1 刻蝕設備在半導體產業鏈中地位突出
1.1 半導體設備投資占比巨大，刻蝕設備是其中重要一環
半(ban)導體設(she)(she)(she)備(bei)在(zai)硅(gui)(gui)片制(zhi)造(zao)(zao)、前(qian)道(dao)及后道(dao)工藝中(zhong)舉足(zu)輕重(zhong)。半(ban)導體設(she)(she)(she)備(bei)即主(zhu)要(yao)應(ying)用于半(ban)導體制(zhi)造(zao)(zao)和封 測(ce)流程(cheng)的設(she)(she)(she)備(bei)。半(ban)導體設(she)(she)(she)備(bei)行業是半(ban)導體制(zhi)造(zao)(zao)的基石，是半(ban)導體行業的基礎和核心。從產業鏈(lian)來看，半(ban)導體設(she)(she)(she)備(bei)的上游(you)(you)主(zhu)要(yao)是單(dan)晶硅(gui)(gui)片制(zhi)造(zao)(zao)以及 IC 設(she)(she)(she)計，下游(you)(you)則主(zhu)要(yao)為 IC 封測(ce)。根據半(ban)導體設(she)(she)(she) 備(bei)在(zai) IC 制(zhi)造(zao)(zao)中(zhong)應(ying)用的場景(jing)不同，一(yi)般可以分為氧化爐、涂膠顯影設(she)(she)(she)備(bei)、光刻機、刻蝕機、離(li)子注 入(ru)機、清洗設(she)(she)(she)備(bei)、質量/電學檢測(ce)設(she)(she)(she)備(bei)、CMP 設(she)(she)(she)備(bei)、CVD 設(she)(she)(she)備(bei)和 PVD 設(she)(she)(she)備(bei)等(deng)。
先進制程驅動產線建設成本上行，半導體設備資本支出占比提升。通常，一條 90nm 制程芯片的 晶圓生產線(xian)建設(she)成本為(wei)(wei)(wei) 20 億(yi)美元(yuan)，當(dang)制(zhi)程(cheng)微縮至 20nm 時成本達到(dao) 67 億(yi)美元(yuan)，翻了(le)三倍(bei)之多(duo)。 而(er)半導體設(she)備(bei)作為(wei)(wei)(wei)半導體產線(xian)投資的主要投入項，不僅種類繁多(duo)，而(er)且具有(you)非常高(gao)的技術要求， 也導致(zhi)設(she)備(bei)的價格非常昂(ang)貴，設(she)備(bei)在生產線(xian)的資本支出占比也逐漸提(ti)高(gao)。根據高(gao)新智庫研究(jiu)表明， 在 90nm制(zhi)程(cheng)中(zhong)設(she)備(bei)支出占比為(wei)(wei)(wei) 70%，到(dao)了(le) 20nm 制(zhi)程(cheng)占比達到(dao) 85%，從 14 億(yi)美元(yuan)提(ti)高(gao)到(dao) 57 億(yi) 美元(yuan)，提(ti)高(gao)了(le)約 4 倍(bei)。
IC
制造設備占半導體設備比例達 80%，光刻、刻蝕和沉積設備為主要組成部分。從產品細分結構 來看，目前供應的半導體設備主要為
IC制造設備，其占市面上半導體設備的比重約為 80%；在這 些 IC 制造設備中，以光刻機、刻蝕機和薄膜沉積設備為主，根據 SEMI
測算數據，當前這三類半導體設備分別約占市面上半導體設備的 24%、20%和 20%。
光刻(ke)：光刻(ke)是(shi)(shi)半導體芯片生產流程(cheng)中最復雜、最關鍵(jian)的工藝(yi)步(bu)驟(zou)，其利(li)用曝(pu)光和顯影在光阻 層上刻(ke)畫(hua)幾何圖(tu)形結構(gou)，然后通過刻(ke)蝕工藝(yi)將光掩模上的圖(tu)形轉(zhuan)移到所在襯底上，具有耗時 長(chang)、成本高的特點。光刻(ke)的工藝(yi)水(shui)平直接決定芯片的制程(cheng)水(shui)平和性能(neng)水(shui)平。光刻(ke)機是(shi)(shi)芯片制 造中光刻(ke)環(huan)節的核心(xin)設備， 技(ji)術含量、價值(zhi)含量極高。
刻蝕：刻蝕工藝是半(ban)導體制(zhi)造(zao)工藝中(zhong)(zhong)的關鍵步驟(zou)，對于(yu)器件(jian)的電學性能十分(fen)重(zhong)要。其利(li)用化 學或物理方法有選擇地(di)從硅片(pian)表(biao)面去除不需要的材料(liao)的過程，目(mu)標是在涂膠的硅片(pian)上正確(que)地(di) 復制(zhi)掩模圖形(xing)。如果刻蝕過程中(zhong)(zhong)出現失誤(wu)，將造(zao)成(cheng)難以(yi)恢復的硅片(pian)報(bao)廢，因此必須進(jin)行嚴格 的工藝流(liu)程控制(zhi)。
薄(bo)膜(mo)(mo)沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)(ji)：薄(bo)膜(mo)(mo)沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)(ji)是集成電(dian)路(lu)制造過(guo)程中必(bi)不可(ke)少的環節。薄(bo)膜(mo)(mo)沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)(ji)是指(zhi)任何在(zai)硅片襯底(di) 上沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)(ji)一層膜(mo)(mo)的工藝，這(zhe)層膜(mo)(mo)可(ke)以是導體、絕緣物質(zhi)或者(zhe)半(ban)導體材料(liao)。 薄(bo)膜(mo)(mo)沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)(ji)有化(hua)學和 物理工藝之分，具體而言可(ke)分為化(hua)學氣相沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)(ji)、物理氣相沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)(ji)和其他(ta)沉(chen)(chen)(chen)積(ji)(ji)(ji)(ji)三大類(lei)。
中(zhong)國(guo)大(da)陸占(zhan)(zhan)據全(quan)(quan)球半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)備(bei)(bei)市(shi)場(chang)(chang)約四分之(zhi)一(yi)，技(ji)術(shu)仍處(chu)于(yu)(yu)追(zhui)趕狀(zhuang)態(tai)。中(zhong)國(guo)大(da)陸的(de)(de)(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)備(bei)(bei)需(xu) 求量大(da)，2019 年中(zhong)國(guo)的(de)(de)(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)備(bei)(bei)市(shi)場(chang)(chang)規(gui)模(mo)占(zhan)(zhan)到了全(quan)(quan)球的(de)(de)(de)一(yi)半(ban)(ban)，其(qi)中(zhong)中(zhong)國(guo)大(da)陸的(de)(de)(de)半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)備(bei)(bei)市(shi)場(chang)(chang) 規(gui)模(mo)占(zhan)(zhan)全(quan)(quan)球的(de)(de)(de) 22.4%，略(lve)低于(yu)(yu)中(zhong)國(guo)臺灣。中(zhong)國(guo)大(da)陸在市(shi)場(chang)(chang)需(xu)求占(zhan)(zhan)據很大(da)份額的(de)(de)(de)同時，半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)備(bei)(bei) 自給率很低，技(ji)術(shu)仍處(chu)于(yu)(yu)追(zhui)趕狀(zhuang)態(tai)，先(xian)(xian)進半(ban)(ban)導(dao)(dao)(dao)體(ti)(ti)設(she)(she)備(bei)(bei)技(ji)術(shu)仍由美歐(ou)日(ri)等(deng)國(guo)主導(dao)(dao)(dao)。其(qi)中(zhong)美國(guo)的(de)(de)(de)等(deng)離(li)子刻(ke)(ke)蝕(shi)設(she)(she)備(bei)(bei)、離(li)子注入機、薄膜(mo)沉積(ji)設(she)(she)備(bei)(bei)、檢(jian)(jian)測(ce)設(she)(she)備(bei)(bei)、測(ce)試(shi)設(she)(she)備(bei)(bei)、表面處(chu)理設(she)(she)備(bei)(bei)等(deng)設(she)(she)備(bei)(bei)的(de)(de)(de)制造技(ji) 術(shu)位于(yu)(yu)世(shi)界前列；荷(he)蘭則是(shi)憑借 ASML 的(de)(de)(de)高(gao)端光刻(ke)(ke)機在全(quan)(quan)球處(chu)于(yu)(yu)領(ling)先(xian)(xian)地位；在刻(ke)(ke)蝕(shi)設(she)(she)備(bei)(bei)、晶圓清 洗設(she)(she)備(bei)(bei)、檢(jian)(jian)測(ce)設(she)(she)備(bei)(bei)、測(ce)試(shi)設(she)(she)備(bei)(bei)、氧化設(she)(she)備(bei)(bei)等(deng)方面，日(ri)本極具競爭優勢。
刻蝕設備有望率先完成國產替代。從國內市場來看，刻蝕機尤其是介質刻蝕機，是我國最具優勢
的半導體設備領域，也是國產替代占比最高的重要半導體設備之一。目前我國主流設備中，去膠設備、刻蝕設備、熱處理設備、清洗設備等的國產化率均已經達到
20%以上。而這之中市場規模 最大的則要數刻蝕設備。我國目前在刻蝕設備商代表公司為中微公司、北方華創以及屹唐股份。
1.2 先進工藝不斷演進，干法刻蝕大勢所趨
刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)是(shi)用化學或(huo)物理方法(fa)對(dui)襯底表(biao)面(mian)或(huo)表(biao)面(mian)覆蓋(gai)薄(bo)膜(mo)(mo)進行(xing)選(xuan)擇(ze)性腐蝕(shi)(shi)(shi)或(huo)剝(bo)離的(de)(de)(de)過(guo)程，進而(er)形成光刻(ke)(ke)(ke)(ke)定義的(de)(de)(de)電路(lu)圖(tu)形。刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)的(de)(de)(de)基本目標(biao)是(shi)在(zai)(zai)涂膠的(de)(de)(de)硅片(pian)上正確的(de)(de)(de)復制(zhi)掩模圖(tu)形，有圖(tu)形的(de)(de)(de)光刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠層(ceng) 在(zai)(zai)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)中不受到(dao)腐蝕(shi)(shi)(shi)源(yuan)顯(xian)著的(de)(de)(de)侵蝕(shi)(shi)(shi)，這層(ceng)掩蔽膜(mo)(mo)用來在(zai)(zai)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)中保(bao)(bao)護(hu)硅片(pian)上的(de)(de)(de)特殊區域(yu)(yu)而(er)選(xuan)擇(ze)性地 刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)掉(diao)未被光刻(ke)(ke)(ke)(ke)膠保(bao)(bao)護(hu)的(de)(de)(de)區域(yu)(yu)。在(zai)(zai)通常的(de)(de)(de) CMOS 工(gong)藝(yi)流程中，刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)都是(shi)在(zai)(zai)光刻(ke)(ke)(ke)(ke)工(gong)藝(yi)之后進行(xing)的(de)(de)(de)。 從這一點來看，刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)可(ke)以看成在(zai)(zai)硅片(pian)上復制(zhi)所想要圖(tu)形的(de)(de)(de)最后主要圖(tu)形轉移工(gong)藝(yi)步驟。
按照刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)工(gong)藝(yi)劃分，刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)主(zhu)要分為干(gan)法(fa)(fa)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)以及(ji)濕法(fa)(fa)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)。干(gan)法(fa)(fa)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)主(zhu)要利用反應氣體與(yu)等(deng)(deng)離子(zi) 體進行刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)，利用等(deng)(deng)離子(zi)體與(yu)表面(mian)薄(bo)膜(mo)反應，形成揮(hui)發性物質，或者直接(jie)轟(hong)擊薄(bo)膜(mo)表面(mian)使之被腐(fu) 蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)的工(gong)藝(yi)。干(gan)法(fa)(fa)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)可以在某一特定方向上進行切割，使得(de)實現理想中納米(mi)（nm）級的超精細圖 案輪(lun)廓。濕法(fa)(fa)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)工(gong)藝(yi)主(zhu)要是將(jiang)被刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)材料浸泡在腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)液內進行腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)，該刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)方法(fa)(fa)會導(dao)(dao)致(zhi)材料的 橫向縱向同時腐(fu)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)，會導(dao)(dao)致(zhi)一定的線(xian)寬損失。目前(qian)來(lai)看，干(gan)法(fa)(fa)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)在半導(dao)(dao)體刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)中占據絕(jue)對主(zhu)流 地位，市場(chang)占比約 90%。
按照刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)材(cai)料(liao)劃分(fen)，刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)工(gong)藝包括(kuo)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)和(he)導(dao)(dao)體(ti)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)，導(dao)(dao)體(ti)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)又分(fen)為硅(gui)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)和(he)金(jin)(jin)屬(shu)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)。金(jin)(jin) 屬(shu)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)主要(yao)是在金(jin)(jin)屬(shu)層上去除鋁、鎢或銅層，以(yi)(yi)在逐級(ji)疊加(jia)(jia)的芯片結構中生成互(hu)聯導(dao)(dao)線圖形；硅(gui) 刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)（包括(kuo)多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)）應用于(yu)需(xu)要(yao)去除硅(gui)的場(chang)合，如刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)晶(jing)(jing)體(ti)管柵、硅(gui)槽電容；介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)是 用于(yu)介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)材(cai)料(liao)的刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)，如二氧化硅(gui)。對于(yu) 8 英(ying)寸晶(jing)(jing)圓，介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)、多(duo)晶(jing)(jing)硅(gui)以(yi)(yi)及(ji)金(jin)(jin)屬(shu)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)是刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)設備的 常用類別。進入 12 英(ying)寸世代以(yi)(yi)后，隨著(zhu)銅互(hu)連(lian)的發(fa)展(zhan)，金(jin)(jin)屬(shu)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)逐漸萎縮，介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)份額逐漸加(jia)(jia) 大。20 年介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)設備的份額已超過 40%，而且隨著(zhu)器件互(hu)連(lian)層數(shu)增多(duo)，介(jie)(jie)質(zhi)(zhi)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)技(ji)術(shu)和(he)設備有 望持續發(fa)展(zhan)。
干法刻蝕有化學反應、物理去除以及化學物理混合去除三種方式，性能各有優劣。其中，物理性
刻蝕，又稱離子束濺射刻蝕，原理是使帶能粒子在強電場下加速，這些帶能粒子通過濺射刻蝕作
用去除未被保護的硅片表面材料；化學性刻蝕，又稱等離子體刻蝕，純化學刻蝕作用中，通過等
離子體產生的自由基和反應原子與硅片表面的物質發生化學反應達到刻蝕的效果，可以得到較好
的刻蝕選擇性和較高的刻蝕速率；物理化學性刻蝕，即反應離子刻蝕，利用離子能量來使被刻蝕
層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應，具有各向異性強的優勢，是超大規模集成電路 工藝中很有發展前景的一種刻蝕方法。
ICP 與 CCP 是(shi)(shi)應(ying)(ying)用(yong)最為廣(guang)泛的(de)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)設備。目(mu)前(qian)等離(li)(li)(li)子(zi)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)是(shi)(shi)晶(jing)圓(yuan)制(zhi)造中使(shi)用(yong)的(de)主(zhu)(zhu)(zhu)要(yao)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)方(fang)法(fa)(fa)，電 容(rong)性(xing)等離(li)(li)(li)子(zi)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)（CCP）和(he)電感(gan)性(xing)等離(li)(li)(li)子(zi)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)（ICP）是(shi)(shi)兩種常用(yong)的(de)等離(li)(li)(li)子(zi)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)方(fang)法(fa)(fa)。CCP 的(de)原 理是(shi)(shi)將(jiang)施加在極板(ban)上的(de)射頻或直流電源(yuan)通過電容(rong)耦合(he)的(de)方(fang)式(shi)在反(fan)應(ying)(ying)腔內形成(cheng)等離(li)(li)(li)子(zi)體(ti)，主(zhu)(zhu)(zhu)要(yao)用(yong)于(yu) 刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)氧化物、氮化物等硬度高、需要(yao)高能量離(li)(li)(li)子(zi)反(fan)應(ying)(ying)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)的(de)介質材料(liao)。ICP 刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)的(de)原理是(shi)(shi)將(jiang)射頻 電源(yuan)的(de)能量經由電感(gan)線圈，以磁(ci)場耦合(he)的(de)形式(shi)進(jin)入反(fan)應(ying)(ying)腔內部，從而產生(sheng)等離(li)(li)(li)子(zi)體(ti)并用(yong)于(yu)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)， 主(zhu)(zhu)(zhu)要(yao)用(yong)于(yu)刻(ke)蝕(shi)(shi)(shi)(shi)單(dan)晶(jing)硅(gui)、多晶(jing)硅(gui)等材料(liao)。
原(yuan)子(zi)(zi)層刻蝕（ALE）能夠精確控制刻蝕深度(du)，成為(wei)未來技術升(sheng)級趨勢。隨著當(dang)前(qian)集成電路(lu)技術的(de)(de)(de) 不斷(duan)發(fa)(fa)展(zhan)，構(gou)成芯(xin)片的(de)(de)(de)核心器(qi)件尺寸持(chi)續縮小，芯(xin)片的(de)(de)(de)加工制造變得(de)越(yue)來越(yue)精細。原(yuan)子(zi)(zi)層刻蝕 （ALE）是指通過一系列的(de)(de)(de)自限制反應去除單個原(yuan)子(zi)(zi)層，不會觸及和(he)破(po)壞底層以及周圍材料的(de)(de)(de)先 進(jin)(jin)半(ban)導體生產(chan)工藝。ALE 是一種先進(jin)(jin)的(de)(de)(de)刻蝕技術，可(ke)以針對較(jiao)淺的(de)(de)(de)微(wei)結構(gou)進(jin)(jin)行出色的(de)(de)(de)深度(du)控制。 原(yuan)子(zi)(zi)層刻蝕（ALE）技術適合間距或者空(kong)間上非常緊密的(de)(de)(de)可(ke)能發(fa)(fa)生孔(kong)洞“堵塞”的(de)(de)(de)刻蝕，和(he)具(ju)有 超高選擇性(xing)和(he)均勻(yun)性(xing)的(de)(de)(de)應用。
原子層(ceng)刻蝕（ALE）可以(yi)分(fen)為等(deng)離(li)(li)(li)子體ALE和高溫(wen)(wen)ALE，適用(yong)于(yu)不同(tong)類型(xing)的(de)刻蝕。等(deng)離(li)(li)(li)子體ALE 使用(yong)高能離(li)(li)(li)子或中性物質(zhi)從表(biao)面(mian)上剔除物質(zhi)的(de)方法(fa)來進行蝕刻；而高溫(wen)(wen) ALE 應用(yong)于(yu)特定的(de)高溫(wen)(wen)氣 相反(fan)應。目前(qian)，等(deng)離(li)(li)(li)子體 ALE已經(jing)進入生產使用(yong)階段(duan)，而高溫(wen)(wen) ALE 仍(reng)處(chu)于(yu)早期階段(duan)，距(ju)離(li)(li)(li)商業化 使用(yong)仍(reng)有(you)較遠距(ju)離(li)(li)(li)。
介質刻蝕和硅刻蝕領銜，等離子體刻蝕成絕對主流。從下游半導體行業刻蝕機的需求來看，介質
刻蝕機與硅刻蝕機需求場景較多，因此占比較高，其中介質刻蝕與硅刻蝕機分別占據干法刻蝕工
藝半壁江山。在集成電路生產線來看，等離子體刻蝕設備因其提供高速率、高選擇比以及低損傷 的刻蝕而被廣泛應用，根據《問芯
Voice》，目前等離子體刻蝕設備的市場規模也超過了 120 億 美元，約占全球刻蝕市場規模的
85%左右，成為刻蝕設備的絕對主流。未來隨著中微等公司對設 備研發的不斷投入，刻蝕設備國產化率進一步提升未來可期。
2 市場+技術雙輪驅動，刻蝕設備迎來市場機遇
2.1 市場端：終端應用需求上行，刻蝕設備市場快速發展
半導(dao)體(ti)(ti)設(she)備(bei)市(shi)場規(gui)模(mo)上行，預(yu)(yu)計 2022 年將(jiang)(jiang)超過 1100 億(yi)(yi)美元。作為半導(dao)體(ti)(ti)產業(ye)鏈的(de)(de)基(ji)石(shi)，半導(dao)體(ti)(ti) 設(she)備(bei)支撐著全球(qiu)上萬(wan)億(yi)(yi)的(de)(de)電子軟硬件大(da)生(sheng)態(tai)，具(ju)有(you)舉足(zu)輕(qing)重的(de)(de)地位。根據(ju) SEMI 的(de)(de)年終半導(dao)體(ti)(ti)設(she) 備(bei)總量預(yu)(yu)測(ce)，預(yu)(yu)計 2021 年原始設(she)備(bei)制(zhi)造(zao)商總銷售額(e)將(jiang)(jiang)達到(dao) 1030 億(yi)(yi)美元，比 2020 年的(de)(de)市(shi)場規(gui)模(mo)猛增(zeng)(zeng) 44.7%。在存(cun)儲(chu)器需(xu)求(qiu)回升、先進制(zhi)程投資及中國大(da)陸積極(ji)推動半導(dao)體(ti)(ti)投資的(de)(de)背景(jing)下，SEMI 預(yu)(yu)計全球(qiu)半導(dao)體(ti)(ti)設(she)備(bei)市(shi)場將(jiang)(jiang)持續保(bao)持增(zeng)(zeng)長(chang)，到(dao) 2022 年全球(qiu)半導(dao)體(ti)(ti)設(she)備(bei)市(shi)場將(jiang)(jiang)擴大(da)到(dao) 1140 億(yi)(yi)美元。
全(quan)球(qiu)半導體刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)設備(bei)(bei)市(shi)場(chang)快速發展(zhan)，2025 年(nian)有望(wang)達(da)(da)到 155 億(yi)美(mei)元。2013 年(nian)，全(quan)球(qiu)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)設備(bei)(bei)市(shi)場(chang) 規模(mo)約為 40 億(yi)美(mei)元，隨著(zhu)閃(shan)存技術突破，存儲市(shi)場(chang)拉動刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)設備(bei)(bei)需(xu)求明顯增大，至 2019 年(nian)市(shi)場(chang) 規模(mo)突破百(bai)億(yi)美(mei)元，達(da)(da)到 115 億(yi)美(mei)元。SEMI 預測 2025 年(nian)全(quan)球(qiu)刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)設備(bei)(bei)市(shi)場(chang)空(kong)間達(da)(da)到 155 億(yi)美(mei) 元，年(nian)復合增速約為 12%，市(shi)場(chang)空(kong)間增量(liang)主要(yao)來(lai)自(zi)于存儲制造對刻(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)設備(bei)(bei)的需(xu)求激增。
我們認為，隨著 5G、大數據、物聯網、人工智能等新興產業的發展，半導體器件的需求將持續 攀升。半導體設備作為推升半導體器件制造的基石，有望迎來新一輪發展機遇；而作為半導體設 備的重要組成部分，刻蝕設備的需求也將水漲船高。
國內 5G 建(jian)(jian)設速(su)度全球(qiu)領(ling)先(xian)，5G 機(ji)(ji)(ji)型出貨(huo)(huo)量呈持續上升(sheng)趨勢(shi)。據(ju)工信部(bu)數(shu)據(ju)顯(xian)示，2020 年(nian)(nian)新建(jian)(jian) 5G 基站數(shu)達到 58 萬，5G 終端連接數(shu)已(yi)(yi)經(jing)超過 2 億，已(yi)(yi)實現所有(you)城市(shi)(shi)的(de) 5G 覆蓋，在(zai)全球(qiu)居于絕 對(dui)領(ling)先(xian)地位。據(ju)前瞻(zhan)產業(ye)研(yan)究院測(ce)算，2021-2023 年(nian)(nian)期(qi)間三大運營商逐年(nian)(nian)建(jian)(jian)設量約為 80 萬個、110 萬個、85 萬個。與 5G 基建(jian)(jian)速(su)度相(xiang)對(dui)應，5G 手(shou)(shou)機(ji)(ji)(ji)出貨(huo)(huo)量也迅速(su)攀(pan)升(sheng)，中國信通院數(shu)據(ju)顯(xian)示， 中國信通院數(shu)據(ju)顯(xian)示，2021 年(nian)(nian) 1-11 月，國內市(shi)(shi)場(chang)手(shou)(shou)機(ji)(ji)(ji)總體(ti)出貨(huo)(huo)量累計 3.17 億部(bu)，同(tong)比(bi)增(zeng)(zeng)長 12.8%，其(qi)中，5G 手(shou)(shou)機(ji)(ji)(ji)出貨(huo)(huo)量 2.39 億部(bu)，同(tong)比(bi)增(zeng)(zeng)長 65.3%，占(zhan)同(tong)期(qi)手(shou)(shou)機(ji)(ji)(ji)出貨(huo)(huo)量的(de) 73.3%。目前 國內手(shou)(shou)機(ji)(ji)(ji)市(shi)(shi)場(chang)主(zhu)要以(yi) 5G 智(zhi)能手(shou)(shou)機(ji)(ji)(ji)為主(zhu)，隨著未來 5G 基礎設施的(de)進一步發展，5G 智(zhi)能手(shou)(shou)機(ji)(ji)(ji)占(zhan)比(bi) 還有(you)望持續攀(pan)升(sheng)。
5G 的(de)(de)(de)高速數據(ju)傳輸、低延時和(he)大網(wang)絡容量等特性正(zheng)促使 5G 芯片(pian)需(xu)求上升(sheng)。華(hua)為麒麟 9000、驍 龍 888 和(he)蘋(pin)果的(de)(de)(de) A14 芯片(pian)都率先采取了 5nm 工藝(yi)制(zhi)程，相比 7nm 工藝(yi)節點，5nm 工藝(yi)可以使產 品性能提(ti)高 15%，晶(jing)體(ti)管密度最多(duo)提(ti)高 1.8 倍，性能提(ti)升(sheng)的(de)(de)(de)同(tong)時工藝(yi)復(fu)雜度也大幅增加。5nm 工 藝(yi)手(shou)機(ji)基帶芯片(pian)已經(jing)在(zai)小米、華(hua)為、iPhone 等系列手(shou)機(ji)中(zhong)得(de)到(dao)應用，未來隨著技術成熟和(he)新應用 的(de)(de)(de)出現，5nm 甚至更(geng)先進(jin)的(de)(de)(de)工藝(yi)芯片(pian)有(you)望在(zai)手(shou)機(ji)終端實(shi)現普及，先進(jin)制(zhi)程的(de)(de)(de)需(xu)求將(jiang)繼續(xu)維持高景 氣(qi)度。
存儲芯片在國內集成電路產業份額最大，大數據等新興領域成為其市場增量。存儲芯片一直都是 國內集成電路市場中份額最大的產品類別，特別是在 2018 年存儲芯片價格上漲的影響下，存儲 芯片市場占比進一步提升，2018 年國內市場銷售額達 5,775 億元，同比增長 34%， 2016 年至 2018 年國內存儲芯片市場銷售額的年均復合增長率達 40%。2019 年因前期存儲芯片廠商擴產導致存儲芯片供給增加，同時下游需求增長有所放緩，導致市場規模有所收縮。未來隨著物聯網、 大(da)數(shu)據等新興領域的(de)快速(su)發展，以及相(xiang)關國家(jia)戰略的(de)陸續實施，存儲(chu)芯片仍(reng)具有巨大(da)的(de)市場需求 和發展空(kong)間。
DRAM
和 NAND Flash 占據半導體存儲器的九成份額，閃存市場有望迎來更多需求增量。2020 年全球 DRAM 全球市場規模約 695
億美元，NAND Flash 全球市場規模約 421 億美元，NOR Flash、EEPROM 及其他半導體存儲器市場規模約 76 億美元。IC
Insights 預測 2021 年存儲芯片 市場中，DRAM 在營收中占比 56%，閃存芯片占比 43%，ROM 芯片僅占 1%。NAND
Flash 方 面，全球的需求開始回升，市場整體呈現供不應求的局面；DRAM 方面，隨著物聯網的普及、5G
基站建設、汽車智能化的不斷推進，DRAM 產品將有望迎來更多增量需求。DRAM 和 NAND 存儲 器占據
90%存儲器份額，采用存儲單元堆疊式布局，需要更多通孔和導線等的刻蝕。
新興終端應用驅動人工智能芯片市場規模持續增長。隨著人工智能技術的日臻成熟，數字化基礎 設施不斷完善，消費機器人、智能駕駛、智能家居等終端應用加(jia)速落地，推動人(ren)工智(zhi)(zhi)能(neng)芯(xin)片(pian)(pian)市(shi)場(chang) 規(gui)(gui)模不斷攀升。根據 WSTS 數據顯示，2019 年全(quan)球 AI 芯(xin)片(pian)(pian)市(shi)場(chang)規(gui)(gui)模為 110 億美元(yuan)，預計 2025年全(quan)球人(ren)工智(zhi)(zhi)能(neng)芯(xin)片(pian)(pian)市(shi)場(chang)規(gui)(gui)模將達 726 億美元(yuan)。國(guo)內(nei)人(ren)工智(zhi)(zhi)能(neng)芯(xin)片(pian)(pian)行業處在起步階段(duan)，自(zi)主創新 能(neng)力和市(shi)場(chang)規(gui)(gui)模逐步提高。根據前瞻產業研究院預測(ce)，2023 年預計國(guo)內(nei)人(ren)工智(zhi)(zhi)能(neng)芯(xin)片(pian)(pian)市(shi)場(chang)規(gui)(gui)模達 到 1339 億元(yuan)，2019-2023 年 CAGR 為 84%，發(fa)展十(shi)分迅速。
2.2 技術端：先進制程拉動刻蝕用量，復雜結構打開設備市場
邏輯(ji)芯片不斷(duan)突破，先進工藝刻(ke)蝕(shi)(shi)次(ci)數(shu)也不斷(duan)提(ti)升。晶(jing)圓代工行業呈現越來(lai)越高的(de)(de)(de)(de)(de)資金(jin)和技(ji)術(shu)壁 壘，如(ru)今晶(jing)圓廠一(yi)條 28nm 的(de)(de)(de)(de)(de) 4 萬/月的(de)(de)(de)(de)(de)生產線需要 40-50 億美元資本開支，研發新(xin)一(yi)代制(zhi)(zhi)程(cheng)(cheng)(cheng)節點 可能需要數(shu)十億美元，如(ru)此龐大的(de)(de)(de)(de)(de)投(tou)(tou)入構(gou)筑起了高資金(jin)和技(ji)術(shu)壁壘。而隨著(zhu)“摩爾定律”放緩， 從7納米到5納米乃(nai)至3納米，每一(yi)個制(zhi)(zhi)程(cheng)(cheng)(cheng)節點都舉步維艱，擁有高端制(zhi)(zhi)程(cheng)(cheng)(cheng)能力的(de)(de)(de)(de)(de)公司屈指可數(shu)， 而對于不同節點的(de)(de)(de)(de)(de)產品研發也需要海(hai)量的(de)(de)(de)(de)(de)資金(jin)投(tou)(tou)入。而隨著(zhu)先進制(zhi)(zhi)程(cheng)(cheng)(cheng)工藝不斷(duan)演進，所(suo)需要的(de)(de)(de)(de)(de)刻(ke) 蝕(shi)(shi)次(ci)數(shu)也逐(zhu)漸增(zeng)多，從 65nm 制(zhi)(zhi)程(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de) 20 次(ci)增(zeng)加至 5nm 制(zhi)(zhi)程(cheng)(cheng)(cheng)的(de)(de)(de)(de)(de) 160 次(ci)，復雜度提(ti)升了 8 倍，顯著(zhu) 提(ti)升了半導體刻(ke)蝕(shi)(shi)設備的(de)(de)(de)(de)(de)數(shu)量和質量。
邏輯電路制程不斷微縮，FinFET
成為當前主流工藝。邏輯電路工藝不斷的向著微型化發展，基 于傳統平面
MOSFET結構的晶胞單元不斷的縮小，漏、源的間距也不斷的減小，柵極的控制力就
不斷的減弱，導致器件的性能惡化，同時增加了靜態的功耗。當半導體工藝向更高技術節點挺進時，平面結構制程工藝逐漸達到極限難以突破，3D 結構的
FinFET 工藝逐漸成為主流。與平面晶 體管相比，FinFET 器件改進了對溝道的控制，從而減小了短溝道效應，同時能夠更好地對溝道進
行靜電控制。然而，當工藝制程來到 3nm 之后，鰭片(Fin)寬度達到 5nm(等于 3nm 節點)時， FinFET
將接近實際極限，再向下就會遇到瓶頸。此時全環柵晶體管 GAA 有望延續半導體技術經
典“摩爾定律”的新興技術路線，進一步增強柵極控制能力，克服當前技術的物理縮放比例和性 能限制。
先(xian)進(jin)工藝(yi)(yi)(yi)結(jie)構增(zeng)(zeng)加(jia)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)難(nan)(nan)度(du)與刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)步驟(zou)，對(dui)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)設備提出了(le)更高的要求。半導體邏(luo)輯電路的不斷 微縮，包括技(ji)術本身進(jin)化的需求，刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)工藝(yi)(yi)(yi)在不斷迭代，像 Multiple Patterning 技(ji)術、基于金屬 硬掩(yan)模的雙大馬(ma)士(shi)革工藝(yi)(yi)(yi)等等，都(dou)提高了(le)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)的難(nan)(nan)度(du)，相應(ying)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)機制(zhi)造的難(nan)(nan)度(du)也隨之(zhi)增(zeng)(zeng)加(jia)。同時(shi) 先(xian)進(jin)制(zhi)程增(zeng)(zeng)加(jia)了(le)刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)的步驟(zou)，多次刻(ke)(ke)蝕(shi)(shi)要求每一個步驟(zou)的精確度(du)足夠高，才能保證整體生產的良(liang) 率。
存(cun)儲(chu)工藝革新帶動刻(ke)蝕(shi)(shi)需(xu)求(qiu)提(ti)升。NAND Flash 技(ji)術(shu)不斷成(cheng)(cheng)(cheng)熟和(he)進步(bu)，現已經(jing)邁入 3D NAND 時 代，3D NAND 采用將(jiang)存(cun)儲(chu)單元立體堆疊的方式，使得儲(chu)存(cun)能力提(ti)升明顯，而(er)其技(ji)術(shu)復(fu)雜程度較 2D 有(you)(you)顯著提(ti)升。3D NAND 需(xu)要(yao)先(xian)經(jing)過干(gan)法(fa)和(he)濕法(fa)刻(ke)蝕(shi)(shi)形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)柱形(xing)(xing)通(tong)孔和(he) 3D NAND 單元，由內層(ceng)(ceng) 依次形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)沉積氧(yang)化層(ceng)(ceng)-氮化層(ceng)(ceng)-氧(yang)化層(ceng)(ceng)結構后形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)浮柵層(ceng)(ceng)，然后刻(ke)蝕(shi)(shi)多余的 FG 使之能夠實現完全隔(ge)離，最后通(tong)過多步(bu)沉積形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng) 3D NAND Flash。3D NAND 形(xing)(xing)成(cheng)(cheng)(cheng)過程中需(xu)要(yao)用到多步(bu)刻(ke)蝕(shi)(shi)，并且要(yao) 保證刻(ke)蝕(shi)(shi)的各向異性和(he)盡量小(xiao)的偏(pian)差(cha)，對于刻(ke)蝕(shi)(shi)設備和(he)相應(ying)技(ji)術(shu)都(dou)有(you)(you)著極高的要(yao)求(qiu)。
高深寬比通道刻蝕與選擇性刻蝕等步驟使
3D NAND 刻蝕難度全面升級。在 96 層 3D NAND 中縱 橫比高達
70:1，每塊晶圓中有一萬億個微小孔通道，孔道隨著疊加層數而增多，故保證孔道的均
勻性和平整性才能保證器件的性能。其中，克服不完全刻蝕、弓形刻蝕、扭曲以及堆疊頂部和底 部之間的 CD 差異成為刻蝕 3D NAND
工藝中面臨的巨大挑戰。此外，選擇性刻蝕是 3D NAND 刻
蝕工藝中的關鍵步驟，刻蝕的均一性直接影響后續柵極電介質的沉積質量，但隨著堆疊層數增加，
畸形氧化沉積層變厚，嚴重時會直接導致氧化層塌陷，影響芯片性能。因此，3D NAND 更高堆疊
層數的突破將帶來刻蝕難度的極大提升，器件性能的突破也往往伴隨著刻蝕工藝的長足進步。
DRAM 微縮工藝(yi)拉動刻蝕設(she)(she)備需(xu)求(qiu)。DRAM 制(zhi)(zhi)程工藝(yi)進(jin)入(ru) 20nm 以后，由于(yu)(yu)制(zhi)(zhi)造難度越來(lai)越高(gao)， 內存芯片制(zhi)(zhi)造廠商對工藝(yi)的(de)(de)定義已經不是(shi)具(ju)體的(de)(de)線寬(kuan)，而是(shi)分成了 1x、1y、1z，大(da)體來(lai)講(jiang)，1xnm 制(zhi)(zhi)程相(xiang)(xiang)當(dang)于(yu)(yu) 16~19nm、1y-nm 相(xiang)(xiang)當(dang)于(yu)(yu) 14~16nm，而 1z-nm 則相(xiang)(xiang)當(dang)于(yu)(yu) 12~14nm。如今傳(chuan)統(tong)的(de)(de) DRAM 面(mian)臨越來(lai)越嚴峻的(de)(de)微縮挑戰，隨著半導體制(zhi)(zhi)造技(ji)術(shu)持續朝更小的(de)(de)技(ji)術(shu)節點邁進(jin)，DRAM 電(dian) 路圖形密度增大(da)，多重(zhong)圖案化重(zhong)復次數增加，極大(da)地增加了刻蝕工藝(yi)的(de)(de)設(she)(she)備需(xu)求(qiu)。
3 日美廠商頭部集中，國產替代前景廣闊
3.1 海外龍頭居于壟斷地位，研發并購筑起行業壁壘
半(ban)導(dao)(dao)(dao)體刻蝕設(she)備市(shi)場主要由(you)美日廠商(shang)主導(dao)(dao)(dao)。半(ban)導(dao)(dao)(dao)體刻蝕設(she)備領域長期由(you)海外龍(long)頭(tou)壟斷(duan)，根(gen)據(ju)中商(shang) 情(qing)報網統計(ji)，全球(qiu)刻蝕企(qi)業(ye)前三大分(fen)別是泛(fan)林(lin)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體（Lam Research）、東京(jing)電子（TEL）、應 用材料（AMAT），全球(qiu)市(shi)占率合計(ji) 91%，其中泛(fan)林(lin)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體以 45%的(de)市(shi)場份額遙(yao)遙(yao)領先，東京(jing)電 子和應用材料則分(fen)別占據(ju) 28%和 18%的(de)市(shi)場份額。
3.1.1：泛林集團（Lam Research）：全球第一大刻蝕設備提供商
泛林集(ji)團成立(li)于 1980 年(nian)，總部位于美國加(jia)利福尼亞州，是(shi)全球領先(xian)的(de)綜合(he)性半導體設備(bei)(bei)龍頭企(qi) 業。公(gong)司立(li)足刻(ke)蝕設備(bei)(bei)領域，通過并(bing)購不斷提升競爭能力，構建技(ji)術(shu)壁壘(lei)和擴充產(chan)品線。公(gong)司核 心產(chan)品包(bao)括刻(ke)蝕機、薄膜(mo)沉(chen)積(ji)設備(bei)(bei)和去(qu)光阻和清洗設備(bei)(bei)，其(qi)中刻(ke)蝕設備(bei)(bei)多年(nian)來(lai)的(de)全球市場份(fen)額一 直超過 50%，并(bing)與臺積(ji)電(dian)、中芯國際、鎂光科技(ji)、三星(xing)電(dian)子等建立(li)了深(shen)厚的(de)業務合(he)作關(guan)系。公(gong)司 在(zai) 2020 財年(nian)的(de)營業收入(ru)達到 146.26 億美元(yuan)(yuan)，同比(bi)增長 46%；凈利潤達到 39.08 億美元(yuan)(yuan)，同比(bi)增 長 74%。
3.1.2 應用材料（AMAT）：半導體核心設備巨頭
應用材(cai)料成立(li)于(yu)1967年，總部位于(yu)加(jia)(jia)利(li)福尼亞(ya)州圣克拉拉。經(jing)過五(wu)十余年的(de)發展并購，公司(si)已(yi)經(jing) 成為全球半導體設備(bei)領域規模最大(da)的(de)供應商(shang)。公司(si)產品品類(lei)非常完備(bei)，能夠完成晶圓前道加(jia)(jia)工(gong)(gong)與(yu) 后道封測的(de)絕(jue)大(da)部分(fen)工(gong)(gong)藝環節，其(qi)中物(wu)理氣(qi)相沉積(ji)、化學氣(qi)相沉積(ji)、離子(zi)注入(ru)等多項設備(bei)在全球 市(shi)場中市(shi)占率排第一。公司(si)與(yu)英特爾(er)、三星(xing)電子(zi)、臺積(ji)電、鎂光科技等構建了深度的(de)長期(qi)合作關 系(xi)，其(qi)中三星(xing)電子(zi)和臺積(ji)電常年為公司(si)的(de)前兩大(da)客(ke)戶。公司(si)在 2019 財年的(de)營業收入(ru)達(da)(da)到 172 億 美(mei)元(yuan)(yuan)，同(tong)比(bi)增(zeng)長 18%；凈利(li)潤達(da)(da)到 36 億美(mei)元(yuan)(yuan)，同(tong)比(bi)增(zeng)長 34%。
3.2 刻蝕設備國產化率低，國產替代空間廣
國產刻蝕設(she)備(bei)自給率(lv)(lv)不足兩成，國內(nei)廠商有望迅速崛起(qi)。在 2020 年，核心(xin)集成電路設(she)備(bei)的(de)國內(nei) 市場國產化(hua)率(lv)(lv)不足 10%，而刻蝕設(she)備(bei)的(de)國產化(hua)率(lv)(lv)約(yue) 20%，是(shi)目前國產替(ti)代(dai)占比最(zui)高的(de)重要半導體 設(she)備(bei)之一，也(ye)有望率(lv)(lv)先完成國產替(ti)代(dai)。
從需求端看，隨著全球貿易摩擦給半導體供應鏈帶來的不確定性，國內晶圓廠更傾向于購買國產
設備。從政策環境上來看，我國政府對于半導體設備行業更加重視，推出有針對性的行業優惠扶
持政策和以專項的形式組織一批國內半導體設備公司進行一系列重點工藝和技術的攻關。從資本
角度來看，政府成立一批國家產業投資基金，大力度投資半導體設備、半導體材料等基礎環節。
國內刻蝕設備細分龍頭如北方華創、中微公司等在等離子體刻蝕設備領域產品優勢顯著，已達到
世界領先水平。因此，刻蝕領域國產化替代前景廣闊，在需求、政策、資本、技術等多因素推動 下，有望加速實現國產化。
對(dui)比國(guo)(guo)際(ji)刻(ke)蝕(shi)(shi)龍頭(tou)，國(guo)(guo)內(nei)刻(ke)蝕(shi)(shi)企(qi)業(ye)(ye)在規模、研(yan)發(fa)(fa)、技(ji)(ji)術等差(cha)距顯著。國(guo)(guo)內(nei)刻(ke)蝕(shi)(shi)領域雖然(ran)(ran)已經涌(yong)現(xian) 出多(duo)家(jia)實(shi)力雄厚的(de)公司(si)，如北(bei)(bei)方華(hua)(hua)創(chuang)(chuang)和(he)中(zhong)微(wei)公司(si)，但國(guo)(guo)內(nei)刻(ke)蝕(shi)(shi)設備生產(chan)廠商在全球刻(ke)蝕(shi)(shi)設備市(shi)場 的(de)市(shi)占(zhan)率較低，與(yu)世界頭(tou)部(bu)企(qi)業(ye)(ye)在多(duo)方面存(cun)(cun)在較大(da)(da)差(cha)距。從營業(ye)(ye)收入(ru)(ru)和(he)歸母凈(jing)利潤角度看，北(bei)(bei)方華(hua)(hua)創(chuang)(chuang)和(he)中(zhong)微(wei)公司(si)雖然(ran)(ran)在近年均呈(cheng)現(xian)高速增長態勢，但是總規模與(yu)國(guo)(guo)際(ji)巨頭(tou)差(cha)距懸(xuan)殊。從研(yan)發(fa)(fa)投(tou)(tou)入(ru)(ru) 角度看，雖然(ran)(ran)北(bei)(bei)方華(hua)(hua)創(chuang)(chuang)和(he)中(zhong)微(wei)公司(si)研(yan)發(fa)(fa)投(tou)(tou)入(ru)(ru)占(zhan)營業(ye)(ye)收入(ru)(ru)比重(zhong)超過國(guo)(guo)外企(qi)業(ye)(ye)，但是研(yan)發(fa)(fa)投(tou)(tou)入(ru)(ru)總規模 仍然(ran)(ran)遠遠小于(yu)國(guo)(guo)際(ji)龍頭(tou)企(qi)業(ye)(ye)。在國(guo)(guo)家(jia)集(ji)成(cheng)電路產(chan)業(ye)(ye)基金和(he)行業(ye)(ye)政策的(de)大(da)(da)力扶持下， 二者的(de)研(yan)發(fa)(fa)投(tou)(tou) 入(ru)(ru)有望迎來大(da)(da)幅提升。在技(ji)(ji)術水平上，國(guo)(guo)內(nei)頭(tou)部(bu)企(qi)業(ye)(ye)尚未(wei)攻(gong)克(ke)一些頂尖刻(ke)蝕(shi)(shi)技(ji)(ji)術，與(yu)國(guo)(guo)際(ji)巨頭(tou)存(cun)(cun) 在較大(da)(da)差(cha)距。北(bei)(bei)方華(hua)(hua)創(chuang)(chuang)和(he)中(zhong)微(wei)公司(si)均未(wei)涉足目前行業(ye)(ye)最(zui)尖端(duan)的(de) ALE 技(ji)(ji)術，而泛(fan)林集(ji)團的(de) ALE 已經 實(shi)現(xian)量(liang)產(chan)。在先(xian)進制程節點上，泛(fan)林集(ji)團的(de) 5nm 刻(ke)蝕(shi)(shi)應用已經進入(ru)(ru)量(liang)產(chan)階段(duan)，3nm 刻(ke)蝕(shi)(shi)應用正在 驗(yan)證階段(duan)，而國(guo)(guo)內(nei)企(qi)業(ye)(ye)尚處(chu)在 5nm 刻(ke)蝕(shi)(shi)應用的(de)驗(yan)證階段(duan)和(he) 3nm 刻(ke)蝕(shi)(shi)應用的(de)研(yan)發(fa)(fa)階段(duan)。
國內(nei)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)龍(long)(long)頭企(qi)業的(de)部分技術(shu)已(yi)(yi)達到(dao)國際一(yi)流水(shui)平。在目前廣泛(fan)使用的(de)高密度等離(li)子(zi)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)設備(bei)上， 中(zhong)微公(gong)(gong)司的(de) ICP 和 CCP 刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)設備(bei)與泛(fan)林集團 DRIE 刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)設備(bei)的(de)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)效果(guo)相(xiang)當(dang)。同時，中(zhong)微公(gong)(gong)司的(de) 介(jie)質刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)已(yi)(yi)經(jing)進入臺積電(dian) 7nm/5nm 產線(xian)(xian)，是唯一(yi)一(yi)家(jia)進入臺積電(dian)產線(xian)(xian)的(de)國產刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)設備(bei)生產商(shang)。北(bei) 方華創在ICP刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)領(ling)域優勢顯著，已(yi)(yi)量產28nm制程(cheng)以上的(de)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)設備(bei)，同時已(yi)(yi)經(jing)突破14nm技術(shu)， 并進入中(zhong)芯(xin)國際 14nm 產線(xian)(xian)驗證階段。隨著國內(nei)刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)龍(long)(long)頭緊(jin)跟先(xian)進制程(cheng)發展(zhan)，加(jia)大(da)研發投入，積 極并購與整(zheng)合，整(zheng)體國產刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)設備(bei)水(shui)平有望快速(su)迭代升級(ji)并完成刻(ke)(ke)(ke)(ke)蝕(shi)(shi)(shi)領(ling)域的(de)國產替代。
3.3 國內產線建設持續加碼，積極導入國產設備推動放量
中(zhong)國(guo)(guo)大陸成(cheng)為全(quan)球(qiu)最(zui)大半(ban)導(dao)(dao)(dao)體設備(bei)(bei)(bei)市場(chang)，承接(jie)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體制造產(chan)能重心轉移(yi)。根據 SEMI 統計數據， 2020 年全(quan)球(qiu)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體設備(bei)(bei)(bei)市場(chang)規(gui)模達到 712 億美(mei)元，增速為 24%。在 2020 年，中(zhong)國(guo)(guo)大陸半(ban)導(dao)(dao)(dao)體設 備(bei)(bei)(bei)市場(chang)占(zhan)全(quan)球(qiu)市場(chang)的(de) 26.3%，首次超(chao)越中(zhong)國(guo)(guo)臺灣和(he)韓國(guo)(guo)成(cheng)為全(quan)球(qiu)最(zui)大的(de)半(ban)導(dao)(dao)(dao)體設備(bei)(bei)(bei)市場(chang)。作為半(ban) 導(dao)(dao)(dao)體設備(bei)(bei)(bei)中(zhong)的(de)核心設備(bei)(bei)(bei)，國(guo)(guo)產(chan)刻蝕設備(bei)(bei)(bei)有望隨著國(guo)(guo)內半(ban)導(dao)(dao)(dao)體設備(bei)(bei)(bei)市場(chang)規(gui)模的(de)快速增長而迎(ying)來黃金(jin) 發(fa)展期。
中(zhong)芯(xin)國(guo)際等國(guo)內晶圓(yuan)廠(chang)(chang)(chang)(chang)積(ji)極擴(kuo)產(chan)，拉(la)動(dong)國(guo)產(chan)半導(dao)(dao)體(ti)設備需(xu)求。在半導(dao)(dao)體(ti)需(xu)求高漲以及芯(xin)片自制(zhi)政 策推(tui)動(dong)下，中(zhong)芯(xin)國(guo)際、華(hua)虹(hong)集團等國(guo)內晶圓(yuan)代(dai)工(gong)廠(chang)(chang)(chang)(chang)未來數年擴(kuo)產(chan)計劃仍相當積(ji)極。根(gen)據(ju)芯(xin)思(si)想研 究院統(tong)計，截至 2021 年 6 月(yue)我國(guo)晶圓(yuan)制(zhi)造擴(kuo)產(chan)的(de) Fab 廠(chang)(chang)(chang)(chang)有(you) 16 家(jia)，規劃產(chan)能超過 90 萬(wan)片，產(chan)能將在 2021-2023 年逐步釋放(fang)。隨(sui)著多(duo)家(jia)晶圓(yuan)廠(chang)(chang)(chang)(chang)研發產(chan)線(xian)在中(zhong)國(guo)大陸的(de)投產(chan)，國(guo)內晶圓(yuan)廠(chang)(chang)(chang)(chang)建設密(mi)集 期到來，各個晶圓(yuan)廠(chang)(chang)(chang)(chang)也(ye)會加速新一輪半導(dao)(dao)體(ti)設備的(de)采購，將為半導(dao)(dao)體(ti)刻蝕設備的(de)提供更加廣闊的(de) 舞臺。
新增產(chan)能(neng)建設(she)積極導入(ru)國(guo)產(chan)設(she)備，國(guo)產(chan)刻(ke)蝕(shi)(shi)設(she)備中(zhong)(zhong)(zhong)標量進(jin)一步提(ti)升。根(gen)(gen)據(ju)(ju)國(guo)內(nei)晶圓廠(chang)(chang)主(zhu)要招(zhao)投標 數(shu)據(ju)(ju)顯示(shi)，海外龍頭供應(ying)廠(chang)(chang)商占(zhan)據(ju)(ju)最大份(fen)(fen)額，國(guo)內(nei)龍頭公(gong)司北方(fang)華(hua)創(chuang)、中(zhong)(zhong)(zhong)微(wei)(wei)公(gong)司、屹唐股份(fen)(fen)處于 加速導入(ru)過程。以長(chang)江(jiang)(jiang)存儲(chu)設(she)備招(zhao)中(zhong)(zhong)(zhong)標情況，截至 2020 年(nian) 12 月(yue)，長(chang)江(jiang)(jiang)存儲(chu)共(gong)累計招(zhao)標 348 臺(tai)(tai)刻(ke) 蝕(shi)(shi)設(she)備，其中(zhong)(zhong)(zhong)美國(guo)廠(chang)(chang)商 Lam Research 占(zhan)據(ju)(ju)超過一半(ban)的(de)采(cai)購量，達 187 臺(tai)(tai)；而(er)國(guo)內(nei)廠(chang)(chang)商中(zhong)(zhong)(zhong)微(wei)(wei)公(gong)司、 北方(fang)華(hua)創(chuang)、屹唐股份(fen)(fen)分別(bie)中(zhong)(zhong)(zhong)標 50 臺(tai)(tai)、18 臺(tai)(tai)、13 臺(tai)(tai)，國(guo)產(chan)化率高達 23.85%。以華(hua)虹六廠(chang)(chang)設(she)備招(zhao) 中(zhong)(zhong)(zhong)標情況為例，截至 2020 年(nian) 12 月(yue)，華(hua)虹六廠(chang)(chang)共(gong)累計招(zhao)標 81 臺(tai)(tai)刻(ke)蝕(shi)(shi)設(she)備，其中(zhong)(zhong)(zhong) Lam Research 依 舊占(zhan)據(ju)(ju)超過一半(ban)的(de)采(cai)購量，達 45 臺(tai)(tai)；國(guo)內(nei)廠(chang)(chang)商中(zhong)(zhong)(zhong)微(wei)(wei)半(ban)導體、北方(fang)華(hua)創(chuang)分別(bie)中(zhong)(zhong)(zhong)標 15 臺(tai)(tai)、1 臺(tai)(tai)，國(guo) 產(chan)化率約為 19.75%。根(gen)(gen)據(ju)(ju)亞化咨詢研究數(shu)據(ju)(ju)顯示(shi)，2018、2019 年(nian)長(chang)江(jiang)(jiang)存儲(chu)采(cai)購的(de)國(guo)產(chan)刻(ke)蝕(shi)(shi)機占(zhan) 比迅速提(ti)升，預(yu)計 2023 年(nian)將突破 40%，刻(ke)蝕(shi)(shi)設(she)備國(guo)產(chan)替(ti)代未來可期。
國家政策陸續出臺，驅動國產刻蝕設備行業持續發力。近年來國家加大對于半導體產業政策的扶
持力度，多項重磅文件相繼出臺，主要表現在對于整個 IC 產業鏈企業的政策優待以及對于半導體
設備行業的相關規劃與推動。其中《國家集成電路產業發展推進綱要》和《科技部重點支持集成
電路重點專項》等一系列政策推動了一批國內半導體設備公司進行了一系列重點工藝和技術的攻
關，使得我國半導體設備行業涌現出了一批擁有國際競爭力的龍頭企業，有效促進了我國半導體 設備行業的發展。
國家集(ji)(ji)成電路產業(ye)基金(jin)一期投(tou)(tou)(tou)資方(fang)向集(ji)(ji)中于(yu)存儲器(qi)和先(xian)進工藝生產線，而(er)對半(ban)導體設(she)備的(de)投(tou)(tou)(tou)資力 度較小(xiao)。大(da)基金(jin)一期規模 1387 億(yi)(yi)(yi)元(yuan)，已(yi)于(yu) 2018 年基本投(tou)(tou)(tou)資完畢，撬動 5145 億(yi)(yi)(yi)元(yuan)的(de)地方(fang)基金(jin)以 及(ji)私募股權(quan)投(tou)(tou)(tou)資基金(jin)，總(zong)計約(yue)6500億(yi)(yi)(yi)元(yuan)資金(jin)投(tou)(tou)(tou)入集(ji)(ji)成電路行業(ye)。從資金(jin)流(liu)向來(lai)看，芯片制造獲得 投(tou)(tou)(tou)資 515.42 億(yi)(yi)(yi)元(yuan)，占(zhan)(zhan)比 47%；芯片設(she)計獲得投(tou)(tou)(tou)資 215.69 億(yi)(yi)(yi)元(yuan)，占(zhan)(zhan)比 20%；而(er)半(ban)導體設(she)備僅獲得 投(tou)(tou)(tou)資 24.68 億(yi)(yi)(yi)元(yuan)，占(zhan)(zhan)比 2%，主(zhu)要獲投(tou)(tou)(tou)企業(ye)有中微公司(si)、北方(fang)華創(chuang)、沈陽拓荊等。
大(da)(da)(da)基(ji)金(jin)(jin)(jin)二(er)(er)期(qi)實力雄厚，著(zhu)重布(bu)局(ju)投資(zi)半(ban)導體(ti)設(she)(she)(she)備(bei)等(deng)薄(bo)弱環節。大(da)(da)(da)基(ji)金(jin)(jin)(jin)二(er)(er)期(qi)將(jiang)重點支(zhi)持(chi)國(guo)(guo)產(chan)(chan)(chan)半(ban)導體(ti) 設(she)(she)(she)備(bei)等(deng)產(chan)(chan)(chan)業(ye)發展：（1）二(er)(er)期(qi)基(ji)金(jin)(jin)(jin)將(jiang)對在(zai)刻蝕(shi)機、薄(bo)膜設(she)(she)(she)備(bei)、測試設(she)(she)(she)備(bei)和清洗設(she)(she)(she)備(bei)等(deng)領域已布(bu)局(ju) 的(de)(de)企(qi)(qi)業(ye)保持(chi)高強度的(de)(de)持(chi)續(xu)支(zhi)持(chi)，培育中國(guo)(guo)大(da)(da)(da)陸“應用材料”的(de)(de)企(qi)(qi)業(ye)苗子；（2）加快開(kai)展光(guang)刻機、 化學機械研磨設(she)(she)(she)備(bei)等(deng)核心設(she)(she)(she)備(bei)以及關(guan)鍵零(ling)部件的(de)(de)投資(zi)布(bu)局(ju)，填補國(guo)(guo)產(chan)(chan)(chan)工藝設(she)(she)(she)備(bei)空白；（3）督促 制造企(qi)(qi)業(ye)提高國(guo)(guo)產(chan)(chan)(chan)裝備(bei)驗證及采購(gou)比例。半(ban)導體(ti)刻蝕(shi)設(she)(she)(she)備(bei)作為半(ban)導體(ti)設(she)(she)(she)備(bei)產(chan)(chan)(chan)業(ye)的(de)(de)重要環節，中微(wei) 公(gong)司、北方華創等(deng)優秀刻蝕(shi)企(qi)(qi)業(ye)已獲大(da)(da)(da)基(ji)金(jin)(jin)(jin)青睞(lai)，隨著(zhu)大(da)(da)(da)基(ji)金(jin)(jin)(jin)二(er)(er)期(qi)全面進入(ru)了(le)投資(zi)階(jie)段，其(qi)中更 多(duo)有潛力的(de)(de)企(qi)(qi)業(ye)有望(wang)持(chi)續(xu)受益(yi)。
4 重點公司分析
4.1 中微公司：集成電路裝備領先企業
中微公(gong)司(si)(688012)深(shen)耕芯片制造(zao)刻(ke)蝕領(ling)域(yu)，研制出(chu)了國內第一(yi)臺電介質刻(ke)蝕機。公(gong)司(si)主 要(yao)產品為用(yong)于(yu)(yu) IC集成電路領(ling)域(yu)的(de)等(deng)離子體(ti)刻(ke)蝕設(she)備(CCP、ICP)、深(shen)硅刻(ke)蝕設(she)備(TSV)、LED領(ling)域(yu) 的(de) MOCVD 設(she)備等(deng)。公(gong)司(si)等(deng)離子體(ti)刻(ke)蝕設(she)備已被廣泛應用(yong)于(yu)(yu)國際一(yi)線客戶從 65 納(na)(na)米到(dao) 14 納(na)(na)米、 7 納(na)(na)米和 5 納(na)(na)米的(de)集成電路加工(gong)制造(zao)及先進封裝。
公司 2020 年(nian)營(ying)(ying)收(shou)穩步增長(chang)(chang)，凈利潤保(bao)持高(gao)增。從歷年(nian)營(ying)(ying)收(shou)規(gui)模來看，公司依托在刻(ke)蝕設備等主(zhu) 要產品的先進(jin)技術優勢和(he)廣泛的客戶群體實(shi)現了高(gao)速增長(chang)(chang)，業(ye)務(wu)規(gui)模不斷擴大。2020 年(nian)實(shi)現營(ying)(ying)業(ye) 收(shou)入 22.73 億元，比(bi)上年(nian)增長(chang)(chang) 17%；實(shi)現凈利潤 4.92 億元，同(tong)比(bi)增長(chang)(chang) 160%。
公司(si)(si)持(chi)(chi)續(xu)致力于(yu)半導體核(he)心設備(bei)(bei)的(de)(de)(de)(de)(de)研(yan)發升(sheng)級，高端設備(bei)(bei)產(chan)品和技(ji)術處(chu)于(yu)世界先(xian)進(jin)水平。公司(si)(si) 2017-2020 年的(de)(de)(de)(de)(de)研(yan)發投入持(chi)(chi)續(xu)增長，2020 年研(yan)發投入 5.9 億(yi)元，同比增加 39%，研(yan)發費用(yong)率為 14.6%，主要用(yong)于(yu)研(yan)發存儲器(qi)的(de)(de)(de)(de)(de) CCP 和 ICP 刻蝕(shi)(shi)(shi)設備(bei)(bei)等(deng)。在邏(luo)輯集(ji)成電路制(zhi)造(zao)環(huan)節(jie)，公司(si)(si)開(kai)發的(de)(de)(de)(de)(de) 12 英寸高端刻蝕(shi)(shi)(shi)設備(bei)(bei)已運用(yong)在國際知名客戶(hu)最先(xian)進(jin)的(de)(de)(de)(de)(de)生產(chan)線上(shang)并用(yong)于(yu) 5 納米、5 納米以下器(qi)件中 若干關鍵步驟(zou)的(de)(de)(de)(de)(de)加工(gong)；同時(shi)，公司(si)(si)根據(ju)先(xian)進(jin)集(ji)成電路廠商的(de)(de)(de)(de)(de)需求(qiu)持(chi)(chi)續(xu)進(jin)行設備(bei)(bei)開(kai)發和工(gong)藝優化。 在 3D NAND 芯片制(zhi)造(zao)環(huan)節(jie)，公司(si)(si)的(de)(de)(de)(de)(de)電容性等(deng)離(li)子(zi)體刻蝕(shi)(shi)(shi)設備(bei)(bei)技(ji)術已應用(yong)于(yu) 64 層(ceng)和 128 層(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)量(liang) 產(chan)，電感(gan)性等(deng)離(li)子(zi)體刻蝕(shi)(shi)(shi)設備(bei)(bei)技(ji)術已應用(yong)于(yu) 64 層(ceng)的(de)(de)(de)(de)(de)量(liang)產(chan)，同時(shi)公司(si)(si)根據(ju)存儲器(qi)件客戶(hu)的(de)(de)(de)(de)(de)需求(qiu)正(zheng)在 開(kai)發極高深寬比的(de)(de)(de)(de)(de)刻蝕(shi)(shi)(shi)設備(bei)(bei)和工(gong)藝。
4.2 北方華創：國產半導體設備龍頭
北(bei)方華(hua)創(chuang)(chuang)(002371)是由北(bei)京七星華(hua)創(chuang)(chuang)電(dian)子股份(fen)有(you)限(xian)公(gong)(gong)司和北(bei)京北(bei)方微電(dian)子基地設備(bei)工藝 研究中心有(you)限(xian)責任公(gong)(gong)司戰略重組而成。北(bei)方華(hua)創(chuang)(chuang)主(zhu)營半(ban)導(dao)體裝備(bei)、真空裝備(bei)、新能(neng)源(yuan)鋰電(dian)裝備(bei)及 精(jing)密元器件業務，為半(ban)導(dao)體、新能(neng)源(yuan)、新材料等(deng)領域提(ti)供(gong)解決方案。公(gong)(gong)司現(xian)有(you)四大(da)產業制(zhi)造基地， 營銷服(fu)務體系覆蓋(gai)歐、美、亞等(deng)全球主(zhu)要國家和地區(qu)。
北方華創業績持續高增長，龍頭地位進一步穩固。2020
年全年公司實現營收 60.6 億元，同比增 長 49.2%，歸母凈利潤 5.4 億元，同比增長 73.8%，扣非后凈利潤達 2.0
億元，同比增長 180.8%。 公司 2016年以來營業收入和凈利潤呈現出顯著增長態勢，2016-2020 年公司營收和凈利潤復合增 速分別達
39%和 55%。
分業(ye)務(wu)來看，近年來電子(zi)工藝(yi)裝(zhuang)(zhuang)備(bei)(bei)，尤其(qi)半導體裝(zhuang)(zhuang)備(bei)(bei)營(ying)(ying)(ying)收(shou)(shou)占(zhan)比(bi)逐漸提升(sheng)，成(cheng)為公(gong)司(si)主要(yao)收(shou)(shou)入來源。 2020 年公(gong)司(si)電子(zi)工藝(yi)裝(zhuang)(zhuang)備(bei)(bei)業(ye)務(wu)實現(xian)營(ying)(ying)(ying)收(shou)(shou) 48.7 億(yi)元(yuan)，占(zhan)總營(ying)(ying)(ying)收(shou)(shou)比(bi)重(zhong)達 80.4%，同(tong)(tong)比(bi)增(zeng)(zeng)長(chang)(chang) 52.6%， 其(qi)中主營(ying)(ying)(ying)業(ye)務(wu)為半導體設(she)備(bei)(bei)的子(zi)公(gong)司(si)北方(fang)華(hua)創微電子(zi)裝(zhuang)(zhuang)備(bei)(bei)有限公(gong)司(si) 2020 年營(ying)(ying)(ying)收(shou)(shou)為 41.6 億(yi)元(yuan)，占(zhan) 總營(ying)(ying)(ying)收(shou)(shou)比(bi)重(zhong)達 68.6%，同(tong)(tong)比(bi)增(zeng)(zeng)長(chang)(chang) 60.2%，凈利潤(run) 1.8 億(yi)元(yuan)，同(tong)(tong)比(bi)大增(zeng)(zeng) 1.3 倍；主營(ying)(ying)(ying)業(ye)務(wu)為真(zhen)空設(she) 備(bei)(bei)的子(zi)公(gong)司(si)北方(fang)華(hua)創真(zhen)空技術(shu)有限公(gong)司(si) 2020 年營(ying)(ying)(ying)收(shou)(shou) 7.1 億(yi)元(yuan)，同(tong)(tong)比(bi)增(zeng)(zeng)長(chang)(chang) 17.1%，凈利潤(run) 6839.1 萬元(yuan)，同(tong)(tong)比(bi)增(zeng)(zeng)長(chang)(chang) 35.9%，主要(yao)受益(yi)于下游(you)新能源光伏(fu)產業(ye)成(cheng)長(chang)(chang)，真(zhen)空、熱(re)工設(she)備(bei)(bei)持續增(zeng)(zeng)長(chang)(chang)。
研(yan)(yan)發(fa)投入(ru)穩健增長(chang)，下游產(chan)品(pin)持(chi)續滲透。公司(si)(si)近(jin)年(nian)來(lai)研(yan)(yan)發(fa)支(zhi)出持(chi)續上升(sheng)，2020 年(nian)研(yan)(yan)發(fa)支(zhi)出整體(ti)超 過 16 億元，同比(bi)增長(chang) 41.4%。公司(si)(si)在半導體(ti)設備(bei)等應用領(ling)域(yu)研(yan)(yan)發(fa)取(qu)得(de)多(duo)(duo)項成果(guo)，知識產(chan)權(quan)數(shu)量(liang)逐 年(nian)增長(chang)，截至2020年(nian)底累(lei)計獲得(de)授權(quan)專利2,894件(jian)。2020年(nian)公司(si)(si)研(yan)(yan)發(fa)投入(ru)占營收的(de)比(bi)例為(wei)26.6%， 研(yan)(yan)發(fa)人員(yuan)數(shu)量(liang)占比(bi)為(wei) 23.7%，研(yan)(yan)發(fa)實力愈加雄厚。公司(si)(si)核(he)心產(chan)品(pin)在中國市(shi)場(chang)占據重要(yao)市(shi)場(chang)份(fen)額， 目(mu)前多(duo)(duo)款(kuan) 14nm 設備(bei)在生(sheng)產(chan)線評估驗(yan)證，多(duo)(duo)款(kuan) 10nm 設備(bei)處于研(yan)(yan)發(fa)中，5/7nm 先進(jin) IC 裝備(bei)的(de)研(yan)(yan)發(fa) 也(ye)正在推進(jin)。目(mu)前來(lai)看，公司(si)(si)下游產(chan)品(pin)開始逐步進(jin)入(ru)大型(xing)晶圓制造廠(chang)商，相關(guan)產(chan)品(pin)也(ye)在持(chi)續滲透。
