12月1日，沉寂許久的A股芯片龍頭公司兆易(yi)創新股(gu)價(jia)突(tu)然異(yi)動，并在接下(xia)來(lai)兩個交(jiao)易(yi)日延(yan)續上漲(zhang)，三(san)日內的(de)漲(zhang)幅(fu)一度超過20%。
對(dui)于兆易創新這樣(yang)市值(zhi)千億的(de)巨頭公司來說，20%的(de)市值(zhi)上漲可(ke)謂(wei)意(yi)義(yi)重(zhong)大(da)，究竟是怎樣(yang)的(de)利好才能撬動如(ru)此大(da)的(de)杠桿呢？
就在股(gu)價上漲的(de)前一(yi)(yi)日，兆易創新曾一(yi)(yi)口氣發布了(le)25條公(gong)告(gao)，抽絲剝(bo)繭之后，一(yi)(yi)則看(kan)似(si)不起眼(yan)的(de)《兆易創新關(guan)于2022年度日常關(guan)聯交(jiao)易預計額度的(de)公(gong)告(gao)》引起了(le)我(wo)們的(de)關(guan)注。
在這則公(gong)告中，除了以往代(dai)(dai)銷長鑫存儲產品(pin)和向紫光展(zhan)銳銷售產品(pin)相關(guan)交(jiao)(jiao)易外，另有一項巨大的變化：在2022年(nian)公(gong)司預計從長鑫存儲自有品(pin)牌采(cai)購(gou)(gou)代(dai)(dai)工(gong)交(jiao)(jiao)易額將達到1.35億美元，逼近代(dai)(dai)銷長鑫DRAM產品(pin)的采(cai)購(gou)(gou)金額。
這表明(ming)，兆(zhao)易創新(xin)自有(you)品(pin)(pin)牌的(de)DRAM產(chan)品(pin)(pin)將在(zai)2022年大放異彩(cai)；同時(shi)也(ye)意(yi)味著，國(guo)產(chan)DRAM廠商隊伍也(ye)迎來(lai)了一(yi)個強(qiang)有(you)力的(de)隊友(you)，在(zai)應對(dui)國(guo)際巨(ju)頭們(men)的(de)競(jing)爭時(shi)，也(ye)有(you)相對(dui)更(geng)大的(de)反(fan)擊力量。
聚焦全球集成(cheng)電路市(shi)(shi)場，存儲芯(xin)(xin)片(pian)是市(shi)(shi)場份額最(zui)大的(de)(de)(de)品類之一，2020年(nian)(nian)市(shi)(shi)場份額接近(jin)邏(luo)輯芯(xin)(xin)片(pian)。在某些年(nian)(nian)份內，存儲芯(xin)(xin)片(pian)的(de)(de)(de)市(shi)(shi)場份額更是超過了(le)邏(luo)輯芯(xin)(xin)片(pian)，足以說明其(qi)是集成(cheng)電路市(shi)(shi)場上最(zui)有價值的(de)(de)(de)品類之一。
然而，在如此重要的賽道中，我(wo)們卻鮮(xian)有(you)機(ji)會(hui)在市場中看到國(guo)產品牌的身(shen)影。
中國是最大的(de)消費電子生產和消費市場，每年對于存儲芯片(pian)的(de)需(xu)求(qiu)無比(bi)龐大。但正如整個集成電路行業一樣，國際(ji)巨頭們近乎壟(long)斷了全部的(de)市場份額。
技(ji)術封鎖之(zhi)下，國內存儲芯片(pian)廠(chang)商們(men)只(zhi)能通過不斷的技(ji)術進步，謀求一條突圍之(zhi)路。
1、國際巨頭瓜分核心賽道
存儲芯片(pian)可(ke)謂人類最偉大的發明之(zhi)一。
在存(cun)儲(chu)芯片技術(shu)(shu)被發明之前，人(ren)類只能使用打孔(kong)卡、磁鼓技術(shu)(shu)、磁芯技術(shu)(shu)來進行存(cun)儲(chu)，不(bu)僅(jin)效率低下(xia)，而(er)且(qie)需要(yao)耗費很(hen)大的占地空間。直至1966年，晶體管(guan)DRAM內存(cun)技術(shu)(shu)的發明，才讓(rang)人(ren)類正式進入了存(cun)儲(chu)芯片時代。
按照產品(pin)功能特(te)性，儲(chu)存(cun)(cun)芯(xin)片共可以(yi)分為兩(liang)(liang)大類(lei)：一(yi)類(lei)是(shi)易(yi)失性存(cun)(cun)儲(chu)芯(xin)片，斷(duan)電(dian)后存(cun)(cun)儲(chu)信(xin)息即消失，主要有SRAM和DRAM兩(liang)(liang)種；一(yi)類(lei)是(shi)非(fei)易(yi)失性存(cun)(cun)儲(chu)芯(xin)片，斷(duan)電(dian)后存(cun)(cun)儲(chu)信(xin)息仍留存(cun)(cun)，主要有ROM、閃存(cun)(cun)和EEPROM。
縱觀(guan)整個存儲芯片市場，目前主(zhu)導行業的(de)是(shi)DRAM和NAND Flash兩大(da)(da)品(pin)(pin)類。以2020年數據(ju)統計，這兩大(da)(da)品(pin)(pin)類合計占(zhan)比(bi)97%，而NOR Flash僅占(zhan)比(bi)1%，其(qi)他(ta)產品(pin)(pin)合計占(zhan)比(bi)2%。
DRAM和NAND Flash常(chang)見于(yu)電子(zi)產品中(zhong)。在電腦中(zhong)，DRAM就是內(nei)(nei)存條。在智能手機中(zhong)，DRAM即是運行內(nei)(nei)存，現在主流的是8G和12G DRAM產品；NAND Flash即為(wei)機身(shen)存儲，256G、512G、1T即是此類產品。
在DRAM和NAND Flash兩個最大子市場上，國際巨頭憑借先發優勢和技(ji)術壁壘(lei)處(chu)于壟斷性地位(wei)。
自從(cong)英特(te)爾量產(chan)DRAM產(chan)品以(yi)來的(de)51年間，美國(guo)(guo)、日(ri)本、韓(han)國(guo)(guo)存儲芯片企業(ye)激烈競爭，目前形成了韓(han)國(guo)(guo)三星和SK海力士、美國(guo)(guo)美光半(ban)導體(ti)寡(gua)頭壟斷的(de)市場(chang)(chang)格局，三巨頭占(zhan)據了約95%的(de)市場(chang)(chang)份(fen)額(e)。
截止2021年Q1季(ji)度，三星、SK海力(li)士、美光(guang)半導(dao)體(ti)分別占據市(shi)(shi)場約42%、29%和23%的市(shi)(shi)場份(fen)額，留給其他二(er)流(liu)、三流(liu)廠商的市(shi)(shi)場空(kong)間總(zong)共僅有6%。
相對而言(yan)，NAND Flash產品在2010年前后才(cai)開始大規模商(shang)用，起步較晚。
正(zheng)因(yin)此，NAND Flash行(xing)業目前市(shi)場集(ji)中度并沒有DRAM那么高，三星、鎧(kai)俠(xia)、SK海力士(shi)、西部數據、美光、英特爾(er)六大行(xing)業巨頭瓜分市(shi)場，今年Q3季度，六巨頭合計市(shi)場份額達96.7%。
不過(guo)隨著行(xing)業的發展，NAND Flash行(xing)業或將迎來屬于它的“洗牌時代(dai)”，目(mu)前西部數據正在謀求收(shou)購鎧俠，如果并購成功(gong)，閃(shan)存市場格局將重(zhong)新改寫(xie)。
顯而(er)易(yi)見，在(zai)DRAM和NAND這兩個(ge)市(shi)場規(gui)模最(zui)大的存儲芯片(pian)產品市(shi)場中，韓、美、日三國處(chu)于壟斷性地位，獲(huo)得了最(zui)大頭(tou)的利潤。
對于起步較晚的(de)(de)中國產(chan)生而言，想要獲(huo)得一席之地，必須(xu)必備抗衡國際(ji)巨(ju)頭(tou)的(de)(de)實力。無(wu)論是技術層面，還是產(chan)能(neng)層面，中國企業都或將面臨極(ji)其巨(ju)大(da)的(de)(de)挑戰。
2、來自中國的“挑戰者們”
在(zai)巨頭強力壟斷下，中國主(zhu)流的儲(chu)存芯片企(qi)業大多規模較(jiao)小(xiao)，技術水平較(jiao)國際(ji)巨頭仍有較(jiao)大差距。
由于(yu)福建晉華在2018年(nian)遭到美(mei)光半導體的訴訟，因此(ci)陷于(yu)停擺(bai)狀態，這讓合(he)肥長鑫成為了國產DRAM“全(quan)村(cun)的希望(wang)”。
長鑫以IDM模式生(sheng)產(chan)DRAM產(chan)品，目前(qian)可量(liang)產(chan)19nm DDR4和(he)LPDDR4產(chan)品，DDR5和(he)LPDDR5技術正在(zai)研發(fa)中。雖然這個水平(ping)距離(li)國際巨頭仍然差距很遠，但也是國產(chan)DRAM企業最頂(ding)尖(jian)的水平(ping)。
目(mu)前三星等(deng)DRAM巨頭的(de)(de)LPDDR5產(chan)品已經大量(liang)應用于智能手機市(shi)場，并成為現有智能手機的(de)(de)主打賣點之一；DDR5產(chan)品已經量(liang)產(chan)，但目(mu)前來說從(cong)性價比上尚未能大規模替代DDR4，這也是長(chang)鑫和國內DRAM企業為數(shu)不(bu)多的(de)(de)好(hao)消息。
與(yu)合肥長(chang)鑫(xin)(xin)存在千絲萬(wan)縷聯系的(de)兆(zhao)易(yi)(yi)創(chuang)新(xin)(xin)，在年內也宣布，由長(chang)鑫(xin)(xin)代(dai)工(gong)的(de)19nm 4Gb DDR4產(chan)品已經量產(chan)。在此之前，兆(zhao)易(yi)(yi)創(chuang)新(xin)(xin)主(zhu)要代(dai)理(li)銷售長(chang)鑫(xin)(xin)DRAM產(chan)品，未(wei)來自有(you)品牌DRAM產(chan)品將(jiang)成為主(zhu)導。兆(zhao)易(yi)(yi)創(chuang)新(xin)(xin)預計，在2022年，代(dai)銷長(chang)鑫(xin)(xin)DRAM產(chan)品采購額為1.7億美(mei)元，穩(wen)定增長(chang)；而(er)自有(you)品牌采購長(chang)鑫(xin)(xin)代(dai)工(gong)的(de)關聯交易(yi)(yi)將(jiang)達到1.35億美(mei)元。
除長(chang)鑫和兆易創新，西安紫光國(guo)芯也能夠(gou)量產DDR4產品(pin)。此外，剛剛在科(ke)創板IPO的東芯半(ban)(ban)導(dao)體(ti)能夠(gou)量產DDR3產品(pin)，北(bei)京君正(zheng)在收(shou)購北(bei)京矽成（即美國(guo)芯成半(ban)(ban)導(dao)體(ti)母公司）之后，也有DRAM產品(pin)業務。
在NAND Flash市場上，國產玩家也(ye)并不(bu)多。
根據存儲原理(li)的不同，NAND Flash存儲可以分為SLC、MLC、TLC和(he)QLC四大(da)類，從結構上又(you)可以分為2D、3D兩大(da)類。
目前，國產NAND玩家多集(ji)中于最原始的SLC NAND市(shi)場，處于TLC和(he)QLC的國產廠商僅長(chang)江存儲一(yi)家。
據今(jin)年九月消息，長江(jiang)存(cun)(cun)儲(chu)128層(ceng)(ceng)TLC 3D NAND已(yi)經量產，且良(liang)率已(yi)做到相當水準(zhun)；128層(ceng)(ceng)QLC 3D NAND也(ye)已(yi)經準(zhun)備量產。與三星等(deng)國際巨頭相比，長江(jiang)存(cun)(cun)儲(chu)技術差(cha)距正(zheng)在逐漸(jian)縮(suo)小。
從整個NAND市場(chang)看，SLC NAND占(zhan)比僅2%。在SLC NAND市場(chang)上(shang)，韓國企業愛拓科技、臺灣地區(qu)企業旺宏電子和華邦(bang)電子、美(mei)國賽普拉斯和美(mei)光、日本東芝占(zhan)據較大份額。
在(zai)大陸(lu)地區(qu)，目前(qian)兆易(yi)創新、復旦微(wei)電(dian)、東芯(xin)半(ban)導體均(jun)有(you)SLC NAND量產(chan)產(chan)品，其中兆易(yi)創新產(chan)品技術更為領先，已達到行(xing)業主流水平。
除此之外，北(bei)京君正旗(qi)下ISSI在汽車級(ji)NAND市(shi)場有量產產品，芯天下則通過購(gou)買海外SLC NAND晶圓(yuan)自(zi)行(xing)封裝策(ce)略(lve)生產相關(guan)產品。
3、國內廠商的另類突圍路
雖然(ran)在(zai)DRAM和(he)NAND市場，中國企(qi)業的(de)競(jing)爭力暫時薄弱一些(xie)，但在(zai)NOR Flash和(he)EEPROM兩個市場上，國內企(qi)業實(shi)則(ze)表現出不(bu)俗的(de)競(jing)爭力。
由于下游需求(qiu)端的(de)迅速放量(liang)，全球存儲芯(xin)片巨頭(tou)的(de)產(chan)能(neng)已經不(bu)足以滿足迅速膨(peng)脹的(de)市(shi)場需求(qiu)。在這種情(qing)形下，國際巨頭(tou)往往將產(chan)能(neng)集(ji)中于最大市(shi)場上利潤(run)最高(gao)的(de)板塊，從而(er)逐漸退出了SLC NAND、NOR Flash和EEPROM這三個利基市(shi)場，國產(chan)企業也有了崛起(qi)的(de)機會。
具體來(lai)看，NOR Flash在(zai)2020年占據(ju)整個(ge)存儲芯片(pian)市場1%的份額。這種存儲芯片(pian)的應用，主(zhu)要集中于手(shou)機(ji)(ji)模(mo)組、網絡通訊、數(shu)字機(ji)(ji)頂盒、汽車(che)電子(zi)、安(an)防監控、行車(che)記(ji)錄(lu)儀、穿戴式設備等消(xiao)費領域(yu)，典型應用場景有智(zhi)能手(shou)機(ji)(ji)中AMOLED面板和TWS耳機(ji)(ji)。
NOR Flash已(yi)經成為存儲芯片國產替代(dai)的主(zhu)要戰場(chang)。
在2020年，全(quan)球NOR Flash市場前(qian)兩位分別為臺(tai)灣地區企業(ye)華邦電子(zi)和旺宏(hong)電子(zi)，第三名即是近年來(lai)迅速崛起的兆(zhao)易(yi)創新(xin)。目前(qian)，兆(zhao)易(yi)創新(xin)已量(liang)產55nm工藝NOR Flash產品，處于行(xing)業(ye)內(nei)主流技術(shu)水平。
除兆易創新外，復旦微電、東(dong)芯半導(dao)體(ti)、普冉股份均(jun)已量產55nm小容量NOR Flash產品，芯天下、珠(zhu)海博雅(ya)、武漢新芯和恒爍半導(dao)體(ti)亦有相關產品量產。
在(zai)另(ling)一(yi)種(zhong)非易失性(xing)存儲芯(xin)片(pian)EEPROM市(shi)場上(shang)，國(guo)產(chan)芯(xin)力(li)量(liang)也正在(zai)崛起。
EEPROM產品市場規模雖然較小(xiao)，但(dan)應(ying)用十分廣泛。小(xiao)容量EEPROM代(dai)表(biao)(biao)應(ying)用領(ling)域(yu)包括(kuo)電腦顯(xian)示(shi)器等領(ling)域(yu)，中容量EEPROM代(dai)表(biao)(biao)應(ying)用領(ling)域(yu)包括(kuo)手機(ji)攝像(xiang)頭(tou)模組CCM等領(ling)域(yu)，大容量EEPROM代(dai)表(biao)(biao)應(ying)用領(ling)域(yu)包括(kuo)智(zhi)能電表(biao)(biao)等。
復旦微(wei)電、聚辰股份(fen)、普冉股份(fen)、珠海博雅均有EEPROM產(chan)品，不同企業各(ge)有側(ce)重。
據賽(sai)迪顧問數據，2018年聚(ju)辰股(gu)(gu)(gu)份(fen)(fen)EEPROM市(shi)(shi)場(chang)份(fen)(fen)額(e)排(pai)名全球(qiu)第三，在智能手機攝像(xiang)頭模(mo)組這(zhe)一細分市(shi)(shi)場(chang)，聚(ju)辰股(gu)(gu)(gu)份(fen)(fen)市(shi)(shi)場(chang)份(fen)(fen)額(e)自2016年以來即一直排(pai)名全球(qiu)第一；普冉股(gu)(gu)(gu)份(fen)(fen)的(de)產品亦主要應用于攝像(xiang)頭模(mo)組，2020年出貨量為15.79顆，遜色于聚(ju)辰股(gu)(gu)(gu)份(fen)(fen)的(de)17.13億顆出貨量。
復旦(dan)微電則在電腦顯示(shi)器這一細分市場，2020年市場占有率在30%以上。
可以看(kan)到，在巨頭逐漸退出的存(cun)(cun)儲芯片利基市(shi)場(chang)上，國產(chan)存(cun)(cun)儲芯片廠商們(men)已經通過研發(fa)投入和技術進步贏(ying)得了(le)更廣闊的市(shi)場(chang)空間。
這些小(xiao)賽道的意義并(bing)不僅僅體現在營收上，更是給起步(bu)薄弱的中國存儲(chu)芯片企(qi)業(ye)提供(gong)了迭代(dai)的機會。放眼未來，這些持(chi)續迭代(dai)的“小(xiao)公司”中，或許可以(yi)誕生出引領(ling)行業(ye)發展的領(ling)先(xian)企(qi)業(ye)，這也(ye)是中國存儲(chu)芯片的一條另類突圍之路。
