian)產(chan)(chan)(chan)能投(tou)(tou)(tou)入(ru)有(you)望超(chao)過(guo)30GW。根(gen)據晶(jing)科(ke)能源公(gong)眾號 的(de)(de)披露，2022年(nian)1月安徽晶(jing)科(ke)能源一期(qi)(qi)8GW新型高效(xiao)(xiao)電池片實現貫通投(tou)(tou)(tou)產(chan)(chan)(chan)，主(zhu)要(yao)生 產(chan)(chan)(chan)高效(xiao)(xiao)N型TOPCon電池，目(mu)前晶(jing)科(ke)TOPCon電池平均量(liang)產(chan)(chan)(chan)效(xiao)(xiao)率(lv)在(zai)24.5%，最高效(xiao)(xiao)率(lv) 已經(jing)達到25.4%，該項目(mu)的(de)(de)投(tou)(tou)(tou)產(chan)(chan)(chan)預示著TOPCon大規模投(tou)(tou)(tou)入(ru)的(de)(de)條件已經(jing)較(jiao)為成熟；除 去晶(jing)科(ke)之外，隆基、天合、中(zhong)來、晶(jing)澳等電池片廠(chang)商(shang)以及比(bi)亞迪等新晉(jin)廠(chang)商(shang)均有(you)不同 規模的(de)(de)投(tou)(tou)(tou)入(ru)計(ji)劃，根(gen)據集邦(bang)咨詢和我們的(de)(de)統計(ji)，目(mu)前規劃的(de)(de)TOPCon產(chan)(chan)(chan)能超(chao)過(guo) 100GW，我們預計(ji)2022年(nian)TOPCon將迎(ying)來投(tou)(tou)(tou)產(chan)(chan)(chan)高峰期(qi)(qi)，有(you)望超(chao)過(guo)30GW。（報告(gao)來源：未來智庫）
二、TOPCon 技術方案多點開花，設備廠商爭奇斗艷
TOPCon技術方案(an)(an)多樣(yang)，設備(bei)廠商(shang)各有側(ce)重。在PERC技術升級為TOPCon的(de)核心3 大(da)工藝步(bu)驟中（隧(sui)穿氧(yang)化(hua)層、多晶硅層、擴散），多家廠商(shang)推出了各自(zi)的(de)技術方案(an)(an)， 氧(yang)化(hua)層需要新增的(de)設備(bei)主要是氧(yang)化(hua)爐、PECVD、PEALD，隧(sui)穿氧(yang)化(hua)層一般需要增加 LPCVD、PECVD，根據摻雜方案(an)(an)的(de)不(bu)同，需要增加退火爐、擴散爐或者離(li)子注(zhu)入機。
目前(qian)采(cai)用較(jiao)(jiao)(jiao)多的(de)(de)為拉(la)普(pu)拉(la)斯的(de)(de)LPCVD方(fang)(fang)案(an)，即隧(sui)穿氧化層(ceng)用熱氧（氧化爐(lu)），多晶 硅(gui)層(ceng)用“本征+磷擴(kuo)”（LPCVD、擴(kuo)散爐(lu)），該方(fang)(fang)案(an)技術成(cheng)熟，但存在產能低、良率 低等問題(ti)，多晶硅(gui)層(ceng)亦可用“摻雜(za)(za)+退火(huo)(huo)”（LPCVD、退火(huo)(huo)爐(lu)），繞鍍(du)(du)較(jiao)(jiao)(jiao)易(yi)清理，但 是(shi)存在鍍(du)(du)膜速(su)(su)率較(jiao)(jiao)(jiao)慢、膜層(ceng)均(jun)(jun)勻性(xing)等問題(ti)；捷佳偉創基(ji)于(yu)自身(shen)在PECVD方(fang)(fang)面的(de)(de)深厚 積累，推出(chu)了“三合(he)一(yi)”設備，實現了隧(sui)穿層(ceng)、多晶硅(gui)層(ceng)、原位摻雜(za)(za)層(ceng)的(de)(de)制(zhi)備，解決 了傳統TOPCon電池生產過程中(zhong)繞鍍(du)(du)、石英件高(gao)損耗的(de)(de)固有(you)難點，而且新型PE-poly 路線(xian)(xian)的(de)(de)原位摻雜(za)(za)時間僅為傳統LP路線(xian)(xian)的(de)(de)五(wu)分之一(yi)；微導提出(chu)了基(ji)于(yu)PEALD的(de)(de)方(fang)(fang)案(an)， 隧(sui)穿氧化層(ceng)采(cai)用基(ji)于(yu)PECVD的(de)(de)“摻雜(za)(za)+退火(huo)(huo)”方(fang)(fang)案(an)，具有(you)氧化層(ceng)均(jun)(jun)勻性(xing)易(yi)控(kong)制(zhi)，繞鍍(du)(du) 輕微，鍍(du)(du)膜速(su)(su)率快，但是(shi)也有(you)H含(han)量(liang)較(jiao)(jiao)(jiao)高(gao)，容易(yi)爆膜的(de)(de)問題(ti)。
預計2022年(nian)(nian)光(guang)伏電(dian)池(chi)片設(she)(she)備市場規(gui)(gui)模約254億元(yuan)，其中TOPCon設(she)(she)備市場規(gui)(gui)模約92億元(yuan)。我們通(tong)過統(tong)計國內(nei)新增(zeng)電(dian)池(chi)片環(huan)節的(de)新增(zeng)產能(neng)，并對不同技術路線(xian)的(de)在新增(zeng) 產能(neng)中的(de)占(zhan)比以及(ji)產線(xian)投入作出假設(she)(she)，得(de)到2022-2025年(nian)(nian)的(de)光(guang)伏設(she)(she)備市場規(gui)(gui)模為 254/348/430/535億元(yuan)，復合增(zeng)長率(lv)保持在20%左(zuo)右。
三、硅料產能釋放，電池片盈利回升，資本開支望上行
短期波(bo)動(dong)不改長期趨勢(shi)，靜待下(xia)游盈利(li)好轉。從(cong)21年(nian)初(chu)到22年(nian)1月初(chu)，硅料價(jia)格(ge)從(cong)72 元(yuan)(yuan)/kg，上升(sheng)到235元(yuan)(yuan)/kg，上升(sheng)幅(fu)度達(da)(da)226%，期間(jian)最(zui)高達(da)(da)到270元(yuan)(yuan)/kg，上升(sheng)幅(fu)度達(da)(da) 275%，同期電(dian)池(chi)片(pian)價(jia)格(ge)從(cong)約0.95元(yuan)(yuan)/W上升(sheng)到約1.10元(yuan)(yuan)/W，上升(sheng)幅(fu)度只有約16%，硅 料價(jia)格(ge)上漲(zhang)，電(dian)池(chi)片(pian)環節(jie)成本不能順利(li)向下(xia)傳(chuan)導，使得電(dian)池(chi)片(pian)環節(jie)盈利(li)惡化。
以愛旭股份為例(li)，20Q4-21Q3四個季度的(de)(de)毛利(li)(li)(li)率(lv)分(fen)別為17.7%/9.7%/1.7%/6.0%，凈 利(li)(li)(li)率(lv)為12.7%/3.4%/-3.2%/-0.5%，電(dian)池(chi)(chi)片(pian)環節開工(gong)率(lv)與盈(ying)利(li)(li)(li)情況均(jun)不甚理想，也對 電(dian)池(chi)(chi)設(she)備的(de)(de)投入與驗收(shou)工(gong)作造(zao)成(cheng)了(le)一定的(de)(de)負面影(ying)響(xiang)。我(wo)們認為硅(gui)(gui)料價格的(de)(de)高企造(zao)成(cheng) 的(de)(de)只是電(dian)池(chi)(chi)片(pian)設(she)備投入的(de)(de)推遲而不是取(qu)消，隨著(zhu)硅(gui)(gui)料產能(neng)的(de)(de)逐步釋放、電(dian)池(chi)(chi)片(pian)環節 開工(gong)率(lv)與盈(ying)利(li)(li)(li)的(de)(de)逐步好(hao)轉，電(dian)池(chi)(chi)片(pian)設(she)備的(de)(de)投入將繼續。
2022年(nian)(nian)隨著硅(gui)料產能(neng)逐(zhu)步釋(shi)放，硅(gui)料環節“相對緊缺”現狀(zhuang)年(nian)(nian)內有望得(de)(de)到(dao)(dao)改善(shan)，電 池(chi)片盈(ying)利(li)或將(jiang)回升，有望帶動資本開支(zhi)上行。根(gen)據集邦咨(zi)詢，至2022年(nian)(nian)年(nian)(nian)底全球多 晶硅(gui)有效(xiao)(xiao)產能(neng)有望達(da)80-85萬(wan)噸，新增(zeng)(zeng)(zeng)產能(neng)約為(wei)20-30萬(wan)噸。考(kao)慮(lv)硅(gui)料產能(neng)爬坡時(shi)間 約6個月(yue)，且受能(neng)耗雙控及產線(xian)檢(jian)修影響，2022年(nian)(nian)上半年(nian)(nian)硅(gui)料新增(zeng)(zeng)(zeng)有效(xiao)(xiao)產能(neng)有限，疊(die) 加下游剛性裝(zhuang)機(ji)需(xu)(xu)求(qiu)，硅(gui)料仍處于緊平衡狀(zhuang)態，隨著Q3、Q4季度硅(gui)料廠(chang)商擴產項目 達(da)產，產能(neng)逐(zhu)步釋(shi)放，Q2末硅(gui)料供需(xu)(xu)緊平衡狀(zhuang)況將(jiang)得(de)(de)到(dao)(dao)緩(huan)解，硅(gui)料或將(jiang)小有余量， 電池(chi)片盈(ying)利(li)或將(jiang)回升，將(jiang)有效(xiao)(xiao)帶動設備的需(xu)(xu)求(qiu)增(zeng)(zeng)(zeng)長(chang)。
四、重點公司分析：技術路線多點開花，設備廠商各有千秋
（一）捷佳偉創：多路線布局，有望受益于行業擴產進程
捷佳偉(wei)創(chuang)成立于2007年，是國內領(ling)先的(de)從事晶體(ti)硅太陽能電(dian)池設備(bei)研發、生產和(he)銷 售(shou)的(de)國家高新技術企業。公司憑(ping)借自身的(de)技術研發實(shi)力在太陽能電(dian)池設備(bei)生產領(ling)域 行業地位突(tu)出。
公司的主要業務為晶體硅(gui)(gui)太陽能電池設(she)(she)(she)備(bei)(bei)研發、生產(chan)和銷售，主要產(chan)品(pin)包括PECVD 及擴散爐等(deng)半導體摻雜沉(chen)積(ji)工(gong)藝光(guang)伏設(she)(she)(she)備(bei)(bei)、清(qing)洗、刻蝕、制絨等(deng)濕法工(gong)藝光(guang)伏設(she)(she)(she)備(bei)(bei) 以及自動(dong)化(hua)（配套(tao)(tao)）設(she)(she)(she)備(bei)(bei)、全(quan)自動(dong)絲網印刷設(she)(she)(she)備(bei)(bei)等(deng)晶體硅(gui)(gui)太陽能電池生產(chan)工(gong)藝流程 中的主要及配套(tao)(tao)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)的研發、制造和銷售。
公司收(shou)入和凈(jing)利潤穩中有升。公司實(shi)現2020年收(shou)入40.44億元，同(tong)比增(zeng)長60%， 2021Q1-Q3季(ji)度(du)實(shi)現37.45億元，同(tong)比增(zeng)長21.43%，2021年收(shou)入預計將保持(chi)增(zeng)長。 公司2020年凈(jing)利率(lv)(lv)(lv)為12.93%，毛(mao)利率(lv)(lv)(lv)為26.43%，相較(jiao)于2019年均出(chu)現下(xia)滑，2021 年Q1-Q3季(ji)度(du)凈(jing)利率(lv)(lv)(lv)為16.01%，毛(mao)利率(lv)(lv)(lv)為25.70%，凈(jing)利率(lv)(lv)(lv)較(jiao)2020年有所上升，毛(mao)利 率(lv)(lv)(lv)下(xia)滑速度(du)趨緩。
根據公司(si)在(zai)(zai)互動易對投資者的(de)(de)答復，公司(si)正加速(su)第三代電池(chi)設備布局，管(guan)式PECVD 正在(zai)(zai)中試(shi)線上(shang)進行(xing)量產(chan)定型的(de)(de)工藝調試(shi)階段，運(yun)行(xing)情況均符(fu)合(he)公司(si)預期，并(bing)且還在(zai)(zai) 升級優化，公司(si)在(zai)(zai)光伏(fu)各技術路線及(ji)海外市場上(shang)的(de)(de)新簽(qian)訂單在(zai)(zai)不(bu)斷增加。（報告(gao)來源(yuan)：未(wei)來智庫(ku)）
（二）邁為股份：國際 HJT 設備領先企業，率先受益于 HJT 擴產進程
邁(mai)為股(gu)份成(cheng)立于2010年，是一(yi)家集機械(xie)設(she)(she)計、電氣(qi)研(yan)制、軟件(jian)算(suan)法(fa)開發、精密制造 裝(zhuang)備(bei)于一(yi)體的高端智(zhi)能裝(zhuang)備(bei)制造商(shang)。公司憑借多年來優異的自主研(yan)發能力、產(chan)品質 量與售后服(fu)務體系，打破了(le)外(wai)國(guo)(guo)廠商(shang)在光(guang)伏(fu)絲(si)網印(yin)(yin)刷設(she)(she)備(bei)領(ling)域的壟斷，成(cheng)為全球光(guang) 伏(fu)絲(si)網印(yin)(yin)刷設(she)(she)備(bei)的龍頭企業，實現(xian)了(le)光(guang)伏(fu)絲(si)網印(yin)(yin)刷制造設(she)(she)備(bei)領(ling)域的國(guo)(guo)產(chan)化(hua)替代。
邁為股份的主(zhu)(zhu)要(yao)業務為面向太(tai)陽能光伏、顯(xian)示、半(ban)導體(ti)三(san)大行業，研(yan)發(fa)、制(zhi)造、銷售(shou) 智能化高(gao)端(duan)裝(zhuang)備，主(zhu)(zhu)要(yao)產品包括全自動太(tai)陽能電池(chi)絲網印刷生產線(xian)、異質結高(gao)效電 池(chi)制(zhi)造整體(ti)解決方案、OLED柔性屏激(ji)光切割設備、Mini/Micro LED晶(jing)圓(yuan)設備、半(ban)導 體(ti)晶(jing)圓(yuan)封裝(zhuang)設備等。
公司收(shou)入和(he)凈(jing)(jing)利(li)(li)潤穩中有升(sheng)，凈(jing)(jing)利(li)(li)率(lv)(lv)和(he)毛(mao)利(li)(li)率(lv)(lv)持續(xu)(xu)回升(sheng)，盈利(li)(li)能(neng)力(li)強。公司實(shi)現2020 年收(shou)入22.85億元(yuan)，同比增(zeng)長59%，2021Q1-Q3季(ji)度實(shi)現21.85億元(yuan)，同比增(zeng)長35%， 2021年收(shou)入預計將保持較高(gao)增(zeng)長。公司2020年凈(jing)(jing)利(li)(li)率(lv)(lv)為(wei)(wei)17.25%，毛(mao)利(li)(li)率(lv)(lv)為(wei)(wei)34.02%， 2021年前三(san)季(ji)度凈(jing)(jing)利(li)(li)率(lv)(lv)為(wei)(wei)20.39%，毛(mao)利(li)(li)率(lv)(lv)為(wei)(wei)38.41%，凈(jing)(jing)利(li)(li)率(lv)(lv)與毛(mao)利(li)(li)率(lv)(lv)持續(xu)(xu)上升(sheng)，盈利(li)(li)能(neng)力(li)較強。
（三）帝爾激光：光伏激光設備龍頭，技術持續突破
帝爾激光成(cheng)立于2008年，是一家研發精(jing)密激光加工(gong)配套設(she)備,提(ti)供相應(ying)解(jie)決方案設(she)計 的國(guo)家級高新技(ji)術(shu)企業(ye)。公司在微納級激光精(jing)密加工(gong)領(ling)域深耕多年，在高效太陽(yang)能(neng) 電池(chi)(chi)路(lu)線領(ling)域，PERC激光消融(rong)設(she)備、SE激光摻(chan)雜設(she)備，技(ji)術(shu)水平處于行業(ye)前(qian)列， 是行業(ye)內少數(shu)能(neng)夠提(ti)供高效太陽(yang)能(neng)電池(chi)(chi)激光加工(gong)綜(zong)合解(jie)決方案的企業(ye)。
公司主營業務為精(jing)密激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)加(jia)(jia)工(gong)(gong)解決方案的(de)(de)設(she)(she)(she)計(ji)及其配套設(she)(she)(she)備(bei)(bei)的(de)(de)研(yan)發、生產和銷售。 公司主要產品(pin)為應用于光(guang)(guang)(guang)伏產業的(de)(de)精(jing)密激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)加(jia)(jia)工(gong)(gong)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)，目(mu)前的(de)(de)主要產品(pin)包括PERC 激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)消融設(she)(she)(she)備(bei)(bei)、SE激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)摻雜設(she)(she)(she)備(bei)(bei)、MWT系列激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)、全自動高速激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)劃片/裂片 機、LID/R激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)修(xiu)復設(she)(she)(she)備(bei)(bei)、激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)擴硼設(she)(she)(she)備(bei)(bei)等(deng)激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)。近來(lai)公司在激(ji)(ji)光(guang)(guang)(guang)轉印等(deng)領域 持續(xu)突破，已覆蓋了高效(xiao)太陽(yang)能電(dian)池的(de)(de)PERC、MWT、SE、LID/R等(deng)多個工(gong)(gong)藝(yi)環 節，PERC、IBC、SE、LID/R等(deng)工(gong)(gong)藝(yi)可在高效(xiao)太陽(yang)能電(dian)池生產過程中疊加(jia)(jia)。
公司(si)(si)收入(ru)和凈(jing)利(li)(li)潤穩步上(shang)升，凈(jing)利(li)(li)率(lv)(lv)(lv)(lv)和毛利(li)(li)率(lv)(lv)(lv)(lv)緩慢下滑(hua)但仍維持高位。公司(si)(si)實現(xian)2020 年(nian)(nian)收入(ru)10.72億元，同比增(zeng)長53%，2021Q1-Q3季(ji)度實現(xian)9.35億元，同比增(zeng)長31%。 公司(si)(si)2020年(nian)(nian)凈(jing)利(li)(li)率(lv)(lv)(lv)(lv)為34.79%，毛利(li)(li)率(lv)(lv)(lv)(lv)為46.54%，2021年(nian)(nian)前(qian)三季(ji)度凈(jing)利(li)(li)率(lv)(lv)(lv)(lv)為30.12%， 毛利(li)(li)率(lv)(lv)(lv)(lv)為44.62%，凈(jing)利(li)(li)率(lv)(lv)(lv)(lv)與(yu)毛利(li)(li)率(lv)(lv)(lv)(lv)有(you)所(suo)下滑(hua)，但整體盈(ying)利(li)(li)能力仍較強。
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