IT之家 4 月 20 日消息，SK 海力士官網宣布，再次超越了現有最高性能 DRAM（內存）——HBM31 的技術界限，全球首次實現垂直堆疊 12 個單品 DRAM 芯片，成功開發出最高容量 24GB 的 HBM3 DRAM 新產品。該公司表示，目前正(zheng)在向客戶提供樣(yang)品，并進行(xing)性能評估。
SK 海(hai)力(li)士表示：“繼(ji)去年 6 月率先量產業界首款 HBM3 之后，公(gong)司又成功(gong)開(kai)發出了內存(cun)容量比前(qian)一(yi)代產品增加 50% 的 24GB 封裝產品。我們(men)將在下半年向市場(chang)供應新產品，以(yi)滿足由 AI 聊天機(ji)器人行業帶動的高端內存(cun)產品的需求。”
SK 海力士的(de)(de)工(gong)程(cheng)師通過應(ying)用先進的(de)(de)批量回流模壓填充（MR-MUF） 技術，提高(gao)了(le)新產品的(de)(de)工(gong)藝效率和(he)性能穩定性，同(tong)時通過硅(gui)通孔（TSV） 技術，將單個(ge) DRAM 芯片(pian)的(de)(de)厚(hou)度降(jiang)低了(le) 40%，達到了(le)與 16GB 產品相(xiang)同(tong)的(de)(de)堆(dui)疊高(gao)度水平。
HBM 是 SK 海(hai)力士在(zai) 2013 年首次開(kai)發(fa)出(chu)來的(de)(de)一(yi)種內存(cun)，由于它在(zai)實現運行在(zai)高性能計算(suan)（HPC）系統中的(de)(de)生成型 AI 中起著至關重要的(de)(de)作(zuo)用，因此(ci)受到了內存(cun)芯片行業(ye)的(de)(de)廣(guang)泛關注。最(zui)新的(de)(de) HBM3 標準(zhun)尤其被(bei)認為是快速(su)處理大量數(shu)據的(de)(de)理想產品，因此(ci)其被(bei)全球(qiu)主要科技公司采用的(de)(de)情況越(yue)來越(yue)多。
SK 海力士已經(jing)向多個(ge)對最新產品(pin)表達了極大期待(dai)的(de)客戶提供了 24GB HBM3 產品(pin)的(de)樣品(pin)，同時該產品(pin)的(de)性能(neng)評(ping)估也在進行(xing)中。
“SK 海力士之所以(yi)能夠不斷開發出一系列超高速(su)和高容(rong)量的 HBM 產品，是因為它(ta)在后端工藝中運用了領先(xian)的技術，”SK 海力士封裝測試部門負責人洪相(xiang)厚說，“公司(si)計劃在今年上半年完(wan)成新產品的量產準備(bei)工作(zuo)，以(yi)進一步鞏固其在 AI 時(shi)代尖端 DRAM 市場中的領導地位。”
IT之家注(zhu)：HBM（High Bandwidth Memory）是一種高價值、高性能(neng)的內存，通過垂(chui)直連(lian)接多個(ge) DRAM 芯(xin)片，與傳統的 DRAM 產品相比，大幅提高了數據(ju)處理速度。HBM DRAM 產品以(yi) HBM（第(di)一代）、HBM2（第(di)二代）、HBM2E（第(di)三代）、HBM3（第(di)四代）的順(shun)序開發。現有 HBM3 DRAM 的最大容量是垂(chui)直堆疊 8 個(ge)單品 DRAM 芯(xin)片的 16GB。
