石墨烯具(ju)有優異的(de)光學(xue)、電學(xue)、力學(xue)特性，在材料學(xue)、微納加工、能源、生(sheng)物(wu)醫學(xue)和藥物(wu)傳遞等方面(mian)具(ju)有重要的(de)應用前景，被(bei)認為是一(yi)種未來革(ge)命性的(de)材料。
傳統(tong)認識(shi)上，石墨烯呈(cheng)現碳原子緊密堆積成單層二維(wei)蜂窩狀(zhuang)晶格結構。
而日前，中科院發表論文顯示，該院已經能夠制成準一維的線性石墨烯，方便直接制備高質量、大面積的石墨烯納米帶陣列。相關研(yan)究成果(guo)發表在最(zui)National Science Review上。
石墨烯納米(mi)帶中存在由量子效應引(yin)入的帶隙，使之具有獨特(te)的電學性能，可以(yi)克服石墨烯本身半金屬(shu)特(te)質帶來的不便，更適用(yong)于集成電路的制(zhi)造。
據了(le)解，中科院化(hua)學(xue)研究(jiu)所(suo)有(you)機(ji)固體實驗室研究(jiu)員于貴課(ke)題組和清華大學(xue)教授徐志(zhi)平團隊(dui)合作，通過(guo)調控化(hua)學(xue)氣(qi)相沉積過(guo)程中的生長參數(shu)，直接在液(ye)態金屬(shu)表面(mian)原位生長出大面(mian)積、高質量的石墨(mo)烯納米帶陣列。
研究表明，將氫氣的流速控制在相對微量的狀態，同時以液態金屬作為催化基底，可以引入一種新型的梳狀刻蝕行為，從而調控石墨烯的生長。
實驗發現，利用梳(shu)狀刻蝕控制石墨烯(xi)的生(sheng)長可以將傳統的薄膜生(sheng)長轉化為準一維的線性生(sheng)長，從而直接制備高質量、大面積的石墨烯(xi)納(na)米帶(dai)陣(zhen)列。
通過優化生長條件，可以將石墨烯納米帶的寬度縮小至8納米，并且長度大于3微米。該工(gong)作為(wei)大(da)面積、快速制(zhi)備石墨烯納米(mi)帶的研(yan)究奠定了基礎。
