1 刻蝕設備在半導體產業鏈中地位突出
1.1 半導體設備投資占比巨大，刻蝕設備是其中重要一環
半導體(ti)(ti)(ti)設(she)(she)備在硅片(pian)制(zhi)(zhi)造(zao)、前道及后道工(gong)藝中(zhong)舉(ju)足輕重。半導體(ti)(ti)(ti)設(she)(she)備即主(zhu)(zhu)要(yao)(yao)應(ying)用于半導體(ti)(ti)(ti)制(zhi)(zhi)造(zao)和(he)封 測流程的(de)設(she)(she)備。半導體(ti)(ti)(ti)設(she)(she)備行(xing)業(ye)(ye)是半導體(ti)(ti)(ti)制(zhi)(zhi)造(zao)的(de)基石，是半導體(ti)(ti)(ti)行(xing)業(ye)(ye)的(de)基礎和(he)核心(xin)。從產業(ye)(ye)鏈來看，半導體(ti)(ti)(ti)設(she)(she)備的(de)上游主(zhu)(zhu)要(yao)(yao)是單晶硅片(pian)制(zhi)(zhi)造(zao)以及 IC 設(she)(she)計，下游則主(zhu)(zhu)要(yao)(yao)為 IC 封測。根據(ju)半導體(ti)(ti)(ti)設(she)(she) 備在 IC 制(zhi)(zhi)造(zao)中(zhong)應(ying)用的(de)場景(jing)不(bu)同，一般可以分為氧(yang)化爐(lu)、涂膠顯影設(she)(she)備、光(guang)刻機、刻蝕機、離子注 入機、清洗設(she)(she)備、質量/電學(xue)檢(jian)測設(she)(she)備、CMP 設(she)(she)備、CVD 設(she)(she)備和(he) PVD 設(she)(she)備等。
先進制程驅動產線建設成本上行，半導體設備資本支出占比提升。通常，一條 90nm 制程芯片的(de) 晶圓生(sheng)產線建設成(cheng)本(ben)為 20 億美(mei)(mei)元(yuan)(yuan)，當制(zhi)程(cheng)(cheng)微縮至 20nm 時成(cheng)本(ben)達到 67 億美(mei)(mei)元(yuan)(yuan)，翻了(le)三倍之多。 而(er)半導體設備(bei)作為半導體產線投(tou)(tou)資的(de)主要(yao)投(tou)(tou)入項(xiang)，不僅種類(lei)繁多，而(er)且(qie)具有非(fei)常(chang)高的(de)技(ji)術要(yao)求， 也(ye)導致設備(bei)的(de)價格非(fei)常(chang)昂(ang)貴，設備(bei)在(zai)(zai)生(sheng)產線的(de)資本(ben)支出占比(bi)也(ye)逐漸提高。根據高新(xin)智庫研究表明(ming)， 在(zai)(zai) 90nm制(zhi)程(cheng)(cheng)中設備(bei)支出占比(bi)為 70%，到了(le) 20nm 制(zhi)程(cheng)(cheng)占比(bi)達到 85%，從 14 億美(mei)(mei)元(yuan)(yuan)提高到 57 億 美(mei)(mei)元(yuan)(yuan)，提高了(le)約(yue) 4 倍。
IC
制造設備占半導體設備比例達 80%，光刻、刻蝕和沉積設備為主要組成部分。從產品細分結構 來看，目前供應的半導體設備主要為
IC制造設備，其占市面上半導體設備的比重約為 80%；在這 些 IC 制造設備中，以光刻機、刻蝕機和薄膜沉積設備為主，根據 SEMI
測算數據，當前這三類半導體設備分別約占市面上半導體設備的 24%、20%和 20%。
光(guang)(guang)刻(ke)：光(guang)(guang)刻(ke)是(shi)(shi)半導體芯片生(sheng)產流程中(zhong)最復雜、最關鍵的工藝(yi)(yi)步驟，其利用(yong)曝光(guang)(guang)和(he)(he)顯影在(zai)光(guang)(guang)阻 層上刻(ke)畫幾何圖形(xing)結構(gou)，然后(hou)通過刻(ke)蝕工藝(yi)(yi)將光(guang)(guang)掩(yan)模上的圖形(xing)轉移到所在(zai)襯底上，具(ju)有耗時 長、成本高的特點(dian)。光(guang)(guang)刻(ke)的工藝(yi)(yi)水平直接決定芯片的制程水平和(he)(he)性能水平。光(guang)(guang)刻(ke)機是(shi)(shi)芯片制 造中(zhong)光(guang)(guang)刻(ke)環節的核心設備(bei)， 技術含量(liang)、價值含量(liang)極高。
刻蝕：刻蝕工藝是半導體制(zhi)(zhi)造工藝中的(de)(de)關(guan)鍵步驟，對于(yu)器件的(de)(de)電學(xue)(xue)性(xing)能(neng)十(shi)分重要。其利(li)用化(hua) 學(xue)(xue)或物理方法有選擇(ze)地從硅片(pian)表面去(qu)除不需要的(de)(de)材料的(de)(de)過(guo)程，目標(biao)是在涂膠的(de)(de)硅片(pian)上正確地 復制(zhi)(zhi)掩(yan)模(mo)圖形(xing)。如果(guo)刻蝕過(guo)程中出現(xian)失誤，將(jiang)造成難以恢復的(de)(de)硅片(pian)報廢(fei)，因此必須(xu)進行嚴格(ge) 的(de)(de)工藝流(liu)程控制(zhi)(zhi)。
薄(bo)膜(mo)沉(chen)積(ji)(ji)：薄(bo)膜(mo)沉(chen)積(ji)(ji)是(shi)(shi)集成(cheng)電路制造(zao)過程中必不可(ke)少的環節。薄(bo)膜(mo)沉(chen)積(ji)(ji)是(shi)(shi)指任何在(zai)硅片襯(chen)底 上沉(chen)積(ji)(ji)一層膜(mo)的工(gong)藝(yi)，這層膜(mo)可(ke)以是(shi)(shi)導體(ti)(ti)、絕緣(yuan)物質或者半導體(ti)(ti)材料。 薄(bo)膜(mo)沉(chen)積(ji)(ji)有(you)化(hua)學(xue)和 物理(li)工(gong)藝(yi)之分，具體(ti)(ti)而言可(ke)分為(wei)化(hua)學(xue)氣相沉(chen)積(ji)(ji)、物理(li)氣相沉(chen)積(ji)(ji)和其他沉(chen)積(ji)(ji)三大類。
中(zhong)國(guo)大(da)陸占據(ju)全(quan)球(qiu)半(ban)(ban)導(dao)體設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)市(shi)(shi)場(chang)約四分之一，技(ji)術(shu)(shu)仍處于(yu)(yu)(yu)追(zhui)趕狀態(tai)。中(zhong)國(guo)大(da)陸的(de)半(ban)(ban)導(dao)體設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)需 求(qiu)量大(da)，2019 年中(zhong)國(guo)的(de)半(ban)(ban)導(dao)體設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)市(shi)(shi)場(chang)規模占到了全(quan)球(qiu)的(de)一半(ban)(ban)，其中(zhong)中(zhong)國(guo)大(da)陸的(de)半(ban)(ban)導(dao)體設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)市(shi)(shi)場(chang) 規模占全(quan)球(qiu)的(de) 22.4%，略低(di)于(yu)(yu)(yu)中(zhong)國(guo)臺(tai)灣(wan)。中(zhong)國(guo)大(da)陸在市(shi)(shi)場(chang)需求(qiu)占據(ju)很(hen)大(da)份額的(de)同(tong)時，半(ban)(ban)導(dao)體設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei) 自給率很(hen)低(di)，技(ji)術(shu)(shu)仍處于(yu)(yu)(yu)追(zhui)趕狀態(tai)，先(xian)進半(ban)(ban)導(dao)體設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)技(ji)術(shu)(shu)仍由美歐(ou)日(ri)等(deng)國(guo)主導(dao)。其中(zhong)美國(guo)的(de)等(deng)離子刻蝕(shi)設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)、離子注入(ru)機、薄膜沉積設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)、檢測(ce)設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)、測(ce)試(shi)設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)、表面(mian)處理設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)等(deng)設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)的(de)制造(zao)技(ji) 術(shu)(shu)位于(yu)(yu)(yu)世界前列；荷(he)蘭則是憑借(jie) ASML 的(de)高端光刻機在全(quan)球(qiu)處于(yu)(yu)(yu)領先(xian)地位；在刻蝕(shi)設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)、晶圓清 洗設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)、檢測(ce)設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)、測(ce)試(shi)設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)、氧化設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)等(deng)方面(mian)，日(ri)本(ben)極具競爭(zheng)優(you)勢。
刻蝕設備有望率先完成國產替代。從國內市場來看，刻蝕機尤其是介質刻蝕機，是我國最具優勢
的半導體設備領域，也是國產替代占比最高的重要半導體設備之一。目前我國主流設備中，去膠設備、刻蝕設備、熱處理設備、清洗設備等的國產化率均已經達到
20%以上。而這之中市場規模 最大的則要數刻蝕設備。我國目前在刻蝕設備商代表公司為中微公司、北方華創以及屹唐股份。
1.2 先進工藝不斷演進，干法刻蝕大勢所趨
刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)是(shi)用化學或(huo)物理(li)方法對襯底表(biao)面(mian)或(huo)表(biao)面(mian)覆蓋薄膜進(jin)行(xing)選擇性腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)或(huo)剝離的過程，進(jin)而(er)形成(cheng)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)定義的電路(lu)圖形。刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)的基本目標(biao)是(shi)在(zai)涂(tu)膠的硅片上正確的復制(zhi)掩模(mo)圖形，有圖形的光(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠層 在(zai)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)中不受(shou)到腐(fu)(fu)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)源顯著的侵蝕(shi)(shi)(shi)(shi)，這層掩蔽(bi)膜用來在(zai)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)中保護(hu)硅片上的特殊區域(yu)而(er)選擇性地 刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)掉未被(bei)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)膠保護(hu)的區域(yu)。在(zai)通常的 CMOS 工藝流程中，刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)都是(shi)在(zai)光(guang)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)工藝之后進(jin)行(xing)的。 從(cong)這一點來看，刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)可以(yi)看成(cheng)在(zai)硅片上復制(zhi)所想要圖形的最后主(zhu)要圖形轉(zhuan)移(yi)工藝步驟。
按照(zhao)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)工藝劃分，刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)主(zhu)要分為干(gan)(gan)法(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)以(yi)及濕法(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)。干(gan)(gan)法(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)主(zhu)要利用(yong)反應氣體(ti)(ti)與等離子 體(ti)(ti)進行(xing)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)，利用(yong)等離子體(ti)(ti)與表面薄膜反應，形成揮發性物質，或者直接轟擊薄膜表面使(shi)之被(bei)腐 蝕(shi)(shi)(shi)(shi)的工藝。干(gan)(gan)法(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)可(ke)以(yi)在某一特(te)定(ding)方向上進行(xing)切割，使(shi)得實現(xian)理想中納(na)米（nm）級的超精細圖 案輪(lun)廓。濕法(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)工藝主(zhu)要是將被(bei)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)材料(liao)浸泡在腐蝕(shi)(shi)(shi)(shi)液內進行(xing)腐蝕(shi)(shi)(shi)(shi)，該刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)方法(fa)會(hui)導致材料(liao)的 橫向縱向同時腐蝕(shi)(shi)(shi)(shi)，會(hui)導致一定(ding)的線寬損失。目前來看，干(gan)(gan)法(fa)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)在半導體(ti)(ti)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)中占(zhan)(zhan)據絕對主(zhu)流 地位，市(shi)場占(zhan)(zhan)比約 90%。
按(an)照刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)材料劃分(fen)，刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)工藝包括(kuo)介(jie)(jie)質(zhi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)和(he)(he)導(dao)體(ti)(ti)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)，導(dao)體(ti)(ti)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)又分(fen)為硅刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)和(he)(he)金屬(shu)(shu)(shu)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)。金 屬(shu)(shu)(shu)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)主(zhu)要是(shi)(shi)在金屬(shu)(shu)(shu)層(ceng)上(shang)去(qu)除(chu)鋁、鎢或銅層(ceng)，以(yi)在逐級疊加(jia)的(de)芯片結構中生成(cheng)互(hu)聯導(dao)線圖(tu)形；硅 刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)（包括(kuo)多晶(jing)硅）應用于需要去(qu)除(chu)硅的(de)場合，如刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)多晶(jing)硅晶(jing)體(ti)(ti)管柵、硅槽電容(rong)；介(jie)(jie)質(zhi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)是(shi)(shi) 用于介(jie)(jie)質(zhi)材料的(de)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)，如二氧化硅。對于 8 英寸(cun)晶(jing)圓，介(jie)(jie)質(zhi)、多晶(jing)硅以(yi)及金屬(shu)(shu)(shu)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)是(shi)(shi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)設(she)備(bei)的(de) 常用類(lei)別。進入 12 英寸(cun)世代(dai)以(yi)后，隨著銅互(hu)連的(de)發(fa)展，金屬(shu)(shu)(shu)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)逐漸(jian)(jian)萎(wei)縮，介(jie)(jie)質(zhi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)份(fen)額逐漸(jian)(jian)加(jia) 大。20 年介(jie)(jie)質(zhi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)設(she)備(bei)的(de)份(fen)額已超過 40%，而(er)且隨著器件互(hu)連層(ceng)數增多，介(jie)(jie)質(zhi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)技術(shu)和(he)(he)設(she)備(bei)有 望持續(xu)發(fa)展。
干法刻蝕有化學反應、物理去除以及化學物理混合去除三種方式，性能各有優劣。其中，物理性
刻蝕，又稱離子束濺射刻蝕，原理是使帶能粒子在強電場下加速，這些帶能粒子通過濺射刻蝕作
用去除未被保護的硅片表面材料；化學性刻蝕，又稱等離子體刻蝕，純化學刻蝕作用中，通過等
離子體產生的自由基和反應原子與硅片表面的物質發生化學反應達到刻蝕的效果，可以得到較好
的刻蝕選擇性和較高的刻蝕速率；物理化學性刻蝕，即反應離子刻蝕，利用離子能量來使被刻蝕
層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應，具有各向異性強的優勢，是超大規模集成電路 工藝中很有發展前景的一種刻蝕方法。
ICP 與 CCP 是(shi)(shi)(shi)應用(yong)最為廣泛(fan)的(de)刻(ke)蝕(shi)(shi)設備。目前(qian)等(deng)(deng)離(li)子(zi)刻(ke)蝕(shi)(shi)是(shi)(shi)(shi)晶圓制造中使用(yong)的(de)主(zhu)要(yao)(yao)刻(ke)蝕(shi)(shi)方法(fa)，電(dian)(dian)(dian)(dian) 容性(xing)等(deng)(deng)離(li)子(zi)刻(ke)蝕(shi)(shi)（CCP）和電(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)(gan)性(xing)等(deng)(deng)離(li)子(zi)刻(ke)蝕(shi)(shi)（ICP）是(shi)(shi)(shi)兩種常用(yong)的(de)等(deng)(deng)離(li)子(zi)刻(ke)蝕(shi)(shi)方法(fa)。CCP 的(de)原(yuan) 理是(shi)(shi)(shi)將施(shi)加在(zai)極板(ban)上的(de)射(she)頻或直流電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)通過電(dian)(dian)(dian)(dian)容耦合的(de)方式在(zai)反應腔(qiang)內形(xing)成等(deng)(deng)離(li)子(zi)體(ti)，主(zhu)要(yao)(yao)用(yong)于 刻(ke)蝕(shi)(shi)氧化物、氮化物等(deng)(deng)硬(ying)度高(gao)、需(xu)要(yao)(yao)高(gao)能(neng)量離(li)子(zi)反應刻(ke)蝕(shi)(shi)的(de)介質材(cai)料(liao)。ICP 刻(ke)蝕(shi)(shi)的(de)原(yuan)理是(shi)(shi)(shi)將射(she)頻 電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)的(de)能(neng)量經由(you)電(dian)(dian)(dian)(dian)感(gan)(gan)線(xian)圈，以(yi)磁場耦合的(de)形(xing)式進入反應腔(qiang)內部，從而產生等(deng)(deng)離(li)子(zi)體(ti)并用(yong)于刻(ke)蝕(shi)(shi)， 主(zhu)要(yao)(yao)用(yong)于刻(ke)蝕(shi)(shi)單晶硅、多晶硅等(deng)(deng)材(cai)料(liao)。
原(yuan)子層刻(ke)蝕（ALE）能夠精(jing)確控制(zhi)刻(ke)蝕深度，成(cheng)(cheng)為未來技(ji)術(shu)升級趨勢。隨著(zhu)當前集成(cheng)(cheng)電路技(ji)術(shu)的(de)(de)(de)(de)(de) 不斷(duan)發展，構成(cheng)(cheng)芯片的(de)(de)(de)(de)(de)核心器(qi)件尺寸持續縮小，芯片的(de)(de)(de)(de)(de)加(jia)工制(zhi)造變得越(yue)來越(yue)精(jing)細。原(yuan)子層刻(ke)蝕 （ALE）是指通(tong)過一系(xi)列的(de)(de)(de)(de)(de)自限制(zhi)反應去除單個原(yuan)子層，不會觸(chu)及和破壞(huai)底層以及周圍材料的(de)(de)(de)(de)(de)先 進(jin)半導體生產工藝(yi)。ALE 是一種先進(jin)的(de)(de)(de)(de)(de)刻(ke)蝕技(ji)術(shu)，可以針對較淺的(de)(de)(de)(de)(de)微(wei)結構進(jin)行出色的(de)(de)(de)(de)(de)深度控制(zhi)。 原(yuan)子層刻(ke)蝕（ALE）技(ji)術(shu)適合間距或者空(kong)間上非常緊密(mi)的(de)(de)(de)(de)(de)可能發生孔(kong)洞“堵(du)塞(sai)”的(de)(de)(de)(de)(de)刻(ke)蝕，和具有 超(chao)高選擇性(xing)和均勻性(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)應用。
原子層刻(ke)蝕（ALE）可(ke)以分為等離(li)子體(ti)ALE和(he)高(gao)溫(wen)(wen)ALE，適用(yong)(yong)(yong)于(yu)(yu)不(bu)同類型(xing)的刻(ke)蝕。等離(li)子體(ti)ALE 使用(yong)(yong)(yong)高(gao)能離(li)子或中性物質(zhi)從表面上剔除物質(zhi)的方法(fa)來(lai)進行蝕刻(ke)；而高(gao)溫(wen)(wen) ALE 應用(yong)(yong)(yong)于(yu)(yu)特定(ding)的高(gao)溫(wen)(wen)氣 相反應。目前，等離(li)子體(ti) ALE已經進入生(sheng)產(chan)使用(yong)(yong)(yong)階(jie)段，而高(gao)溫(wen)(wen) ALE 仍(reng)處(chu)于(yu)(yu)早(zao)期(qi)階(jie)段，距(ju)離(li)商業化 使用(yong)(yong)(yong)仍(reng)有較遠距(ju)離(li)。
介質刻蝕和硅刻蝕領銜，等離子體刻蝕成絕對主流。從下游半導體行業刻蝕機的需求來看，介質
刻蝕機與硅刻蝕機需求場景較多，因此占比較高，其中介質刻蝕與硅刻蝕機分別占據干法刻蝕工
藝半壁江山。在集成電路生產線來看，等離子體刻蝕設備因其提供高速率、高選擇比以及低損傷 的刻蝕而被廣泛應用，根據《問芯
Voice》，目前等離子體刻蝕設備的市場規模也超過了 120 億 美元，約占全球刻蝕市場規模的
85%左右，成為刻蝕設備的絕對主流。未來隨著中微等公司對設 備研發的不斷投入，刻蝕設備國產化率進一步提升未來可期。
2 市場+技術雙輪驅動，刻蝕設備迎來市場機遇
2.1 市場端：終端應用需求上行，刻蝕設備市場快速發展
半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)設(she)(she)備(bei)市(shi)場(chang)規模上行，預(yu)計 2022 年(nian)(nian)將(jiang)(jiang)超過 1100 億(yi)美元(yuan)。作(zuo)為半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)產業鏈的(de)基(ji)石，半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti) 設(she)(she)備(bei)支(zhi)撐(cheng)著全球上萬(wan)億(yi)的(de)電子軟硬件大(da)生態，具有舉足輕(qing)重的(de)地(di)位。根據 SEMI 的(de)年(nian)(nian)終半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)設(she)(she) 備(bei)總(zong)(zong)量預(yu)測，預(yu)計 2021 年(nian)(nian)原始(shi)設(she)(she)備(bei)制(zhi)造商總(zong)(zong)銷售額將(jiang)(jiang)達到(dao) 1030 億(yi)美元(yuan)，比 2020 年(nian)(nian)的(de)市(shi)場(chang)規模猛增 44.7%。在存(cun)儲器需求回升、先(xian)進制(zhi)程投資及(ji)中國大(da)陸積(ji)極推(tui)動半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)投資的(de)背(bei)景下，SEMI 預(yu)計全球半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)設(she)(she)備(bei)市(shi)場(chang)將(jiang)(jiang)持(chi)續(xu)保持(chi)增長，到(dao) 2022 年(nian)(nian)全球半(ban)(ban)(ban)(ban)導(dao)體(ti)設(she)(she)備(bei)市(shi)場(chang)將(jiang)(jiang)擴大(da)到(dao) 1140 億(yi)美元(yuan)。
全球(qiu)(qiu)半導(dao)體刻蝕設(she)(she)備市場(chang)快速(su)發展(zhan)，2025 年(nian)(nian)有望達到 155 億(yi)(yi)(yi)美(mei)元(yuan)。2013 年(nian)(nian)，全球(qiu)(qiu)刻蝕設(she)(she)備市場(chang) 規模(mo)約(yue)為(wei) 40 億(yi)(yi)(yi)美(mei)元(yuan)，隨著(zhu)閃存技(ji)術突破，存儲市場(chang)拉動刻蝕設(she)(she)備需(xu)(xu)求(qiu)(qiu)明顯增大(da)，至(zhi) 2019 年(nian)(nian)市場(chang) 規模(mo)突破百億(yi)(yi)(yi)美(mei)元(yuan)，達到 115 億(yi)(yi)(yi)美(mei)元(yuan)。SEMI 預測 2025 年(nian)(nian)全球(qiu)(qiu)刻蝕設(she)(she)備市場(chang)空(kong)間(jian)達到 155 億(yi)(yi)(yi)美(mei) 元(yuan)，年(nian)(nian)復合(he)增速(su)約(yue)為(wei) 12%，市場(chang)空(kong)間(jian)增量主要來(lai)自于存儲制(zhi)造對刻蝕設(she)(she)備的(de)需(xu)(xu)求(qiu)(qiu)激(ji)增。
我們認為，隨著 5G、大數據、物聯網、人工智能等新興產業的發展，半導體器件的需求將持續 攀升。半導體設備作為推升半導體器件制造的基石，有望迎來新一輪發展機遇；而作為半導體設 備的重要組成部分，刻蝕設備的需求也將水漲船高。
國(guo)內 5G 建(jian)設(she)速度全(quan)球領先，5G 機(ji)(ji)型出貨(huo)量(liang)呈持續(xu)上升(sheng)趨勢。據(ju)工信(xin)部(bu)數(shu)據(ju)顯示(shi)(shi)，2020 年(nian)新建(jian) 5G 基站數(shu)達到 58 萬，5G 終端連接數(shu)已經(jing)超過 2 億，已實現所有(you)城(cheng)市的(de) 5G 覆(fu)蓋，在全(quan)球居于絕 對(dui)領先地位(wei)。據(ju)前(qian)(qian)瞻產(chan)業(ye)研究院(yuan)(yuan)測(ce)算(suan)，2021-2023 年(nian)期間三大運營(ying)商逐年(nian)建(jian)設(she)量(liang)約為 80 萬個、110 萬個、85 萬個。與 5G 基建(jian)速度相對(dui)應，5G 手(shou)機(ji)(ji)出貨(huo)量(liang)也迅(xun)速攀(pan)升(sheng)，中國(guo)信(xin)通(tong)(tong)院(yuan)(yuan)數(shu)據(ju)顯示(shi)(shi)， 中國(guo)信(xin)通(tong)(tong)院(yuan)(yuan)數(shu)據(ju)顯示(shi)(shi)，2021 年(nian) 1-11 月，國(guo)內市場手(shou)機(ji)(ji)總體出貨(huo)量(liang)累計 3.17 億部(bu)，同(tong)比增(zeng)長 12.8%，其中，5G 手(shou)機(ji)(ji)出貨(huo)量(liang) 2.39 億部(bu)，同(tong)比增(zeng)長 65.3%，占同(tong)期手(shou)機(ji)(ji)出貨(huo)量(liang)的(de) 73.3%。目前(qian)(qian) 國(guo)內手(shou)機(ji)(ji)市場主要以 5G 智能(neng)手(shou)機(ji)(ji)為主，隨著(zhu)未來 5G 基礎(chu)設(she)施的(de)進一步發展(zhan)，5G 智能(neng)手(shou)機(ji)(ji)占比 還有(you)望持續(xu)攀(pan)升(sheng)。
5G 的(de)高(gao)(gao)速數據傳輸、低(di)延時和大網絡容量等特性正促使(shi) 5G 芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)需求上(shang)升(sheng)。華為麒麟 9000、驍 龍 888 和蘋果的(de) A14 芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)都率先(xian)采(cai)取了 5nm 工(gong)藝(yi)制程，相比 7nm 工(gong)藝(yi)節(jie)點，5nm 工(gong)藝(yi)可以使(shi)產 品性能(neng)提(ti)高(gao)(gao) 15%，晶體管密度(du)最多提(ti)高(gao)(gao) 1.8 倍(bei)，性能(neng)提(ti)升(sheng)的(de)同時工(gong)藝(yi)復雜(za)度(du)也(ye)大幅增加。5nm 工(gong) 藝(yi)手機基(ji)帶芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)已經(jing)在(zai)小(xiao)米、華為、iPhone 等系(xi)列(lie)手機中得到應用，未(wei)來隨著(zhu)技(ji)術成熟和新應用 的(de)出現(xian)，5nm 甚至(zhi)更(geng)先(xian)進的(de)工(gong)藝(yi)芯(xin)(xin)(xin)片(pian)(pian)有望在(zai)手機終端實現(xian)普及，先(xian)進制程的(de)需求將繼續維持高(gao)(gao)景 氣度(du)。
存儲芯片在國內集成電路產業份額最大，大數據等新興領域成為其市場增量。存儲芯片一直都是 國內集成電路市場中份額最大的產品類別，特別是在 2018 年存儲芯片價格上漲的影響下，存儲 芯片市場占比進一步提升，2018 年國內市場銷售額達 5,775 億元，同比增長 34%， 2016 年至 2018 年國內存儲芯片市場銷售額的年均復合增長率達 40%。2019 年因前期存儲芯片廠商擴產導致存儲芯片供給增加，同時下游需求增長有所放緩，導致市場規模有所收縮。未來隨著物聯網、 大(da)數據等(deng)新興領域的(de)(de)快速發(fa)展，以及相關(guan)國家(jia)戰略的(de)(de)陸(lu)續實(shi)施，存儲芯片仍具有(you)巨(ju)大(da)的(de)(de)市場需求 和(he)發(fa)展空間。
DRAM
和 NAND Flash 占據半導體存儲器的九成份額，閃存市場有望迎來更多需求增量。2020 年全球 DRAM 全球市場規模約 695
億美元，NAND Flash 全球市場規模約 421 億美元，NOR Flash、EEPROM 及其他半導體存儲器市場規模約 76 億美元。IC
Insights 預測 2021 年存儲芯片 市場中，DRAM 在營收中占比 56%，閃存芯片占比 43%，ROM 芯片僅占 1%。NAND
Flash 方 面，全球的需求開始回升，市場整體呈現供不應求的局面；DRAM 方面，隨著物聯網的普及、5G
基站建設、汽車智能化的不斷推進，DRAM 產品將有望迎來更多增量需求。DRAM 和 NAND 存儲 器占據
90%存儲器份額，采用存儲單元堆疊式布局，需要更多通孔和導線等的刻蝕。
新興終端應用驅動人工智能芯片市場規模持續增長。隨著人工智能技術的日臻成熟，數字化基礎 設施不斷完善，消費機器人、智能駕駛、智能家居等終端應(ying)用(yong)加速(su)落地，推(tui)動人工智(zhi)(zhi)(zhi)能芯片(pian)市(shi)(shi)場 規(gui)(gui)(gui)模(mo)(mo)不斷攀升。根據 WSTS 數據顯示(shi)，2019 年(nian)全球 AI 芯片(pian)市(shi)(shi)場規(gui)(gui)(gui)模(mo)(mo)為 110 億美(mei)元(yuan)(yuan)，預(yu)計(ji) 2025年(nian)全球人工智(zhi)(zhi)(zhi)能芯片(pian)市(shi)(shi)場規(gui)(gui)(gui)模(mo)(mo)將達(da) 726 億美(mei)元(yuan)(yuan)。國內(nei)人工智(zhi)(zhi)(zhi)能芯片(pian)行業(ye)處(chu)在起步(bu)階段，自(zi)主創新 能力(li)和市(shi)(shi)場規(gui)(gui)(gui)模(mo)(mo)逐步(bu)提高。根據前瞻產業(ye)研究(jiu)院(yuan)預(yu)測，2023 年(nian)預(yu)計(ji)國內(nei)人工智(zhi)(zhi)(zhi)能芯片(pian)市(shi)(shi)場規(gui)(gui)(gui)模(mo)(mo)達(da) 到(dao) 1339 億元(yuan)(yuan)，2019-2023 年(nian) CAGR 為 84%，發展十分迅速(su)。
2.2 技術端：先進制程拉動刻蝕用量，復雜結構打開設備市場
邏輯芯片不斷突破，先(xian)進(jin)(jin)工(gong)藝刻蝕(shi)次(ci)數(shu)(shu)也不斷提(ti)升。晶(jing)圓代(dai)工(gong)行業呈現越來越高的(de)(de)資金和(he)技(ji)術壁 壘，如今晶(jing)圓廠(chang)一條 28nm 的(de)(de) 4 萬/月的(de)(de)生產線需(xu)要 40-50 億美元資本開支，研發新一代(dai)制(zhi)程(cheng)節(jie)點(dian) 可(ke)能需(xu)要數(shu)(shu)十(shi)億美元，如此龐大的(de)(de)投入構(gou)筑起了高資金和(he)技(ji)術壁壘。而(er)隨著(zhu)“摩(mo)爾定律”放緩， 從7納米(mi)到5納米(mi)乃至(zhi)3納米(mi)，每一個制(zhi)程(cheng)節(jie)點(dian)都(dou)舉步維艱，擁有高端制(zhi)程(cheng)能力的(de)(de)公司屈指可(ke)數(shu)(shu)， 而(er)對(dui)于不同(tong)節(jie)點(dian)的(de)(de)產品研發也需(xu)要海量的(de)(de)資金投入。而(er)隨著(zhu)先(xian)進(jin)(jin)制(zhi)程(cheng)工(gong)藝不斷演進(jin)(jin)，所需(xu)要的(de)(de)刻 蝕(shi)次(ci)數(shu)(shu)也逐漸增多，從 65nm 制(zhi)程(cheng)的(de)(de) 20 次(ci)增加至(zhi) 5nm 制(zhi)程(cheng)的(de)(de) 160 次(ci)，復(fu)雜度提(ti)升了 8 倍，顯著(zhu) 提(ti)升了半(ban)導體刻蝕(shi)設(she)備的(de)(de)數(shu)(shu)量和(he)質量。
邏輯電路制程不斷微縮，FinFET
成為當前主流工藝。邏輯電路工藝不斷的向著微型化發展，基 于傳統平面
MOSFET結構的晶胞單元不斷的縮小，漏、源的間距也不斷的減小，柵極的控制力就
不斷的減弱，導致器件的性能惡化，同時增加了靜態的功耗。當半導體工藝向更高技術節點挺進時，平面結構制程工藝逐漸達到極限難以突破，3D 結構的
FinFET 工藝逐漸成為主流。與平面晶 體管相比，FinFET 器件改進了對溝道的控制，從而減小了短溝道效應，同時能夠更好地對溝道進
行靜電控制。然而，當工藝制程來到 3nm 之后，鰭片(Fin)寬度達到 5nm(等于 3nm 節點)時， FinFET
將接近實際極限，再向下就會遇到瓶頸。此時全環柵晶體管 GAA 有望延續半導體技術經
典“摩爾定律”的新興技術路線，進一步增強柵極控制能力，克服當前技術的物理縮放比例和性 能限制。
先進工(gong)(gong)(gong)藝(yi)結構(gou)增加刻(ke)蝕(shi)難(nan)度與刻(ke)蝕(shi)步(bu)驟(zou)，對刻(ke)蝕(shi)設備提出了(le)(le)更高(gao)(gao)的要(yao)求。半導(dao)體(ti)邏(luo)輯電路的不斷 微縮，包(bao)括技術本身進化(hua)的需求，刻(ke)蝕(shi)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)在不斷迭代，像 Multiple Patterning 技術、基于金屬 硬掩模(mo)的雙大(da)馬士革(ge)工(gong)(gong)(gong)藝(yi)等等，都(dou)提高(gao)(gao)了(le)(le)刻(ke)蝕(shi)的難(nan)度，相應刻(ke)蝕(shi)機制(zhi)(zhi)造的難(nan)度也隨之(zhi)增加。同時 先進制(zhi)(zhi)程增加了(le)(le)刻(ke)蝕(shi)的步(bu)驟(zou)，多次刻(ke)蝕(shi)要(yao)求每一個步(bu)驟(zou)的精確度足夠高(gao)(gao)，才能保證整體(ti)生產的良(liang) 率。
存儲(chu)工(gong)藝革新帶動刻蝕(shi)需(xu)求提升(sheng)(sheng)。NAND Flash 技術不(bu)斷成(cheng)熟和(he)進步(bu)(bu)，現(xian)已(yi)經邁入 3D NAND 時 代，3D NAND 采用將存儲(chu)單元立體堆疊的方式(shi)，使得儲(chu)存能(neng)力提升(sheng)(sheng)明顯，而(er)其技術復雜(za)程度較 2D 有顯著提升(sheng)(sheng)。3D NAND 需(xu)要(yao)先經過(guo)(guo)干法和(he)濕法刻蝕(shi)形(xing)(xing)(xing)成(cheng)柱(zhu)形(xing)(xing)(xing)通孔和(he) 3D NAND 單元，由內層(ceng)(ceng) 依次形(xing)(xing)(xing)成(cheng)沉(chen)積(ji)氧化(hua)層(ceng)(ceng)-氮(dan)化(hua)層(ceng)(ceng)-氧化(hua)層(ceng)(ceng)結(jie)構后形(xing)(xing)(xing)成(cheng)浮柵(zha)層(ceng)(ceng)，然后刻蝕(shi)多余的 FG 使之能(neng)夠(gou)實現(xian)完全隔離，最后通過(guo)(guo)多步(bu)(bu)沉(chen)積(ji)形(xing)(xing)(xing)成(cheng) 3D NAND Flash。3D NAND 形(xing)(xing)(xing)成(cheng)過(guo)(guo)程中需(xu)要(yao)用到多步(bu)(bu)刻蝕(shi)，并且要(yao) 保證(zheng)刻蝕(shi)的各向(xiang)異性(xing)和(he)盡量小的偏差，對于(yu)刻蝕(shi)設(she)備(bei)和(he)相應技術都有著極高的要(yao)求。
高深寬比通道刻蝕與選擇性刻蝕等步驟使
3D NAND 刻蝕難度全面升級。在 96 層 3D NAND 中縱 橫比高達
70:1，每塊晶圓中有一萬億個微小孔通道，孔道隨著疊加層數而增多，故保證孔道的均
勻性和平整性才能保證器件的性能。其中，克服不完全刻蝕、弓形刻蝕、扭曲以及堆疊頂部和底 部之間的 CD 差異成為刻蝕 3D NAND
工藝中面臨的巨大挑戰。此外，選擇性刻蝕是 3D NAND 刻
蝕工藝中的關鍵步驟，刻蝕的均一性直接影響后續柵極電介質的沉積質量，但隨著堆疊層數增加，
畸形氧化沉積層變厚，嚴重時會直接導致氧化層塌陷，影響芯片性能。因此，3D NAND 更高堆疊
層數的突破將帶來刻蝕難度的極大提升，器件性能的突破也往往伴隨著刻蝕工藝的長足進步。
DRAM 微(wei)縮工藝(yi)拉動刻(ke)(ke)蝕設備需求。DRAM 制(zhi)(zhi)程(cheng)工藝(yi)進入 20nm 以后(hou)，由于制(zhi)(zhi)造(zao)難度(du)(du)越來(lai)越高， 內存芯片制(zhi)(zhi)造(zao)廠(chang)商對工藝(yi)的(de)(de)定義(yi)已經不是具體(ti)的(de)(de)線寬(kuan)，而是分(fen)成了(le) 1x、1y、1z，大體(ti)來(lai)講，1xnm 制(zhi)(zhi)程(cheng)相(xiang)當(dang)于 16~19nm、1y-nm 相(xiang)當(dang)于 14~16nm，而 1z-nm 則相(xiang)當(dang)于 12~14nm。如今(jin)傳統(tong)的(de)(de) DRAM 面臨越來(lai)越嚴峻(jun)的(de)(de)微(wei)縮挑戰(zhan)，隨著半(ban)導體(ti)制(zhi)(zhi)造(zao)技術持續朝更小的(de)(de)技術節點邁進，DRAM 電 路(lu)圖(tu)形密度(du)(du)增(zeng)大，多(duo)重圖(tu)案化重復(fu)次數(shu)增(zeng)加，極大地增(zeng)加了(le)刻(ke)(ke)蝕工藝(yi)的(de)(de)設備需求。
3 日美廠商頭部集中，國產替代前景廣闊
3.1 海外龍頭居于壟斷地位，研發并購筑起行業壁壘
半(ban)導(dao)(dao)體刻蝕設備市(shi)場(chang)主要(yao)由美日廠商主導(dao)(dao)。半(ban)導(dao)(dao)體刻蝕設備領域長(chang)期由海外龍(long)頭(tou)壟斷，根據中商 情報網統計，全球刻蝕企業前(qian)三大分別(bie)是(shi)泛(fan)林(lin)半(ban)導(dao)(dao)體（Lam Research）、東京(jing)電子（TEL）、應(ying) 用材料(liao)（AMAT），全球市(shi)占率合計 91%，其中泛(fan)林(lin)半(ban)導(dao)(dao)體以 45%的(de)市(shi)場(chang)份額遙(yao)遙(yao)領先，東京(jing)電 子和(he)應(ying)用材料(liao)則分別(bie)占據 28%和(he) 18%的(de)市(shi)場(chang)份額。
3.1.1：泛林集團（Lam Research）：全球第一大刻蝕設備提供商
泛林集團成(cheng)立(li)(li)于 1980 年，總部位于美國加利(li)福尼亞州，是全(quan)球領先的(de)綜合(he)(he)性半導體設備龍頭企(qi) 業(ye)。公(gong)司立(li)(li)足(zu)刻蝕(shi)設備領域(yu)，通過并購(gou)不(bu)斷提(ti)升(sheng)競(jing)爭能力，構建技(ji)術壁壘(lei)和擴充產品線。公(gong)司核 心產品包括刻蝕(shi)機、薄膜沉積(ji)設備和去光阻和清洗設備，其中刻蝕(shi)設備多(duo)年來的(de)全(quan)球市場份額一 直超(chao)過 50%，并與臺積(ji)電、中芯國際、鎂光科技(ji)、三(san)星(xing)電子等建立(li)(li)了(le)深(shen)厚的(de)業(ye)務合(he)(he)作(zuo)關(guan)系。公(gong)司 在 2020 財年的(de)營業(ye)收入達到 146.26 億美元，同(tong)比增長 46%；凈利(li)潤達到 39.08 億美元，同(tong)比增 長 74%。
3.1.2 應用材料（AMAT）：半導體核心設備巨頭
應用(yong)材料成(cheng)立于1967年，總部位于加利福尼亞(ya)州圣克拉拉。經(jing)過(guo)五(wu)十余年的發展并(bing)購(gou)，公(gong)司已經(jing) 成(cheng)為(wei)全(quan)球半導體設備(bei)領域規模(mo)最大(da)的供應商。公(gong)司產品品類(lei)非(fei)常(chang)完備(bei)，能夠完成(cheng)晶圓前(qian)道加工與 后(hou)道封測的絕大(da)部分工藝環(huan)節，其中(zhong)物理氣(qi)相沉積、化學氣(qi)相沉積、離子注入等多項設備(bei)在全(quan)球 市場中(zhong)市占率排第一(yi)。公(gong)司與英特(te)爾、三星(xing)電(dian)(dian)子、臺積電(dian)(dian)、鎂光科(ke)技等構建了深(shen)度的長(chang)期合作關 系，其中(zhong)三星(xing)電(dian)(dian)子和臺積電(dian)(dian)常(chang)年為(wei)公(gong)司的前(qian)兩大(da)客戶。公(gong)司在 2019 財(cai)年的營業收入達到(dao) 172 億(yi) 美(mei)元，同比增長(chang) 18%；凈利潤(run)達到(dao) 36 億(yi)美(mei)元，同比增長(chang) 34%。
3.2 刻蝕設備國產化率低，國產替代空間廣
國產(chan)刻蝕設備(bei)(bei)自給率(lv)不足兩成(cheng)(cheng)，國內廠商有(you)望迅(xun)速崛起。在 2020 年，核心集成(cheng)(cheng)電路設備(bei)(bei)的國內 市場國產(chan)化率(lv)不足 10%，而刻蝕設備(bei)(bei)的國產(chan)化率(lv)約 20%，是目前(qian)國產(chan)替代占比最高的重要半導體 設備(bei)(bei)之一，也有(you)望率(lv)先完(wan)成(cheng)(cheng)國產(chan)替代。
從需求端看，隨著全球貿易摩擦給半導體供應鏈帶來的不確定性，國內晶圓廠更傾向于購買國產
設備。從政策環境上來看，我國政府對于半導體設備行業更加重視，推出有針對性的行業優惠扶
持政策和以專項的形式組織一批國內半導體設備公司進行一系列重點工藝和技術的攻關。從資本
角度來看，政府成立一批國家產業投資基金，大力度投資半導體設備、半導體材料等基礎環節。
國內刻蝕設備細分龍頭如北方華創、中微公司等在等離子體刻蝕設備領域產品優勢顯著，已達到
世界領先水平。因此，刻蝕領域國產化替代前景廣闊，在需求、政策、資本、技術等多因素推動 下，有望加速實現國產化。
對比國(guo)際(ji)刻(ke)(ke)蝕龍頭(tou)，國(guo)內(nei)(nei)刻(ke)(ke)蝕企業(ye)(ye)在(zai)規(gui)模、研(yan)發(fa)(fa)(fa)、技術(shu)等差(cha)距顯著。國(guo)內(nei)(nei)刻(ke)(ke)蝕領域雖(sui)然(ran)已經(jing)涌現(xian) 出多(duo)家實(shi)力(li)雄厚的(de)公司(si)，如北方(fang)華(hua)(hua)創和(he)(he)中(zhong)微公司(si)，但(dan)國(guo)內(nei)(nei)刻(ke)(ke)蝕設(she)備生產(chan)廠商在(zai)全球刻(ke)(ke)蝕設(she)備市場 的(de)市占(zhan)率較(jiao)低，與(yu)世(shi)界(jie)頭(tou)部(bu)企業(ye)(ye)在(zai)多(duo)方(fang)面存在(zai)較(jiao)大差(cha)距。從營業(ye)(ye)收入(ru)和(he)(he)歸母凈利潤(run)角度看，北方(fang)華(hua)(hua)創和(he)(he)中(zhong)微公司(si)雖(sui)然(ran)在(zai)近年均呈(cheng)現(xian)高速增長態勢，但(dan)是總規(gui)模與(yu)國(guo)際(ji)巨頭(tou)差(cha)距懸(xuan)殊(shu)。從研(yan)發(fa)(fa)(fa)投(tou)入(ru) 角度看，雖(sui)然(ran)北方(fang)華(hua)(hua)創和(he)(he)中(zhong)微公司(si)研(yan)發(fa)(fa)(fa)投(tou)入(ru)占(zhan)營業(ye)(ye)收入(ru)比重超過國(guo)外企業(ye)(ye)，但(dan)是研(yan)發(fa)(fa)(fa)投(tou)入(ru)總規(gui)模 仍然(ran)遠遠小于國(guo)際(ji)龍頭(tou)企業(ye)(ye)。在(zai)國(guo)家集成電路產(chan)業(ye)(ye)基金和(he)(he)行業(ye)(ye)政策的(de)大力(li)扶(fu)持下(xia)， 二(er)者的(de)研(yan)發(fa)(fa)(fa)投(tou) 入(ru)有望迎來大幅提升。在(zai)技術(shu)水平上(shang)，國(guo)內(nei)(nei)頭(tou)部(bu)企業(ye)(ye)尚(shang)未(wei)攻克一(yi)些頂(ding)尖刻(ke)(ke)蝕技術(shu)，與(yu)國(guo)際(ji)巨頭(tou)存 在(zai)較(jiao)大差(cha)距。北方(fang)華(hua)(hua)創和(he)(he)中(zhong)微公司(si)均未(wei)涉(she)足目前行業(ye)(ye)最尖端的(de) ALE 技術(shu)，而(er)泛林集團(tuan)的(de) ALE 已經(jing) 實(shi)現(xian)量產(chan)。在(zai)先進(jin)制程節點上(shang)，泛林集團(tuan)的(de) 5nm 刻(ke)(ke)蝕應用已經(jing)進(jin)入(ru)量產(chan)階段(duan)，3nm 刻(ke)(ke)蝕應用正(zheng)在(zai) 驗證階段(duan)，而(er)國(guo)內(nei)(nei)企業(ye)(ye)尚(shang)處在(zai) 5nm 刻(ke)(ke)蝕應用的(de)驗證階段(duan)和(he)(he) 3nm 刻(ke)(ke)蝕應用的(de)研(yan)發(fa)(fa)(fa)階段(duan)。
國(guo)(guo)內刻(ke)蝕(shi)龍(long)頭(tou)(tou)企業的(de)部(bu)分技術已(yi)(yi)達到國(guo)(guo)際一流水平(ping)。在目(mu)前廣泛使用的(de)高密度等離子刻(ke)蝕(shi)設備(bei)(bei)上， 中微公司的(de) ICP 和 CCP 刻(ke)蝕(shi)設備(bei)(bei)與泛林集團(tuan) DRIE 刻(ke)蝕(shi)設備(bei)(bei)的(de)刻(ke)蝕(shi)效果相當。同時，中微公司的(de) 介(jie)質刻(ke)蝕(shi)已(yi)(yi)經(jing)進入(ru)臺(tai)積電 7nm/5nm 產(chan)(chan)(chan)(chan)線(xian)，是(shi)唯一一家進入(ru)臺(tai)積電產(chan)(chan)(chan)(chan)線(xian)的(de)國(guo)(guo)產(chan)(chan)(chan)(chan)刻(ke)蝕(shi)設備(bei)(bei)生(sheng)產(chan)(chan)(chan)(chan)商。北 方(fang)華創在ICP刻(ke)蝕(shi)領域優勢顯著，已(yi)(yi)量產(chan)(chan)(chan)(chan)28nm制(zhi)程以上的(de)刻(ke)蝕(shi)設備(bei)(bei)，同時已(yi)(yi)經(jing)突破14nm技術， 并進入(ru)中芯國(guo)(guo)際 14nm 產(chan)(chan)(chan)(chan)線(xian)驗證(zheng)階段(duan)。隨(sui)著國(guo)(guo)內刻(ke)蝕(shi)龍(long)頭(tou)(tou)緊跟先進制(zhi)程發展(zhan)，加大研發投(tou)入(ru)，積 極并購與整合，整體國(guo)(guo)產(chan)(chan)(chan)(chan)刻(ke)蝕(shi)設備(bei)(bei)水平(ping)有望快(kuai)速迭代升級并完成刻(ke)蝕(shi)領域的(de)國(guo)(guo)產(chan)(chan)(chan)(chan)替代。
3.3 國內產線建設持續加碼，積極導入國產設備推動放量
中(zhong)國(guo)大陸成為(wei)全(quan)(quan)球(qiu)最大半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)市場(chang)，承接半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)制造產能重心(xin)轉移。根據 SEMI 統計(ji)數據， 2020 年全(quan)(quan)球(qiu)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)市場(chang)規模達到 712 億(yi)美元，增速為(wei) 24%。在 2020 年，中(zhong)國(guo)大陸半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)(she) 備(bei)(bei)(bei)市場(chang)占全(quan)(quan)球(qiu)市場(chang)的(de) 26.3%，首次超越中(zhong)國(guo)臺灣和(he)韓國(guo)成為(wei)全(quan)(quan)球(qiu)最大的(de)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)市場(chang)。作為(wei)半(ban) 導(dao)(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)中(zhong)的(de)核(he)心(xin)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)，國(guo)產刻蝕設(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)有望隨著國(guo)內半(ban)導(dao)(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)市場(chang)規模的(de)快速增長而迎來(lai)黃金 發展期。
中芯(xin)國(guo)際等國(guo)內晶圓(yuan)(yuan)(yuan)廠積極(ji)擴產(chan)，拉動國(guo)產(chan)半(ban)(ban)導體(ti)設(she)備需求。在半(ban)(ban)導體(ti)需求高(gao)漲(zhang)以及(ji)芯(xin)片(pian)自制政 策(ce)推(tui)動下(xia)，中芯(xin)國(guo)際、華(hua)虹集(ji)團(tuan)等國(guo)內晶圓(yuan)(yuan)(yuan)代工廠未來(lai)數(shu)年(nian)擴產(chan)計(ji)劃(hua)仍相當積極(ji)。根據芯(xin)思(si)想研 究院統計(ji)，截至 2021 年(nian) 6 月我國(guo)晶圓(yuan)(yuan)(yuan)制造擴產(chan)的(de) Fab 廠有 16 家(jia)，規劃(hua)產(chan)能(neng)超過 90 萬片(pian)，產(chan)能(neng)將在 2021-2023 年(nian)逐步釋放。隨著多家(jia)晶圓(yuan)(yuan)(yuan)廠研發產(chan)線(xian)在中國(guo)大陸的(de)投產(chan)，國(guo)內晶圓(yuan)(yuan)(yuan)廠建設(she)密集(ji) 期到來(lai)，各個晶圓(yuan)(yuan)(yuan)廠也(ye)會加(jia)速(su)新一輪半(ban)(ban)導體(ti)設(she)備的(de)采(cai)購，將為半(ban)(ban)導體(ti)刻蝕設(she)備的(de)提供更加(jia)廣闊的(de) 舞臺。
新(xin)增(zeng)產(chan)(chan)(chan)能(neng)建(jian)設(she)(she)(she)積(ji)極導入國(guo)(guo)產(chan)(chan)(chan)設(she)(she)(she)備(bei)，國(guo)(guo)產(chan)(chan)(chan)刻(ke)蝕設(she)(she)(she)備(bei)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)標(biao)(biao)量(liang)進(jin)一步提升(sheng)。根據(ju)國(guo)(guo)內晶圓(yuan)廠主要招投標(biao)(biao) 數據(ju)顯(xian)示，海外龍(long)頭供(gong)應廠商(shang)(shang)占(zhan)(zhan)(zhan)據(ju)最大份額，國(guo)(guo)內龍(long)頭公司(si)北(bei)方(fang)(fang)華創、中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)微(wei)公司(si)、屹(yi)唐股份處于(yu) 加速導入過(guo)程。以長江(jiang)存儲(chu)設(she)(she)(she)備(bei)招中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)標(biao)(biao)情(qing)況，截至 2020 年(nian) 12 月，長江(jiang)存儲(chu)共累計招標(biao)(biao) 348 臺(tai)(tai)(tai)(tai)刻(ke) 蝕設(she)(she)(she)備(bei)，其中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)美(mei)國(guo)(guo)廠商(shang)(shang) Lam Research 占(zhan)(zhan)(zhan)據(ju)超(chao)過(guo)一半(ban)(ban)的采購量(liang)，達 187 臺(tai)(tai)(tai)(tai)；而(er)國(guo)(guo)內廠商(shang)(shang)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)微(wei)公司(si)、 北(bei)方(fang)(fang)華創、屹(yi)唐股份分別中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)標(biao)(biao) 50 臺(tai)(tai)(tai)(tai)、18 臺(tai)(tai)(tai)(tai)、13 臺(tai)(tai)(tai)(tai)，國(guo)(guo)產(chan)(chan)(chan)化率高達 23.85%。以華虹六廠設(she)(she)(she)備(bei)招 中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)標(biao)(biao)情(qing)況為例，截至 2020 年(nian) 12 月，華虹六廠共累計招標(biao)(biao) 81 臺(tai)(tai)(tai)(tai)刻(ke)蝕設(she)(she)(she)備(bei)，其中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong) Lam Research 依 舊(jiu)占(zhan)(zhan)(zhan)據(ju)超(chao)過(guo)一半(ban)(ban)的采購量(liang)，達 45 臺(tai)(tai)(tai)(tai)；國(guo)(guo)內廠商(shang)(shang)中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)微(wei)半(ban)(ban)導體、北(bei)方(fang)(fang)華創分別中(zhong)(zhong)(zhong)(zhong)標(biao)(biao) 15 臺(tai)(tai)(tai)(tai)、1 臺(tai)(tai)(tai)(tai)，國(guo)(guo) 產(chan)(chan)(chan)化率約為 19.75%。根據(ju)亞化咨詢(xun)研究數據(ju)顯(xian)示，2018、2019 年(nian)長江(jiang)存儲(chu)采購的國(guo)(guo)產(chan)(chan)(chan)刻(ke)蝕機占(zhan)(zhan)(zhan) 比迅速提升(sheng)，預計 2023 年(nian)將突破 40%，刻(ke)蝕設(she)(she)(she)備(bei)國(guo)(guo)產(chan)(chan)(chan)替代未來可期。
國家政策陸續出臺，驅動國產刻蝕設備行業持續發力。近年來國家加大對于半導體產業政策的扶
持力度，多項重磅文件相繼出臺，主要表現在對于整個 IC 產業鏈企業的政策優待以及對于半導體
設備行業的相關規劃與推動。其中《國家集成電路產業發展推進綱要》和《科技部重點支持集成
電路重點專項》等一系列政策推動了一批國內半導體設備公司進行了一系列重點工藝和技術的攻
關，使得我國半導體設備行業涌現出了一批擁有國際競爭力的龍頭企業，有效促進了我國半導體 設備行業的發展。
國家(jia)集(ji)(ji)成電路產業(ye)基金一(yi)期投(tou)(tou)(tou)資(zi)方向集(ji)(ji)中于存(cun)儲器和(he)先進工藝(yi)生產線，而對半導體設備的投(tou)(tou)(tou)資(zi)力 度較小。大基金一(yi)期規模(mo) 1387 億元，已于 2018 年基本投(tou)(tou)(tou)資(zi)完畢，撬(qiao)動 5145 億元的地方基金以(yi) 及私募股權(quan)投(tou)(tou)(tou)資(zi)基金，總計約6500億元資(zi)金投(tou)(tou)(tou)入集(ji)(ji)成電路行業(ye)。從資(zi)金流(liu)向來看(kan)，芯片(pian)制造獲(huo)得(de) 投(tou)(tou)(tou)資(zi) 515.42 億元，占比(bi) 47%；芯片(pian)設計獲(huo)得(de)投(tou)(tou)(tou)資(zi) 215.69 億元，占比(bi) 20%；而半導體設備僅獲(huo)得(de) 投(tou)(tou)(tou)資(zi) 24.68 億元，占比(bi) 2%，主要獲(huo)投(tou)(tou)(tou)企(qi)業(ye)有中微(wei)公司、北方華創、沈陽拓荊等。
大(da)基金(jin)二(er)期(qi)(qi)實力(li)雄厚，著(zhu)重布局投資(zi)半(ban)導(dao)體(ti)設(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)等(deng)(deng)(deng)薄(bo)弱(ruo)環節(jie)。大(da)基金(jin)二(er)期(qi)(qi)將(jiang)(jiang)重點支持(chi)(chi)國產(chan)半(ban)導(dao)體(ti) 設(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)等(deng)(deng)(deng)產(chan)業(ye)(ye)(ye)發展(zhan)：（1）二(er)期(qi)(qi)基金(jin)將(jiang)(jiang)對在(zai)刻(ke)蝕機(ji)、薄(bo)膜設(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)、測試設(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)和清洗(xi)設(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)等(deng)(deng)(deng)領域(yu)已(yi)布局 的(de)企(qi)(qi)業(ye)(ye)(ye)保持(chi)(chi)高(gao)強(qiang)度的(de)持(chi)(chi)續支持(chi)(chi)，培(pei)育(yu)中國大(da)陸“應用材料(liao)”的(de)企(qi)(qi)業(ye)(ye)(ye)苗子；（2）加快(kuai)開展(zhan)光刻(ke)機(ji)、 化(hua)學(xue)機(ji)械研(yan)磨設(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)等(deng)(deng)(deng)核心設(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)以(yi)及(ji)關鍵零部件的(de)投資(zi)布局，填補(bu)國產(chan)工藝設(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)空白(bai)；（3）督促 制造(zao)企(qi)(qi)業(ye)(ye)(ye)提高(gao)國產(chan)裝備(bei)(bei)(bei)(bei)驗證(zheng)及(ji)采購比例。半(ban)導(dao)體(ti)刻(ke)蝕設(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)作(zuo)為半(ban)導(dao)體(ti)設(she)備(bei)(bei)(bei)(bei)產(chan)業(ye)(ye)(ye)的(de)重要(yao)環節(jie)，中微 公司、北方(fang)華創等(deng)(deng)(deng)優秀刻(ke)蝕企(qi)(qi)業(ye)(ye)(ye)已(yi)獲大(da)基金(jin)青睞，隨著(zhu)大(da)基金(jin)二(er)期(qi)(qi)全面(mian)進入了(le)投資(zi)階段，其中更 多(duo)有潛(qian)力(li)的(de)企(qi)(qi)業(ye)(ye)(ye)有望(wang)持(chi)(chi)續受益。
4 重點公司分析
4.1 中微公司：集成電路裝備領先企業
中微公司(si)(688012)深(shen)耕芯(xin)片制造(zao)刻蝕(shi)(shi)領(ling)域(yu)，研制出了國內(nei)第(di)一臺電(dian)介質(zhi)刻蝕(shi)(shi)機。公司(si)主 要產品為(wei)用于 IC集成(cheng)電(dian)路領(ling)域(yu)的(de)等離子體刻蝕(shi)(shi)設備(CCP、ICP)、深(shen)硅刻蝕(shi)(shi)設備(TSV)、LED領(ling)域(yu) 的(de) MOCVD 設備等。公司(si)等離子體刻蝕(shi)(shi)設備已被廣泛應(ying)用于國際一線客戶從(cong) 65 納米(mi)到(dao) 14 納米(mi)、 7 納米(mi)和 5 納米(mi)的(de)集成(cheng)電(dian)路加工制造(zao)及先進(jin)封裝。
公(gong)司 2020 年(nian)營收穩步增(zeng)長，凈(jing)利(li)潤保持高增(zeng)。從歷年(nian)營收規模來看，公(gong)司依托在刻蝕設備等主 要產品的先進技術優勢和廣泛(fan)的客戶群體(ti)實(shi)現了高速增(zeng)長，業務規模不斷擴大。2020 年(nian)實(shi)現營業 收入(ru) 22.73 億元(yuan)，比(bi)上年(nian)增(zeng)長 17%；實(shi)現凈(jing)利(li)潤 4.92 億元(yuan)，同比(bi)增(zeng)長 160%。
公(gong)司(si)持(chi)續(xu)致力于(yu)(yu)(yu)半導(dao)體核心設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)的(de)(de)(de)研(yan)發(fa)升級，高端設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)產(chan)(chan)品和(he)技術處于(yu)(yu)(yu)世(shi)界先進(jin)水平。公(gong)司(si) 2017-2020 年(nian)的(de)(de)(de)研(yan)發(fa)投入持(chi)續(xu)增長，2020 年(nian)研(yan)發(fa)投入 5.9 億元(yuan)，同(tong)比增加(jia) 39%，研(yan)發(fa)費用(yong)率為 14.6%，主要用(yong)于(yu)(yu)(yu)研(yan)發(fa)存(cun)儲器的(de)(de)(de) CCP 和(he) ICP 刻(ke)(ke)蝕(shi)設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)等。在(zai)邏輯集成電路(lu)制造環節(jie)(jie)，公(gong)司(si)開發(fa)的(de)(de)(de) 12 英寸高端刻(ke)(ke)蝕(shi)設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)已(yi)(yi)運用(yong)在(zai)國(guo)際(ji)知名(ming)客戶最先進(jin)的(de)(de)(de)生(sheng)產(chan)(chan)線上并(bing)用(yong)于(yu)(yu)(yu) 5 納米、5 納米以下器件中 若干(gan)關鍵步驟的(de)(de)(de)加(jia)工；同(tong)時(shi)，公(gong)司(si)根據先進(jin)集成電路(lu)廠商的(de)(de)(de)需求(qiu)持(chi)續(xu)進(jin)行設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)開發(fa)和(he)工藝(yi)優化。 在(zai) 3D NAND 芯片制造環節(jie)(jie)，公(gong)司(si)的(de)(de)(de)電容性(xing)等離子(zi)(zi)體刻(ke)(ke)蝕(shi)設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)技術已(yi)(yi)應用(yong)于(yu)(yu)(yu) 64 層和(he) 128 層的(de)(de)(de)量 產(chan)(chan)，電感性(xing)等離子(zi)(zi)體刻(ke)(ke)蝕(shi)設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)技術已(yi)(yi)應用(yong)于(yu)(yu)(yu) 64 層的(de)(de)(de)量產(chan)(chan)，同(tong)時(shi)公(gong)司(si)根據存(cun)儲器件客戶的(de)(de)(de)需求(qiu)正在(zai) 開發(fa)極高深寬比的(de)(de)(de)刻(ke)(ke)蝕(shi)設(she)(she)(she)(she)備(bei)(bei)(bei)和(he)工藝(yi)。
4.2 北方華創：國產半導體設備龍頭
北方(fang)(fang)華創(002371)是由北京七星華創電(dian)子(zi)股份有(you)限(xian)公(gong)司和(he)北京北方(fang)(fang)微電(dian)子(zi)基地(di)設備工藝 研究中心有(you)限(xian)責任公(gong)司戰略重組而(er)成。北方(fang)(fang)華創主營(ying)半(ban)導(dao)體裝(zhuang)(zhuang)備、真空裝(zhuang)(zhuang)備、新能源鋰電(dian)裝(zhuang)(zhuang)備及 精密元(yuan)器件業(ye)務，為半(ban)導(dao)體、新能源、新材料等(deng)領(ling)域提供(gong)解決方(fang)(fang)案。公(gong)司現有(you)四大產業(ye)制(zhi)造基地(di)， 營(ying)銷服(fu)務體系覆蓋歐、美、亞等(deng)全球主要國家和(he)地(di)區(qu)。
北方華創業績持續高增長，龍頭地位進一步穩固。2020
年全年公司實現營收 60.6 億元，同比增 長 49.2%，歸母凈利潤 5.4 億元，同比增長 73.8%，扣非后凈利潤達 2.0
億元，同比增長 180.8%。 公司 2016年以來營業收入和凈利潤呈現出顯著增長態勢，2016-2020 年公司營收和凈利潤復合增 速分別達
39%和 55%。
分業(ye)(ye)務(wu)來(lai)看，近年(nian)來(lai)電(dian)子(zi)工藝裝(zhuang)備(bei)，尤其半導體(ti)(ti)裝(zhuang)備(bei)營(ying)(ying)收(shou)(shou)(shou)占(zhan)比(bi)(bi)逐漸提升，成為(wei)(wei)(wei)公(gong)司主要(yao)收(shou)(shou)(shou)入來(lai)源。 2020 年(nian)公(gong)司電(dian)子(zi)工藝裝(zhuang)備(bei)業(ye)(ye)務(wu)實現(xian)營(ying)(ying)收(shou)(shou)(shou) 48.7 億(yi)元(yuan)，占(zhan)總營(ying)(ying)收(shou)(shou)(shou)比(bi)(bi)重達 80.4%，同比(bi)(bi)增(zeng)長 52.6%， 其中主營(ying)(ying)業(ye)(ye)務(wu)為(wei)(wei)(wei)半導體(ti)(ti)設(she)(she)備(bei)的子(zi)公(gong)司北(bei)方華(hua)創(chuang)微電(dian)子(zi)裝(zhuang)備(bei)有(you)限(xian)公(gong)司 2020 年(nian)營(ying)(ying)收(shou)(shou)(shou)為(wei)(wei)(wei) 41.6 億(yi)元(yuan)，占(zhan) 總營(ying)(ying)收(shou)(shou)(shou)比(bi)(bi)重達 68.6%，同比(bi)(bi)增(zeng)長 60.2%，凈(jing)利(li)潤(run) 1.8 億(yi)元(yuan)，同比(bi)(bi)大增(zeng) 1.3 倍；主營(ying)(ying)業(ye)(ye)務(wu)為(wei)(wei)(wei)真空設(she)(she) 備(bei)的子(zi)公(gong)司北(bei)方華(hua)創(chuang)真空技術有(you)限(xian)公(gong)司 2020 年(nian)營(ying)(ying)收(shou)(shou)(shou) 7.1 億(yi)元(yuan)，同比(bi)(bi)增(zeng)長 17.1%，凈(jing)利(li)潤(run) 6839.1 萬(wan)元(yuan)，同比(bi)(bi)增(zeng)長 35.9%，主要(yao)受(shou)益于下游新能源光伏(fu)產業(ye)(ye)成長，真空、熱工設(she)(she)備(bei)持續增(zeng)長。
研(yan)(yan)(yan)發(fa)(fa)(fa)(fa)投入(ru)穩健增(zeng)(zeng)(zeng)長(chang)，下游(you)產(chan)品持(chi)(chi)續(xu)滲透(tou)。公(gong)(gong)司(si)近年(nian)(nian)來研(yan)(yan)(yan)發(fa)(fa)(fa)(fa)支出持(chi)(chi)續(xu)上升，2020 年(nian)(nian)研(yan)(yan)(yan)發(fa)(fa)(fa)(fa)支出整體(ti)超 過 16 億元，同比(bi)增(zeng)(zeng)(zeng)長(chang) 41.4%。公(gong)(gong)司(si)在(zai)半導體(ti)設備(bei)等應用(yong)領域研(yan)(yan)(yan)發(fa)(fa)(fa)(fa)取得(de)多項成果，知識產(chan)權數(shu)(shu)量(liang)逐(zhu) 年(nian)(nian)增(zeng)(zeng)(zeng)長(chang)，截至2020年(nian)(nian)底累計(ji)獲得(de)授權專利(li)2,894件。2020年(nian)(nian)公(gong)(gong)司(si)研(yan)(yan)(yan)發(fa)(fa)(fa)(fa)投入(ru)占營(ying)收的比(bi)例為26.6%， 研(yan)(yan)(yan)發(fa)(fa)(fa)(fa)人(ren)員數(shu)(shu)量(liang)占比(bi)為 23.7%，研(yan)(yan)(yan)發(fa)(fa)(fa)(fa)實力愈加雄(xiong)厚。公(gong)(gong)司(si)核(he)心(xin)產(chan)品在(zai)中國(guo)市場占據(ju)重(zhong)要市場份額， 目(mu)前多款 14nm 設備(bei)在(zai)生(sheng)產(chan)線(xian)評(ping)估驗證(zheng)，多款 10nm 設備(bei)處(chu)于研(yan)(yan)(yan)發(fa)(fa)(fa)(fa)中，5/7nm 先(xian)進 IC 裝備(bei)的研(yan)(yan)(yan)發(fa)(fa)(fa)(fa) 也正在(zai)推進。目(mu)前來看，公(gong)(gong)司(si)下游(you)產(chan)品開始逐(zhu)步進入(ru)大型(xing)晶圓制(zhi)造(zao)廠商，相關產(chan)品也在(zai)持(chi)(chi)續(xu)滲透(tou)。
